在當今數(shù)字化時代,芯片作為各種電子設備的核心部件,其性能的優(yōu)劣直接影響著設備的整體表現(xiàn)。而在芯片內部,信號傳輸過程中常常會受到各種干擾,其中串擾噪聲是一個不容忽視的問題。芯片串擾是指在芯片內部,信號在傳輸過程中,由于相鄰信號線之間的電磁耦合,導致一個信號的能量部分地耦合到其他信號線上,從而對其他信號產生干擾的現(xiàn)象。這種干擾會影響信號質量,進而影響芯片的性能和可靠性。電磁耦合主要包括容性耦合、感性耦合和輻射耦合,與之相對應,芯片中的串擾噪聲主要分為容性串擾、感性串擾和輻射串擾三類。
容性串擾
容性串擾是芯片串擾的一種常見類型,主要是由于相鄰信號線之間存在寄生電容,從而導致信號耦合產生干擾。在芯片的制造過程中,由于工藝的限制,相鄰信號線之間不可避免地會存在一定的寄生電容。當一根信號線上的電壓發(fā)生變化時,通過寄生電容會在相鄰信號線上產生感應電荷,進而產生感應電壓,形成容性串擾。
在高速、高密度的芯片設計中,容性串擾尤為突出。因為此時信號線間距小,寄生電容效應更明顯。任意兩導體之間都會存在互容,干擾源網(wǎng)絡會通過分布電容把電流耦合到相鄰的被干擾對象網(wǎng)絡上去。由于對稱,容性耦合噪聲電流,一半流向近端,一半流向遠端。遠端容性耦合噪聲跟著干擾源信號一起向遠端傳播,干擾源每走一步都會在被干擾對象網(wǎng)絡上產生遠端容性耦合噪聲,這些噪聲會一直累加,當信號到達負載端的同時,遠端容性耦合噪聲也會到達遠端。假如源端激勵信號的邊沿是線性上升的,上升時間為 t,則遠端容性耦合噪聲波形為一個寬為 t 的矩形脈沖,脈沖幅度與耦合長度 L 成正比,與激勵信號的上升時間成反比。
近端容性耦合噪聲和干擾源信號的傳播方向相反,因此干擾源注入電流的交迭時間只有干擾源信號上升時間的一半,為 t/2。之后隨著干擾源向負載端的移動,會不斷地產生近端容性耦合噪聲向近端傳播,當干擾源信號到達負載端時,就不再有耦合噪聲出現(xiàn),但被干擾對象網(wǎng)絡上的串擾脈沖會經過 TD 時間從遠端傳回近端。因此近端容性耦合噪聲電壓先上升到一個恒定值并持續(xù)時間 2*TD,然后下降到 0。當耦合長度大于干擾源信號前沿的空間延伸時,近端容性耦合噪聲電壓的幅值與耦合長度無關,近端容性耦合噪聲波形的寬度與耦合長度成正比。
感性串擾
感性串擾是芯片中由于相鄰導線間的互感作用,使一根導線上的電流變化在另一根導線上產生感應電壓,進而對信號造成干擾的現(xiàn)象。當芯片中一根導線上有變化的電流通過時,會產生變化的磁場,根據(jù)電磁感應定律,變化的磁場會在周圍的導體中產生感應電動勢。相鄰導線處于該變化磁場中,就會產生感應電壓,形成感性串擾。感性串擾與電流的變化率、導線間的互感系數(shù)等因素有關。電流變化率越大、互感系數(shù)越大,感性串擾越明顯。
由電流的連續(xù)性可知,近端感性耦合與遠端感性耦合噪聲的極性相反。感性串擾的遠端和近端的噪聲幅值與電流變化率、互感系數(shù)以及導線的特性等因素相關。在實際的芯片設計中,隨著芯片集成度的提高,導線的密度不斷增加,導線間的距離越來越小,這使得互感系數(shù)增大,感性串擾的影響也愈發(fā)顯著。例如,在一些高速處理器芯片中,由于內部導線眾多且密集,感性串擾可能會導致信號的失真和誤判,從而影響芯片的運算速度和準確性。
輻射串擾
芯片輻射串擾是指芯片內部或外部的電磁輻射,對芯片內的信號傳輸線或器件產生干擾的現(xiàn)象。其產生原因包括內部輻射源和外部輻射源。
芯片內的高速時鐘電路、高頻信號發(fā)生器等是主要輻射源,它們工作時會產生高頻電磁波。當這些電磁波的頻率較高且強度較大時,就可能會對周圍的信號線和器件產生輻射串擾。例如,芯片中的時鐘信號通常具有較高的頻率和快速的邊沿變化,這些特性使得時鐘電路成為一個強輻射源。如果時鐘電路的布局不合理,其產生的電磁輻射可能會干擾到附近的數(shù)據(jù)線或控制線,導致數(shù)據(jù)傳輸錯誤或系統(tǒng)工作異常。
芯片周圍的其他電子設備、電源線、無線信號等也可能成為外部輻射源。如果芯片的屏蔽措施不完善,外部的電磁輻射就容易進入芯片內部,導致輻射串擾。在一些復雜的電子系統(tǒng)中,多個芯片和電子元件緊密集成在一起,它們之間的電磁干擾相互影響。如果某個芯片受到來自外部設備的強電磁輻射,可能會導致芯片內的信號傳輸受到干擾,進而影響整個系統(tǒng)的性能。
芯片中的串擾噪聲主要包括容性串擾、感性串擾和輻射串擾這三類。它們各自有著不同的產生機制和特點,在芯片的設計、制造和應用過程中,都需要充分考慮這些串擾噪聲的影響,并采取相應的措施來降低其干擾,以確保芯片能夠穩(wěn)定、可靠地工作。隨著芯片技術的不斷發(fā)展,對串擾噪聲的研究和控制也將變得越來越重要,這將有助于推動芯片性能的進一步提升,滿足不斷增長的電子設備需求。