韓國存儲芯片制造商SK海力士今日表示，該公司成功研發(fā)出全球首款業(yè)界最高層數的238層512Gb TLC(Triple Level Cell)4D閃存芯片(NAND)樣品，該芯片將于明年上半年實現量產。據悉，SK海力士當天...

愛思開海力士·英特爾DMTM半導體(大連)有限公司非易失性存儲器項目在大連金普新區(qū)舉行開工儀式。該項目將建設一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲器3D NAND芯片產品的生產。全球領先的半導體供應商SK海力士已在中國市場深...

據統(tǒng)計，隨著Intel閃存業(yè)務被SK海力士收購，韓國企業(yè)三星+SK海力士合計占市場份額已經超過50%。

新聞概要 公司全球首發(fā)238層 512Gb TLC 4D NAND閃存，將于明年上半年投入量產 成功研發(fā)層數最高，面積最小的NAND閃存，并顯著改善生產效率、數據傳輸速度、功耗等特性 "公司將持...

（全球TMT2022年8月3日訊）SK海力士于8月3日宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數的238層NAND閃存。SK海力士向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存...

推出全新的工業(yè)級 3D-TLC SDHC 和 SDXC 存儲卡產品線

顛覆性技術的深遠影響從根本上改變了人們的生活、工作和娛樂方式

2022年4月19日，中國武漢，長江存儲科技有限責任公司(簡稱“長江存儲”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/V...

2022年4月8日，長江存儲推出新款消費級固態(tài)硬盤產品致態(tài)TiPlus5000。該產品采用基于晶棧 2.0(Xtacking? 2.0)架構的長江存儲第三代三維閃存芯片，支持PCIe Gen3x4接口、NVMe 1.3協...

據韓媒thelec報道，華為方面計劃采購NAND閃存晶圓，自行完成測試封裝工序，已為此籌建相關設施，或將于下半年開始量產。