1 引言

近年來，無線通信技術(shù)得到了迅猛地發(fā)展。它對收發(fā)信機前端電路提出的新要求是：高線性，低電壓，低功耗，高度集成?；祛l器作為無線通信系統(tǒng)射頻前端的核心部分之一，其性能的好壞將直接影響整個系統(tǒng)的性能。從頻域角度看，混頻器是頻譜的線性搬移。實現(xiàn)頻譜搬移的基本方法是將兩個信號相乘?；祛l器利用器件的非線性特性來實現(xiàn)信號載波頻率的變化， 產(chǎn)生輸入頻率的和頻和差頻分量。文章基于Gilbert 乘法器平衡混頻器的工作原理，提出了一個新型混頻器的結(jié)構(gòu)，采用COMS 開關(guān)實現(xiàn)了一種平衡混頻器，根據(jù)實測其性能完全滿足工程需要且有低成本、高線性度、大動態(tài)等優(yōu)點。

2 單平衡混頻器的工作原理

常用有源單平衡混頻器為Gilbert 單平衡混頻器， 其實質(zhì)為一可變互導(dǎo)乘法器，見圖1 所示。它由三部分組成，一是由本振信號VLO(t)激勵的差分對管Q2、Q3; 二是輸出電流受射頻信號VRF(t)控制的晶體管Q1;三是中頻負載RL。如圖1 所示。Q1 是射頻小信號線性放大器(也稱輸入跨導(dǎo)級);差分對Q2、Q3 在本振大信號作用下可看作輪流導(dǎo)通的雙向開關(guān)

;當雙端輸出時，輸出電流i 是兩電流i2和i3 的差。

圖1 單平衡混頻器原理圖

為保證Q1 工作于放大區(qū)，必須加上偏置電路給它設(shè)置合適的工作點。設(shè)其直流工作點電流是ICQ1在信號VRF(t)作用下，Q1 的集電極電流為(設(shè)Re短路)

由以上分析， 有源單平衡混頻器是通過本振開關(guān)電路(Q2、Q3) 對跨導(dǎo)級電路(Q1) 形成的射頻電流信號進行開關(guān)調(diào)制, 實現(xiàn)混頻功能。負載級電路把混頻產(chǎn)生的中頻電流信號轉(zhuǎn)換成電壓信號。

3 CMOS 模擬開關(guān)實現(xiàn)平衡混頻器

吉爾伯特單平衡混頻器的基本結(jié)構(gòu)框圖如圖2 所示，組成單元為放大器、開關(guān)和負載?；祛l器的最終輸出等于輸入信號與一個開關(guān)函數(shù)相乘，此開關(guān)函數(shù)與本振信號頻率相同。

圖2 單平衡混頻器等效電路

綜上所述，得到一混頻器設(shè)計思路一一尋找一個放大器，然后在輸出之前，尋找一合適位置，設(shè)一開關(guān)級，使用平衡結(jié)構(gòu)，再通過選擇合適的負載輸出信號。

3.1 CMOS 模擬開關(guān)的特性

CMOS 模擬開關(guān)雖然具有開關(guān)性但是和機械開關(guān)有所不同，本身具有半導(dǎo)體特性。模擬開關(guān)的簡單示意圖如圖3 所示， 由圖中可以看出模擬開關(guān)實際是由兩個對偶的N 溝道MOSFET 與P 溝道MOSFET 構(gòu)成。如果將不同VIN 值所對應(yīng)的P 溝道與N 溝道的導(dǎo)通電阻并聯(lián)， 可得到結(jié)構(gòu)下的RON 隨輸入電壓VIN 的變化關(guān)系。導(dǎo)通電阻RON 隨輸入信號VIN 變化，如果不考慮溫度、電源的影響RON 隨輸入信號Vin 呈線性關(guān)系。

圖3 典型CMOS 模擬開關(guān)內(nèi)部結(jié)構(gòu)

低導(dǎo)通電阻RON 帶來一負面效應(yīng)，每次開關(guān)導(dǎo)通或斷開瞬間都有一定數(shù)量的電荷被注入或吸出模擬通道。開關(guān)本身根據(jù)負載大小提供十幾毫安的電流,假設(shè)開關(guān)能夠為固定負載提供的電流為Iout,導(dǎo)通電阻隨輸入信號VIN 變化導(dǎo)致的電流變化為gmlVRF，則開關(guān)輸出的呈現(xiàn)變化的電流為：

