无码成人AV怡春院,开心五月播五月亚洲第一

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程。

模擬
2008-12-04

MOSFET 開(kāi)關(guān) 電壓恒流
小數(shù)分頻與快鎖芯片ADF4193的原理與應(yīng)用

由ADF4193的配置時(shí)序可以看出，ADF4193是一款易配置和使用的芯片，使用它可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜度，縮短項(xiàng)目調(diào)試周期。從測(cè)量的相位噪聲和鎖定時(shí)間的結(jié)果可以看出：ADF4193具有很好的性能指標(biāo)，而且穩(wěn)定性比較好。ADF4193的最主要的優(yōu)點(diǎn)是可以簡(jiǎn)單的實(shí)現(xiàn)跳頻，它不再需要使用\"乒乓切換\"電路，因而可縮短系統(tǒng)的切換時(shí)間，以在時(shí)隙的保護(hù)時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)頻率切換。事實(shí)證明，ADF4193比\"乒乓切換\"電路更能簡(jiǎn)化電路，減少成本，同時(shí)可節(jié)省PCB的布板面積。很適合在通信系統(tǒng)中使用。

模擬
2008-12-04

芯片帶寬定時(shí) ADF
海力士半導(dǎo)體在世界上率先研發(fā)出2Gb移動(dòng)DRAM

據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，海力士半導(dǎo)體在世界上率先研發(fā)出了采用54納米技術(shù)的2Gb移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)，計(jì)劃從明年上半年開(kāi)始生產(chǎn)。該產(chǎn)品是世界上首個(gè)采用54納米超微工藝的2Gb高容量產(chǎn)品。目前用于多芯片封裝(Multi

模擬
2008-12-04

半導(dǎo)體移動(dòng) DRAM 海力士
2008年晶圓廠產(chǎn)能增長(zhǎng)5% 創(chuàng)02年以來(lái)新低

據(jù)SEMI近期發(fā)布的全球晶圓廠預(yù)測(cè)(World Fab Forecast)報(bào)告，2008年全球晶圓廠產(chǎn)能預(yù)計(jì)增長(zhǎng)5%，2009年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)4%至5%。 2003年至2007年，半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能年均增長(zhǎng)率幾乎均保持兩位數(shù)，然而在全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)極其不確定

模擬
2008-12-04

存儲(chǔ)器 Flash 晶圓廠 FOR
上海集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)向政府上報(bào)“本市集成電路產(chǎn)業(yè)面臨困境、持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展亟需采取有效措施”報(bào)告

“十五”期間，上海集成電路產(chǎn)業(yè)年均增長(zhǎng)46.85%，明顯高于全國(guó)年均32%的增幅。然而2006—2007年，出現(xiàn)了“二個(gè)下降”的局面:一是銷售增幅逐年下降。年銷售增長(zhǎng)率從2005年的31.22%，分別下降到25.41%和2.5%，遠(yuǎn)低于全

模擬
2008-12-04

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 封裝測(cè)試集成電路產(chǎn)業(yè) 集成電路行業(yè)
上海集成電路產(chǎn)業(yè)第三季度業(yè)績(jī)向好

根據(jù)上海集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)上海133家主要集成電路企業(yè)第三季度銷售額的統(tǒng)計(jì)，上海集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)仍然看好。今年第三季度和前三季度設(shè)計(jì)業(yè)、芯片制造業(yè)、封裝測(cè)試業(yè)和設(shè)備材料業(yè)的銷售額以及與去年同期比較分

模擬
2008-12-04

集成電路產(chǎn)業(yè) WIDTH BORDER STYLE
我國(guó)首次實(shí)現(xiàn)原子芯片上的玻色-愛(ài)因斯坦凝聚體

原本大型磁場(chǎng)線圈才能“綁”住的原子，現(xiàn)在僅用100微米寬的光刻線圈，就能讓其“定身”。最近，記者從中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所獲悉，該所量子光學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室一研究小組實(shí)現(xiàn)了我國(guó)第一個(gè)原子芯片上的玻色-愛(ài)因斯

模擬
2008-12-04

芯片愛(ài)因斯坦線圈量子信息
全球三大晶圓代工巨頭進(jìn)行人事成本調(diào)整

全球最大的晶圓 (晶圓指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱晶圓)代工企業(yè)臺(tái)灣集成電路公司 (下稱臺(tái)積電)和第二大企業(yè)聯(lián)華電子(下稱聯(lián)電)為減少產(chǎn)業(yè)寒冬的沖擊，均開(kāi)始進(jìn)行大規(guī)模的人事成本調(diào)

