本文討論了在全球 AI 熱潮下，高算力芯片功率密度攀升使傳統(tǒng)散熱技術(shù)面臨挑戰(zhàn)，2025 年慕尼黑上海電子展上世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)發(fā)布針對(duì)高算力場(chǎng)景的綜合熱管理解決方案相關(guān)事宜。關(guān)鍵要點(diǎn)包括：

1.散熱技術(shù)挑戰(zhàn)：高算力芯片功率密度持續(xù)攀升，以英偉達(dá) H100 為代表的高性能芯片因高功耗和緊湊封裝出現(xiàn)表面溫度飆升與結(jié)構(gòu)形變，傳統(tǒng)散熱技術(shù)難以滿足需求。

2.石墨烯導(dǎo)熱墊片優(yōu)勢(shì)：世強(qiáng)硬創(chuàng)戰(zhàn)略合作伙伴鴻富誠(chéng)推出的石墨烯導(dǎo)熱墊片，通過(guò)材料結(jié)構(gòu)優(yōu)化，熱阻低至 0.04℃·cm2/W，最薄達(dá) 0.1mm，支持 70%壓縮量，多孔結(jié)構(gòu)能避免材料擠出，確?？煽啃?。

3.全場(chǎng)景散熱技術(shù)：整合多種前沿散熱技術(shù)，如臺(tái)達(dá)電子超薄風(fēng)扇、3D 相變散熱器、浸沒(méi)式冷卻液等，構(gòu)建靈活高效散熱生態(tài)。

4.綜合服務(wù)：世強(qiáng)硬創(chuàng)作為材料綜合解決方案平臺(tái)，提供全鏈條服務(wù)，在多個(gè)領(lǐng)域創(chuàng)新方案亮眼，滿足 AI 設(shè)備多樣化需求。

在全球AI熱潮席卷下，高算力芯片功率密度持續(xù)攀升，傳統(tǒng)散熱技術(shù)面臨極限挑戰(zhàn)。2025年慕尼黑上海電子展上，世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)重磅發(fā)布針對(duì)高算力場(chǎng)景的綜合熱管理解決方案，以石墨烯導(dǎo)熱墊片為核心，融合微型化散熱器件和環(huán)保液冷技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心、光模塊及具身機(jī)器人等領(lǐng)域提供高效散熱支持，助力AI產(chǎn)業(yè)突破“熱瓶頸”。

破解高算力散熱難題

以英偉達(dá)H100為代表的高性能芯片，因高功耗和緊湊封裝導(dǎo)致表面溫度飆升與結(jié)構(gòu)形變，傳統(tǒng)硅脂和導(dǎo)熱墊因熱阻高、厚度受限，難以滿足需求。世強(qiáng)硬創(chuàng)的戰(zhàn)略合作伙伴鴻富誠(chéng)推出石墨烯導(dǎo)熱墊片，通過(guò)材料結(jié)構(gòu)優(yōu)化，攻克大尺寸芯片三大散熱難題：

• 超低熱阻：采用取向工藝，熱阻低至0.04℃·cm2/W，熱傳導(dǎo)效率大幅提升；

• 極薄設(shè)計(jì)：支持70%壓縮量，最薄達(dá)0.1mm，滿足緊湊空間的低BLT需求；

• 抗翹曲能力：多孔結(jié)構(gòu)快速適應(yīng)局部形變，避免材料擠出，吸收翹曲位移，確?？煽啃?。

鴻富誠(chéng)石墨烯導(dǎo)熱墊片

全場(chǎng)景散熱技術(shù)加持

世強(qiáng)硬創(chuàng)的解決方案不僅局限于石墨烯墊片，還整合了多種前沿散熱技術(shù)。臺(tái)達(dá)電子的12mm×3mm超薄風(fēng)扇在狹小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效風(fēng)冷；3D相變散熱器與符合歐盟PFAS法規(guī)的浸沒(méi)式冷卻液，為硅光模塊等場(chǎng)景提供環(huán)保、安全的散熱選擇。這些技術(shù)共同構(gòu)建了靈活、高效的散熱生態(tài)。

在世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)上搜索小型化/輕量化散熱方案

綜合服務(wù)賦能AI產(chǎn)業(yè)

作為材料綜合解決方案平臺(tái)，世強(qiáng)硬創(chuàng)提供從熱設(shè)計(jì)、材料定制到加工測(cè)試的全鏈條服務(wù)。此外，其在膠粘劑、防水防塵、吸波屏蔽及隔熱絕緣領(lǐng)域的創(chuàng)新方案同樣亮眼，例如龍鱗50nm防水涂層、瓦克及德聚的密封膠、ITW導(dǎo)熱絕緣片及鍍金導(dǎo)電泡棉，滿足AI設(shè)備多樣化需求。

通過(guò)創(chuàng)新材料與技術(shù)的深度融合，世強(qiáng)硬創(chuàng)的熱管理解決方案為高算力芯片的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航。作為領(lǐng)先的電子行業(yè)研發(fā)服務(wù)平臺(tái)，世強(qiáng)硬創(chuàng)正以技術(shù)突破引領(lǐng)行業(yè)，助力AI生態(tài)邁向新高度。