此函數(shù)與Gilbert 單平衡混頻器的中頻輸出電流函數(shù)等效。可利用中頻諧振網(wǎng)絡(luò)將中頻信號濾除，選出需要的頻率。

3.2 開關(guān)混頻器的設(shè)計

實際設(shè)計的開關(guān)混頻器電路如圖4 所示。CMOS 模擬開關(guān)采用FAILCHILD 公司的FSA3157,其為單刀雙擲，導(dǎo)通電阻小于10 歐姆，3 dB 帶寬可達250 MHz。射頻輸入端采用變壓器， 將射頻信號由非平衡轉(zhuǎn)換為平衡輸出分別連接至單刀雙擲開關(guān)的兩路輸出端;本振信號(+5 V，TTL)連接至開關(guān)的控制端，直接驅(qū)動開關(guān);中頻輸出端采用低通濾波器濾出中頻頻率;開關(guān)公共端接地。

圖4 開關(guān)混頻器的實際電路

3.3 混頻器性能測試

混頻器的性能指標主要包括變頻增益、線性度、隔離度等。變頻增益反映了從射頻輸入信號到輸出信號衰減或放大的程度，負的變頻增益常被稱為變頻損耗。實測的開關(guān)混頻器的變頻損耗如圖5 所示，在本振頻率為50 MHz,射頻輸入頻率為55 MHz～110 MHz 時的變頻損耗， 在測試頻段內(nèi)損耗小于7 dB，波動小于1 dB。

圖5 混頻器變頻損耗曲線

LdB 壓縮點是表征線性度的一個指標?；祛l器的輸出信號隨輸入信號功率的變化曲線圖如圖6 所示?？梢钥吹疆斴斎胄盘柋容^小時， 轉(zhuǎn)換增益是一個常數(shù)， 增強到某一個值開始，它就偏離了直線。實測混頻器的l dB 壓縮點大于13.5 dB?；祛l器隔離度是指各頻率端口間的相互隔離， 實測本振與中頻端口的隔離度在10 dB 左右。

圖6 增益壓縮特性曲線圖

3.4 混頻器特性分析

實測表明利用CMOS 開關(guān)可以實現(xiàn)開關(guān)混頻器， 但CMOS 開關(guān)的參數(shù)影響比較大，應(yīng)用中要注意以下幾點：

① 模擬開關(guān)的導(dǎo)通和關(guān)斷時間，決定了開關(guān)混頻器的工作頻帶，限制了混頻器的使用;

② 開關(guān)驅(qū)動信號實際為本振信號。由于CMOS 模擬開關(guān)的邏輯控制端驅(qū)動電流極小，一般低于納安級，因此它完全可以由數(shù)字I/O 直接驅(qū)動，因此可直接采用DDS 或時鐘芯片直接控制，從而達到降低功耗、簡化電路的目的;

③ 模擬開關(guān)大多可以使信號雙向傳輸， 因此開關(guān)混頻器即可以作為上變頻器，也可以作為下變頻器;

④ 開關(guān)混頻器的線性度取決于模擬開關(guān)的導(dǎo)通電阻RON，盡量選擇導(dǎo)通電阻較小的開關(guān);

⑤ 由于開關(guān)的輸入輸出阻抗不是50 歐姆，因此使用過程中要對輸入輸出口進行阻抗匹.配;

⑥ 測試表明單平衡的本振隔離度交差， 這由電路本身的結(jié)構(gòu)決定，可采用雙平衡方式，提高本振的隔離度;

⑦ 混頻器的奇數(shù)諧波比較豐富， 使用時需采用濾波網(wǎng)絡(luò)進行濾波。這一特點在實際使用混頻器時必須考慮。

4 結(jié)束語

提出了一種基于CMOS 開關(guān)實現(xiàn)的單平衡混頻器電路，具有成本低、易實現(xiàn)、高線性度等優(yōu)點。本振采用方波驅(qū)動，易于和數(shù)字電路集成， 在實際應(yīng)用中， 增大了接收機的動態(tài)范圍，提高了超外差接收機的性能。