模擬
2008-12-04

中芯國(guó)際晶圓代工聯(lián)電臺(tái)積電
AMD高調(diào)宣布新一代處理器“上?！钡顷懼袊?guó)

AMD全球副總裁王正福稱，“上海”將開(kāi)啟一個(gè)新的時(shí)代。冬日的寒意中，電腦處理器市場(chǎng)卻正“酣戰(zhàn)”。積蓄已久的AMD雄心勃勃地決心打出一場(chǎng)漂亮的“拐點(diǎn)戰(zhàn)”，戰(zhàn)役的名稱及武器就叫“上?！薄? 昨天，在獨(dú)具意味的上

模擬
2008-12-04

戴爾處理器 AMD 四核
表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)

功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個(gè)眾所周知的事實(shí)——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。

模擬
2008-12-04

封裝 Vishay 功率MOSFET POLAR
采用TurboFET技術(shù)的第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET™ 技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45

模擬
2008-12-04

Vishay 功率MOSFET BSP TURBO
FlexRay Active Star器件（奧地利微電子）

奧地利微電子公司推出具有嵌入式比特整形器的AS8224 FlexRay Active Star器件，適用于最受限的FlexRay系統(tǒng)參數(shù)解決方案。這款用于車載網(wǎng)絡(luò)的新型收發(fā)器是在德國(guó)斯圖加特附近Fellbach舉辦的FlexRay產(chǎn)品日首次亮相的

模擬
2008-12-04

器件奧地利微電子 ACTIVE FLEXRAY
全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料學(xué)術(shù)會(huì)議召開(kāi)

第十五屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議于2008年11月30日在廣州召開(kāi)。會(huì)議由中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)、電子材料分會(huì)主辦，中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和廣州市科協(xié)承辦。會(huì)議

模擬
2008-12-03

國(guó)家半導(dǎo)體半導(dǎo)體照明半導(dǎo)體材料微波器件
燦芯半導(dǎo)體在中國(guó)65nm設(shè)計(jì)代工市場(chǎng)上先聲奪人

上海一家只有半年歷史的ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)公司燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司已經(jīng)在今年7月、9月和10月連創(chuàng)了三個(gè)中國(guó)ASIC設(shè)計(jì)代工史上的三個(gè)奇跡，先是在成立后的第三個(gè)月（2008年7月）與國(guó)內(nèi)一家知名的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司共同宣

模擬
2008-12-03

半導(dǎo)體 Silicon PEN 65NM
日月光半導(dǎo)體預(yù)計(jì)第四財(cái)季收入下降25%-28%

日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司(Advanced Semiconductor Engineering Inc., ASE)周二表示，受需求下降影響，該公司第四財(cái)政季度收入或較第三財(cái)季的新臺(tái)幣258.1億元下降25%-28%。該公司10月底時(shí)的預(yù)期為，第四財(cái)季收

模擬
2008-12-03

半導(dǎo)體 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING

首頁(yè) 上一頁(yè) 2162 2163 2164 2165 2166 2167 2168 2169 2170 2171 下一頁(yè) 尾頁(yè)

發(fā)布文章

www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

模擬

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程

小數(shù)分頻與快鎖芯片ADF4193的原理與應(yīng)用

海力士半導(dǎo)體在世界上率先研發(fā)出2Gb移動(dòng)DRAM

2008年晶圓廠產(chǎn)能增長(zhǎng)5% 創(chuàng)02年以來(lái)新低

上海集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)向政府上報(bào)“本市集成電路產(chǎn)業(yè)面臨困境、持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展亟需采取有效措施”報(bào)告

上海集成電路產(chǎn)業(yè)第三季度業(yè)績(jī)向好

我國(guó)首次實(shí)現(xiàn)原子芯片上的玻色-愛(ài)因斯坦凝聚體

全球三大晶圓代工巨頭進(jìn)行人事成本調(diào)整

AMD高調(diào)宣布新一代處理器“上?！钡顷懼袊?guó)

表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)

采用TurboFET技術(shù)的第三代功率MOSFET（Vishay）

FlexRay Active Star器件（奧地利微電子）

全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料學(xué)術(shù)會(huì)議召開(kāi)

燦芯半導(dǎo)體在中國(guó)65nm設(shè)計(jì)代工市場(chǎng)上先聲奪人

日月光半導(dǎo)體預(yù)計(jì)第四財(cái)季收入下降25%-28%

活動(dòng)預(yù)告

論壇

相關(guān)標(biāo)簽

課程視頻