NI Measurement Suite for Fixed WiMAX(IEEE 802.16-2004),這是一套可設(shè)定軟體定義的PXI RF量測(cè)系統(tǒng)。透過(guò)此套餐,工程師除了可測(cè)試WiMAX的基地臺(tái)與行動(dòng)式接收端(Subscriber station)之外,還有如收發(fā)器、功率放
凌華科技發(fā)表新產(chǎn)品「USB-3488A」,是亞洲第一家透過(guò)FPGA掌握GPIB控制器核心技術(shù)的臺(tái)灣公司。凌華USB-3488A透過(guò)USB接口的便利性以及隨插即用的特性,任何連接USB-3488A的儀器都能被系統(tǒng)自動(dòng)檢測(cè)和識(shí)別,結(jié)合筆記型電
安捷倫科技(Agilent Technologies Inc.)發(fā)表一款可執(zhí)行差動(dòng)時(shí)域反射(TDR, Time-Domain Reflectometry)和時(shí)域轉(zhuǎn)態(tài)(TDT, Time-Domain Transition)量測(cè)的新探棒套件。從事信號(hào)完整性測(cè)試相關(guān)工作的工程師,在設(shè)計(jì)
安捷倫科技(Agilent)於東京SuperSpeed USB開(kāi)發(fā)者會(huì)議中,展示旗下的SuperSpeed USB測(cè)試解決方案組合。這個(gè)解決方案是首項(xiàng)結(jié)合NEC Electronics的USB 3.0主控制器之高效能SuperSpeedUSB測(cè)試夾具。安捷倫同時(shí)也將展示
R&S SFU廣播測(cè)試系統(tǒng)整合多項(xiàng)數(shù)位電視量測(cè)標(biāo)準(zhǔn)與測(cè)試功能於單一平臺(tái),現(xiàn)今新增了二組Realtime的行動(dòng)電視標(biāo)準(zhǔn)DVB-T2與 ATSC-M/H,R&S SFU可運(yùn)\用於量測(cè)行動(dòng)電視ATSC-M/H與傳送高畫(huà)質(zhì)HD節(jié)目DVB-T2的接收機(jī),包含數(shù)位電視
安捷倫科技(Agilent)針對(duì)旗下的InfiniiMax探棒推出兩款配件,分別是在線式同軸衰減器與阻隔電容。工程師可以使用這些配件,延伸InfiniiMax主動(dòng)探棒的動(dòng)態(tài)範(fàn)圍,以達(dá)到更準(zhǔn)確地測(cè)試現(xiàn)今高速、高動(dòng)態(tài)範(fàn)圍的設(shè)計(jì)。附圖
Anritsu近日為其VNA Master系列新增二款產(chǎn)品MS2026B和MS2028B。MS2026B和MS2028B分別以涵蓋5 kHz至6 GHz和20 GHz的頻率範(fàn)圍,滿足RF和微波電纜及天線分析需求。Anritsu在手持式儀器中,除了為S參數(shù)量測(cè)解決方案提供最
安捷倫科技(Agilent)推出一系列頻寬從直流到1.5 GHz的小型示波器被動(dòng)探棒和配件。細(xì)小的2.5-mm探棒頭直徑、低輸入電容、以及各種細(xì)間距探針頭配件,使Agilent N2870A系列被動(dòng)探棒,成為探量現(xiàn)今高速數(shù)位應(yīng)用中所使
Anritsu全新發(fā)表VectorStar寬頻ME7828A向量網(wǎng)路分析儀系統(tǒng),其能於70 kHz至110 GHz的最廣頻率範(fàn)圍提供業(yè)界最佳的動(dòng)態(tài)範(fàn)圍、量測(cè)速度和校準(zhǔn)與量測(cè)穩(wěn)定性。其效能和頻率涵蓋率提供微波/毫米波零組件和元件設(shè)計(jì)者和製造
安捷倫科技(Agilent)推出示波器與邏輯分析儀適用的低功率雙倍資料速率(LPDDR)球閘陣列(BGA)探棒解決方案。新款LPDDR BGA探棒可提供LPDDR和行動(dòng)DDR同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體的信號(hào)存取點(diǎn),以利於執(zhí)行電氣、時(shí)序和
日前,臺(tái)積電宣布將對(duì)研發(fā)人員進(jìn)行擴(kuò)招,擴(kuò)招幅度達(dá)到目前的30%之多,這批擴(kuò)招的員工中有15%將于今年底前走馬上任。臺(tái)積電負(fù)責(zé)全球營(yíng)銷(xiāo)的副總裁陳俊圣稱(chēng)臺(tái) 積電目前的研發(fā)人員總數(shù)約為1200名,他并稱(chēng):“在全球經(jīng)濟(jì)發(fā)
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出兩款采用最新的超小型0201雙硅片無(wú)引腳(Dual Silicon No-Lead ,DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護(hù)器件。這DSN型封裝尺寸僅為 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm,令工作的硅片百分之百地利
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個(gè)產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性,可在任何負(fù)載條件下,降低開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)、電機(jī)控制和快
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件,諸如PFC(功率因數(shù)校正)級(jí)或PWM(脈寬調(diào)制)級(jí)等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
韓國(guó)《每日經(jīng)濟(jì)新聞》(Maeil Business Newspaper)援引一位行業(yè)消息人士的話報(bào)導(dǎo),三星電子(Samsung Electronics Co., 005930.SE)和海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor Inc., 000660.SE)計(jì)劃在6月份下半月上調(diào)DRAM芯片