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本文討論了在全球 AI 熱潮下,高算力芯片功率密度攀升使傳統(tǒng)散熱技術(shù)面臨挑戰(zhàn),2025 年慕尼黑上海電子展上世強硬創(chuàng)平臺發(fā)布針對高算力場景的綜合熱管理解決方案相關(guān)事宜。關(guān)鍵要點包括:


1.散熱技術(shù)挑戰(zhàn):高算力芯片功率密度持續(xù)攀升,以英偉達 H100 為代表的高性能芯片因高功耗和緊湊封裝出現(xiàn)表面溫度飆升與結(jié)構(gòu)形變,傳統(tǒng)散熱技術(shù)難以滿足需求。


2.石墨烯導(dǎo)熱墊片優(yōu)勢:世強硬創(chuàng)戰(zhàn)略合作伙伴鴻富誠推出的石墨烯導(dǎo)熱墊片,通過材料結(jié)構(gòu)優(yōu)化,熱阻低至 0.04℃·cm2/W,最薄達 0.1mm,支持 70%壓縮量,多孔結(jié)構(gòu)能避免材料擠出,確??煽啃?。


3.全場景散熱技術(shù):整合多種前沿散熱技術(shù),如臺達電子超薄風(fēng)扇、3D 相變散熱器、浸沒式冷卻液等,構(gòu)建靈活高效散熱生態(tài)。


4.綜合服務(wù):世強硬創(chuàng)作為材料綜合解決方案平臺,提供全鏈條服務(wù),在多個領(lǐng)域創(chuàng)新方案亮眼,滿足 AI 設(shè)備多樣化需求。


在全球AI熱潮席卷下,高算力芯片功率密度持續(xù)攀升,傳統(tǒng)散熱技術(shù)面臨極限挑戰(zhàn)。2025年慕尼黑上海電子展上,世強硬創(chuàng)平臺重磅發(fā)布針對高算力場景的綜合熱管理解決方案,以石墨烯導(dǎo)熱墊片為核心,融合微型化散熱器件和環(huán)保液冷技術(shù),為數(shù)據(jù)中心、光模塊及具身機器人等領(lǐng)域提供高效散熱支持,助力AI產(chǎn)業(yè)突破“熱瓶頸”。

創(chuàng)新散熱技術(shù)亮相慕展,助力AI芯片突破700W+散熱瓶頸


破解高算力散熱難題


以英偉達H100為代表的高性能芯片,因高功耗和緊湊封裝導(dǎo)致表面溫度飆升與結(jié)構(gòu)形變,傳統(tǒng)硅脂和導(dǎo)熱墊因熱阻高、厚度受限,難以滿足需求。世強硬創(chuàng)的戰(zhàn)略合作伙伴鴻富誠推出石墨烯導(dǎo)熱墊片,通過材料結(jié)構(gòu)優(yōu)化,攻克大尺寸芯片三大散熱難題:

  • 超低熱阻:采用取向工藝,熱阻低至0.04℃·cm2/W,熱傳導(dǎo)效率大幅提升;

  • 極薄設(shè)計:支持70%壓縮量,最薄達0.1mm,滿足緊湊空間的低BLT需求;

  • 抗翹曲能力:多孔結(jié)構(gòu)快速適應(yīng)局部形變,避免材料擠出,吸收翹曲位移,確保可靠性。

創(chuàng)新散熱技術(shù)亮相慕展,助力AI芯片突破700W+散熱瓶頸

鴻富誠石墨烯導(dǎo)熱墊片


全場景散熱技術(shù)加持


世強硬創(chuàng)的解決方案不僅局限于石墨烯墊片,還整合了多種前沿散熱技術(shù)。臺達電子的12mm×3mm超薄風(fēng)扇在狹小空間內(nèi)實現(xiàn)高效風(fēng)冷;3D相變散熱器與符合歐盟PFAS法規(guī)的浸沒式冷卻液,為硅光模塊等場景提供環(huán)保、安全的散熱選擇。這些技術(shù)共同構(gòu)建了靈活、高效的散熱生態(tài)。


創(chuàng)新散熱技術(shù)亮相慕展,助力AI芯片突破700W+散熱瓶頸

在世強硬創(chuàng)平臺上搜索小型化/輕量化散熱方案


綜合服務(wù)賦能AI產(chǎn)業(yè)


作為材料綜合解決方案平臺,世強硬創(chuàng)提供從熱設(shè)計、材料定制到加工測試的全鏈條服務(wù)。此外,其在膠粘劑、防水防塵、吸波屏蔽及隔熱絕緣領(lǐng)域的創(chuàng)新方案同樣亮眼,例如龍鱗50nm防水涂層、瓦克及德聚的密封膠、ITW導(dǎo)熱絕緣片及鍍金導(dǎo)電泡棉,滿足AI設(shè)備多樣化需求。


通過創(chuàng)新材料與技術(shù)的深度融合,世強硬創(chuàng)的熱管理解決方案為高算力芯片的可靠運行保駕護航。作為領(lǐng)先的電子行業(yè)研發(fā)服務(wù)平臺,世強硬創(chuàng)正以技術(shù)突破引領(lǐng)行業(yè),助力AI生態(tài)邁向新高度。



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