2月25日消息，近日，韓媒ZDNet Korea報(bào)道稱，三星將使用長江存儲專利技術(shù)，系歷史首次。

據(jù)悉，近期三星電子已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”(Hybrid Bonding)技術(shù)的專利許可協(xié)議，以便從其第10代(V10)NAND Flash產(chǎn)品(430層)開始使用該專利技術(shù)來進(jìn)行制造。

報(bào)道稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權(quán)，主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術(shù)方面處于全球領(lǐng)先地位。

三星經(jīng)過評估認(rèn)為，從下一代V10 NAND開始，其已經(jīng)無法再避免長江存儲專利的影響。

對于3D NAND廠商來說，要想發(fā)展400層以上的NAND堆疊，混合鍵合技術(shù)已經(jīng)成為了一項(xiàng)核心技術(shù)。

對于長江存儲來說，此次向三星這樣的頭部存儲技術(shù)大廠提供專利許可，屬于是中國存儲產(chǎn)業(yè)歷史上的首次，充分凸顯了長江存儲在3D NAND領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力。

在得到了三星的認(rèn)可之后，SK海力士等3D NAND廠商后續(xù)可能也將會尋求向長江存儲獲取“混合鍵合”專利許可授權(quán)。

值得一提是，根據(jù)韓國科學(xué)技術(shù)評估與規(guī)劃研究院 (KISTEP)于2月23日發(fā)布的“三個(gè)改變游戲規(guī)則領(lǐng)域的技術(shù)水平深度分析”簡報(bào)，39名國內(nèi)半導(dǎo)體專家進(jìn)行的調(diào)查顯示，中國在除先進(jìn)封裝以外的所有半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的基本能力都超過了韓國。

目前，中國在各個(gè)領(lǐng)域的基本能力方面都優(yōu)于韓國，包括高性能和低功耗AI半導(dǎo)體，韓國得分為84.1%，中國為88.3%;功率半導(dǎo)體，韓國為67.5%，中國為79.8%;以及下一代高性能傳感技術(shù)，韓國為81.3%，中國為83.9%。

只有在先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)方面，韓國和中國并列為74.2%。

一項(xiàng)評估半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)生命周期的綜合調(diào)查還發(fā)現(xiàn)，韓國僅在加工和大規(guī)模生產(chǎn)方面處于領(lǐng)先地位，而中國在基礎(chǔ)和核心技術(shù)以及設(shè)計(jì)方面占據(jù)優(yōu)勢。