第十五屆全國化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會議于2008年11月30日在廣州召開。會議由中國電子學(xué)會半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會、電子材料分會主辦，中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國家重點實驗室和廣州市科協(xié)承辦。會議圍繞化合物半導(dǎo)體，特別是近年來迅猛發(fā)展的寬禁帶化合物半導(dǎo)體在材料生長、器件與電路設(shè)計、制造工藝及其應(yīng)用等方面的發(fā)展與最新成就進(jìn)行研討，探討國際上化合物半導(dǎo)體、微波器件和光電器件以及固體薄膜的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。會議由大會邀請報告和分會專題報告組成。

在大會邀請報告中，王占國院士詳細(xì)介紹了激光顯示的發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢，鄭有炓院士就Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體發(fā)展中面臨的幾個科學(xué)技術(shù)問題與參會代表進(jìn)行了深入探討。在這次會議中，與會代表一致認(rèn)為化合物半導(dǎo)體在各種應(yīng)用中的發(fā)展?jié)摿薮?，目前還只是其特性的很小應(yīng)用，隨著研究的深入，未來將會有更加廣闊的應(yīng)用前景。在對化合物半導(dǎo)體的研究中，氮化鎵由于在照明、通訊、電子等方面的應(yīng)用前景成為近年來研究的重點。

在這次會議中，半導(dǎo)體照明成為研討的重點之一。會議特別邀請國家半導(dǎo)體照明研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長吳玲女士做了題為《中國半導(dǎo)體照明發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢》的主題報告，國家半導(dǎo)體照明研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟研發(fā)主席、中科院半導(dǎo)體所李晉閩所長做了《半導(dǎo)體照明技術(shù)的一些最新進(jìn)展》主題報告。其中吳玲秘書長介紹了當(dāng)前國際金融危機(jī)對我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)造成的影響，同時指出我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)總體發(fā)展良好的趨勢沒有改變，在2010年將會迎來新的發(fā)展高峰。

此外，在三個分會場與會代表還圍繞化合物半導(dǎo)體材料的其他應(yīng)用和發(fā)展前景，就具體的技術(shù)問題和產(chǎn)業(yè)熱點進(jìn)行了研討交流。