1月5日消息，據韓國朝鮮日報報導，三星DS部門存儲業(yè)務部最近完成了HBM4內存的邏輯芯片設計。Foundry業(yè)務部方面也已經根據該設計，采用4nm試產。 待完成邏輯芯片最終性能驗證后，三星將提供HBM4樣品驗證。

邏輯芯片即Logic die(又名Base die)，對HBM堆疊發(fā)揮大腦作用，負責控制上方多層DRAM芯片。

報導引用韓國市場人士說法，運行時發(fā)熱是HBM的最大敵人，而在堆棧整體中邏輯芯片更是發(fā)熱大戶，采先進制程有助改善HBM4能效與性能表現。

除自家4nm制造邏輯芯片外，HBM4還導入10nm制程生產DRAM。

HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器，主要應用于高性能計算(HPC)、人工智能(AI)和圖形處理(GPU)等領域。

HBM的優(yōu)點在于打破了內存帶寬及功耗瓶頸。其核心優(yōu)勢在于采用了3D堆疊技術，將多個DRAM芯片垂直堆疊在一起，通過硅通孔(TSV)技術實現芯片間的高速信號傳輸，大大縮短了數據傳輸的距離和延遲，從而能夠以極高的帶寬為處理器提供數據支持。

HBM特性尤其適合搭配GPU進行密集數據的處理運算。英偉達新一代AI芯片，均搭載HBM內存。

HBM產品問世至今，HBM技術已經發(fā)展至第六代，分別為HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，HBM3e(HBM3的擴展版本)以及HBM4。

HBM1作為最早的版本，帶來了128GB/s的帶寬，開啟了高帶寬內存的應用。隨后，HBM2、HBM3等相繼問世，每一代都在帶寬、容量和能效等關鍵指標上實現了顯著突破。

從業(yè)界數據來看，HBM4標準支持2048位接口和6.4GT/s的數據傳輸速率。相比HBM3E，HBM4的單個堆棧帶寬已達到1.6TB/s，極大地提升了內存系統(tǒng)的數據吞吐能力，能夠更高效地滿足人工智能、深度學習、大數據處理和高性能計算等領域對內存性能日益苛刻的需求。

HBM供應商在各代產品中往往會推出不同堆棧層數的產品，如HBM3e的8hi(8層)及12hi(12層)，而HBM4世代則規(guī)劃了12hi及16hi。

去年11月，三星電子存儲部門執(zhí)行副總裁Jaejune Kim在第三季度財報公布后召開的電話會議上表示，今年三季度HBM總銷售額環(huán)比增長超過70%，HBM3E 8層和12層堆疊產品均已量產并開始銷售，HBM3E的銷售占比已上升至HBM總銷售額的10%左右，預計第四季度HBM3E將占HBM銷售額的50%左右。

三星的HBM4開發(fā)工作正在按計劃進行，目標是在2025年下半年開始量產。