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杭州中天微系統(tǒng)加入電子系統(tǒng)設(shè)計聯(lián)盟
杭州中天微系統(tǒng)有限公司，一家來自中國杭州的32位嵌入式CPU內(nèi)核的領(lǐng)先供應(yīng)商，今日成為電子系統(tǒng)設(shè)計(ESD)聯(lián)盟的成員，享有表決權(quán)。電子系統(tǒng)設(shè)計(ESD)聯(lián)盟是一家旨在為全球半導(dǎo)體設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)提供商品和服務(wù)的國際企業(yè)協(xié)會。
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SIA聯(lián)盟論劍浦江，中國傳感器產(chǎn)業(yè)發(fā)展迎合IoT多元需求
傳感器作為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的硬件基礎(chǔ)、數(shù)據(jù)采集的入口，被譽(yù)為物聯(lián)網(wǎng)的“五官”，市場前景巨大。BCC Research預(yù)計全球傳感器市場規(guī)模在2016~2021年間復(fù)合增長率為11%，到2021年將達(dá)到近2,000億美元。
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富士通FRAM“上天入地”，拓展更多低功耗、高可靠性應(yīng)用空間
在前不久落下帷幕的深圳國際電子展現(xiàn)場，聚集了大量專業(yè)觀眾的富士通展臺格外亮眼，而引發(fā)這場圍觀的“黑科技”之一就是已“上天入地”的鐵電隨機(jī)存儲器(FRAM)。
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東芝供貨蘋果閃存，iPhone 7勇棄16GB
最近谷歌在一則廣告中也間接諷刺蘋果存儲容量太小這一弊病?？梢娡饨绲姆答伿谴俪商O果徹底取消16G入門版機(jī)型的重要原因。
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華邦電有望在移動DRAM動蕩期嶄露頭角
分析師表示，時序邁入第3季出貨旺季，由于三星旗艦機(jī)Note 7剛上市、新一代iPhone即將推出，加上中國品牌手機(jī)出貨未見停歇，都讓移動式存儲器的需求同步大增。
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16Gbps！下代顯卡存儲器GDDR6零八年問世
三星公開討論了后GDDR5時代的顯卡存儲器標(biāo)準(zhǔn)，提出新一代顯卡存儲器速率在14-16Gbps，電壓1.35V，簡單來說就是在保持時鐘頻率1.75GHz的情況下，將數(shù)據(jù)頻率至少翻倍。
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宇宙才是你的極限，貿(mào)澤電子攜手格蘭特•今原開啟國際空間站3D打印設(shè)計挑戰(zhàn)
半導(dǎo)體與電子元器件頂尖工程設(shè)計資源與全球授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子宣布與貿(mào)澤電子的長期客戶、全球備受贊譽(yù)的工程師、“流言終結(jié)者”格蘭特·今原開啟“國際空間站設(shè)計挑戰(zhàn)”。
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產(chǎn)能轉(zhuǎn)移——3D NAND殺戮戰(zhàn)場明年來臨
NAND Flash缺貨壓力已獲緩解。然而以三星、美光、英特爾、東芝等業(yè)者的擴(kuò)產(chǎn)計劃來看，3D NAND產(chǎn)能將在明年大量開出，明年將是3D NAND殺戮戰(zhàn)場。
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一線ODM/OEM廠生產(chǎn)鏈或添新丁——鈺創(chuàng)USB-PD控制IC
鈺創(chuàng)下半年受惠于英特爾Kaby Lake平臺放量出貨，以及PC市場進(jìn)入傳統(tǒng)備貨旺季，總體出貨量在8月之后已見明顯增溫。其中，USB-PD控制IC獲得英特爾Kaby Lake平臺參考設(shè)計認(rèn)證通過，可望順利打進(jìn)一線ODM/OEM廠生產(chǎn)鏈。
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英特爾成長策略的制勝法寶——FPJA
科再奇在主題演講中明確闡述FPGA是英特爾成長策略的關(guān)鍵，其動力來自成長引發(fā)的良性循環(huán)。在智慧化與連網(wǎng)化的世界中，“萬物”能被擷取成一段資料、即時量測、還能從任何地方存取這些資料。
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3D NAND技術(shù)大戰(zhàn)爆發(fā)前廠商們在做啥
平面NAND閃存的量產(chǎn)己經(jīng)達(dá)15納米，幾乎接近它的物理極限，因此為了提高存儲器的容量及帶寬，向3DNAND技術(shù)邁進(jìn)是必然趨勢。但是3DNAND技術(shù)很復(fù)雜，相比較而言由于成品率低，導(dǎo)致成本高。
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手機(jī)缺少LPDD4和雙通道RAM就Out啦
據(jù)悉，今年的iPhone 7系列可能會搭載3GB RAM，提升整體性能。至于Android 7.0，一個醒目的新功能分屏多任務(wù)，將成為系統(tǒng)的基本功能，或許多RAM容量的要求會更高。
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英特爾CEO科再奇:融合現(xiàn)實(shí)——讓虛擬世界和真實(shí)世界渾然一體
英特爾公司CEO科再奇 (Brian M. Krzanich) 在此期間撰文，闡述英特爾推動“融合現(xiàn)實(shí)”(Merged Reality)世界的愿景，及其為開發(fā)者、創(chuàng)客和發(fā)明者提供的革命性技術(shù)進(jìn)步。
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聊聊模電中的場管和運(yùn)放
按理說，場管不是教材的重點(diǎn)，但目前實(shí)際中應(yīng)用最廣，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過雙極型晶體管(BJT)。場效應(yīng)管，包括最常見的MOSFET，在電源、照明、開關(guān)、充電等等領(lǐng)域隨處可見。
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3D NAND 高壓競爭，三星獨(dú)家領(lǐng)先
平面NAND閃存的制程己經(jīng)達(dá)15納米，幾乎接近它的物理極限，因此為了提高存儲器的容量及帶寬，向3D NAND技術(shù)邁進(jìn)是必然趨勢。
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