時序進入7月,晶圓代工第3季訂單能見度也愈來愈高,但客戶追單意愿并不高,晶圓代工第3季晶圓出貨成長率可能僅維持持平與些微成長,使第2季臺積電、聯(lián)電的單季成長率相對突出,其中將要出爐的6月營收,臺積電營收可望
臺積電先進制程晶圓出貨正式突破500萬片大關(guān),達到535萬片,若將這些晶圓堆迭起來,厚度將是臺北101大樓的8倍高!這還是不包括目前正加緊量產(chǎn)的40納米制程,同時臺積電預(yù)計2009年第4季將量產(chǎn)32納米泛用型制程,2010年
TSMC今日宣布,分別與中國大陸及香港地區(qū)六家集成電路產(chǎn)業(yè)化基地與技術(shù)中心簽訂技術(shù)合作協(xié)議,結(jié)合北京集成電路設(shè)計園、上海集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進中心、西安集成電路設(shè)計與專業(yè)孵化器、廈門集成電路設(shè)計公共服務(wù)平臺、香港科技園、香港應(yīng)用科學(xué)技術(shù)研究院(ASTRI)等機構(gòu)的人才及資源,更有效率的為大陸及香港地區(qū)的集成電路設(shè)計公司提供業(yè)界最完整、最頻繁的芯片共乘(cybershuttle)與流片試產(chǎn)(tape out)服務(wù)。
美商吉時利儀器公司(Keithley Instruments)宣佈將其廣受歡迎的射頻向量訊號分析儀全線產(chǎn)品升級,降低了訊號擷取和量測的時間。吉時利全新Model 2820A射頻向量信號分析儀能在400MHz~4GHz或400MHz~6GHz的頻率範(fàn)圍內(nèi)提
Altera公司近日發(fā)佈了具有安全特性的低功率消耗新系列FPGA。新的Altera Cyclone III LS FPGA在單位元面積電路板上具有密度最大的邏輯、記憶體和DSP資源。這些元件是功率消耗最低的FPGA,200K邏輯單元(LE)的靜態(tài)功率
Tektronix經(jīng)與Philips Electronics India Ltd合作,成為主辦Philips Connectivity Plugfest 01的技術(shù)支援合作夥伴。Philips Plugfest為期三天,專門探討連線能力領(lǐng)域,包括HDMI與HDMI CEC、DLNA/UPnP及Bluetooth。這
O 引言超聲波是一種頻率在20KHz以上的機械波,在空氣中的傳播速度約為340 m/s(20°C時)。超聲波可由超聲波傳感器產(chǎn)生,常用的超聲波傳感器兩大類:一類是采用電氣方式產(chǎn)生超聲波,一類是用機械方式產(chǎn)生超聲波,目前
北京時間7月1日消息,據(jù)國外媒體報道,韓國顯示器制造商LG顯示公司(LG Display)周三宣布,公司計劃再建一座平板電視面板生產(chǎn)線。業(yè)內(nèi)普遍認為LCD行業(yè)已經(jīng)開始隨電視銷量上漲逐漸恢復(fù)。 LG顯示公司在向韓國證券交易
7月2日消息,銳迪科微電子 (RDA)宣布,其應(yīng)用于地面數(shù)字電視接收的高性能射頻接收芯片量產(chǎn),這是在該領(lǐng)域國內(nèi)首顆成功上市的芯片,標(biāo)志著國外芯片壟斷國內(nèi)市場的歷史從此改寫。 據(jù)介紹,該芯片型號為RDA5880,采用C
“到今年下半年,32納米產(chǎn)品就出來了?!?月18日,2009大連軟交會開幕當(dāng)天,英特爾全球副總裁楊敘意氣風(fēng)發(fā)地告訴記者,在今天金融危機大家都節(jié)省開支甚至裁員的情況,英特爾仍然堅持未來兩年把70億美元投入到32納米上
7月2日消息,AMD日前發(fā)布了一款經(jīng)過特別設(shè)計得限量版重型超頻處理器,該款PhenomIIX4BlackEditionTWKR芯片基于AMD的PhenomII技術(shù),能承受更高的電壓和運行更高頻率。 據(jù)國外媒體報道,這款TWKR芯片的設(shè)計可滿足極端
Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術(shù)的NAND閃存芯片實現(xiàn)量產(chǎn)。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。 Micron和其伙伴Intel近期宣布通過合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在
法國Yole Development發(fā)布了2008年前20位的MEMS代工排名,主要的變化有: - 專用的MEMS代工廠相比2007年下降。 - 加拿大的Micralyne成為開放式MEMS代工廠的排名第一。 - 主要的開放式MEMS代工廠開始贏利。
中芯國際高速、高性能的45納米工藝技術(shù)集成硅鍺應(yīng)力模塊的設(shè)計,提升了器件的運行速度,從而適用于更多應(yīng)用,包括系統(tǒng)級芯片,圖形和網(wǎng)絡(luò)處理器,電信和無線消費電子產(chǎn)品,并作為技術(shù)平臺,應(yīng)用于快速成長的中國市場。
研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術(shù)對感興趣的點進行確定性測量。但是,必須考慮的一個額外因素是施加的探針壓力對測試結(jié)果的影響,因為很多材料具有壓力相關(guān)性,壓力會引起材料的電氣特征發(fā)生巨