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[導(dǎo)讀]全球領(lǐng)先的功率管理技術(shù)公司IR近日推出專(zhuān)為每個(gè)通道高達(dá)500W的D類(lèi)音頻應(yīng)用開(kāi)發(fā)的200V控制集成電路IRS20124S。該器件集成的可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間、雙向過(guò)流感應(yīng)等功能可保護(hù)放大器系統(tǒng)。此外,這些特性還可以使音頻設(shè)計(jì)師簡(jiǎn)

全球領(lǐng)先的功率管理技術(shù)公司IR近日推出專(zhuān)為每個(gè)通道高達(dá)500W的D類(lèi)音頻應(yīng)用開(kāi)發(fā)的200V控制集成電路IRS20124S。該器件集成的可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間、雙向過(guò)流感應(yīng)等功能可保護(hù)放大器系統(tǒng)。此外,這些特性還可以使音頻設(shè)計(jì)師簡(jiǎn)化電路并減少家庭影院娛樂(lè)系統(tǒng)、影音接收機(jī)和汽車(chē)音響系統(tǒng)中D類(lèi)音頻放大器的元件數(shù)量。

內(nèi)置的可選死區(qū)時(shí)間生成電路可對(duì)穩(wěn)定性進(jìn)行熱補(bǔ)償,并具有噪聲和電源電壓波動(dòng)免疫功能,以改善總諧波失真THD。 IRS20124S內(nèi)置雙向電流感應(yīng)和集成的關(guān)斷功能,在出現(xiàn)揚(yáng)聲器引線(xiàn)短路等過(guò)流狀況時(shí)保護(hù)輸出MOSFET。

IR消費(fèi)及工業(yè)產(chǎn)品部副總裁譚仲能指出:“使用這一新型D類(lèi)音頻集成電路來(lái)驅(qū)動(dòng)音頻MOSFET(如IRF6665),電路設(shè)計(jì)人員可以減少系統(tǒng)占板空間,改進(jìn)PCB布局,降低EMI和改善熱特性?!?/P>

譚先生認(rèn)為,“D類(lèi)音頻電路需要承受高頻開(kāi)關(guān)的高電壓變化,IR專(zhuān)門(mén)為開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的MOSFET和高壓控制集成電路非常適合數(shù)字音頻系統(tǒng)的需要。其針對(duì)特殊應(yīng)用的器件具有更高的效率,能增加功率密度并具有更好的音頻性能?!?/P>

設(shè)計(jì)支持
在IR音頻網(wǎng)http://www.irf.com/product-info/audio/ 可訪問(wèn)相關(guān)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)表、產(chǎn)品選擇指南和D類(lèi)音頻應(yīng)用筆記的鏈接。

供貨和報(bào)價(jià)
新款I(lǐng)RS20124S D類(lèi)音頻高壓控制集成電路現(xiàn)已供貨。該器件符合無(wú)鉛和RoHs標(biāo)準(zhǔn)。 IRS20124S為14引腳 SOIC封裝,每萬(wàn)件的訂貨量單價(jià)1.50美元,價(jià)格會(huì)有所變動(dòng)。產(chǎn)品基本規(guī)格如下:


產(chǎn)品編號(hào)封裝偏置
電壓輸出
電壓Io+/-可選的
傳播延遲死區(qū)
時(shí)間
IRS20124S14引腳
SOIC最大值
200V 10-20V典型值 1A/1.2A典型值
70納秒典型值
15/25/35/45納秒


IR簡(jiǎn)介

國(guó)際整流器公司(簡(jiǎn)稱(chēng)IR,紐約證交所代號(hào)IRF)是全球電源管理技術(shù)領(lǐng)袖。IR的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和組件廣泛用于驅(qū)動(dòng)高性能運(yùn)算設(shè)備、降低電機(jī)的能耗(全球最大一類(lèi)耗能設(shè)備),是眾多國(guó)際知名廠商開(kāi)發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車(chē)、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。

IR成立于1947年,總部設(shè)在美國(guó)洛杉磯,已經(jīng)在亞洲近二十個(gè)國(guó)家設(shè)有辦事處。IR全球網(wǎng)站www.irf.com,中國(guó)網(wǎng)站www.irf.com.cn。



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