在這篇文章中，小編將對IGBT的相關內容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內容吧。

一、IGBT驅動電路

脈沖變壓器驅動電路

說明：V1～V4組成脈沖變壓器一次側驅動電路，通過控制V1、V4和V2、V3的輪流導通，將驅動脈沖加至變壓器的一次側，二次側通過電阻R1與IGBT5柵極相連，R1、R2防止IGBT5柵極開路并提供充放電回路，R1上并聯的二極管為加速二極管，用以提高IGBT5的開關速度，穩(wěn)壓二極管VS1、VS2的作用是限制加在IGBT5g-e端的電壓，避免過高的柵射電壓擊穿柵極。柵射電壓一般不應超過20V。

光耦驅動電路

說明：由于IGBT是高速器件，所選用的光耦必須是小延時的高速型光耦，由PWM控制器輸出的方波信號加在三極管V1的基極，V1驅動光耦將脈沖傳遞至整形放大電路IC1，經IC1放大后驅動由V2、V3組成的對管（V2、V3應選擇β》100的開關管）。對管的輸出經電阻R1驅動IGBT4，R3為柵射結保護電阻，R2與穩(wěn)壓管VS1構成負偏壓產生電路，VS1通常選用1W/5.1V的穩(wěn)壓管。此電路的特點是只用1組供電就能輸出正負驅動脈沖，使電路比較簡潔。

IGBT模塊驅動典型電路

說明：應用成品驅動模塊電路來驅動IGBT，具備過流軟關斷、高速光耦隔離、欠壓鎖定、故障信號輸出等功能。由于這類模塊具有保護功能完善、免調試、可靠性高的優(yōu)點，所以應用這類模塊驅動IGBT可以縮短產品開發(fā)周期，提高產品可靠性。

二、IGBT參數設計

（1） 靜態(tài)參數設計

擊穿電壓VCES ： 通過終端結構仿真和材料仿真，可以滿足項目電壓要求并留有100V的余量，擊穿電壓過大，飽和壓降增大。

連續(xù)漏極電流 IC ： 在相同的技術條件下，Ic主要由芯片面積決定，可以通過仿真設計芯片面積，優(yōu)化出性價比最高的芯片尺寸。

閾值電壓VGEth ： 通過優(yōu)化設計P阱濃度和柵氧化層厚度，可以滿足目標要求。

集電極發(fā)射極飽和壓降VCEsat ： 通過場阻斷結構，控制背面陽極的雜質濃度，可以滿足目標要求。

（2）動態(tài)參數設計

上升延遲時間和上升時間： 通過設計柵氧化層厚度和多晶硅面積、P阱雜質濃度調整輸入電容，獲得最佳的開通時間，同時兼顧靜態(tài)參數滿足要求。上升時間不宜過小，上升時間太小柵極容易引起震蕩。

下降延遲時間和下降時間： 關斷時間主要取決于體內電荷的少子壽命，通過調整場阻斷層的厚度和濃度以及陽極硼注入濃度來獲得最佳的關斷時間，避免出現嚴重振蕩，平衡好與飽和壓降的矛盾。

（3）可靠性參數設計

雪崩耐量UIS ： 雪崩耐量是指器件在擊穿狀態(tài)下承受大電流的能力。雪崩耐量設計需要針對不同應用領域單獨設計，它會影響靜態(tài)參數尤其是飽和壓降。由于應用環(huán)境惡劣，這個參數最好設計高一些。

抗短路時間tSC ： 行業(yè)通用指標是大于10us。

以上所有內容便是小編此次為大家?guī)淼挠嘘PIGBT的所有介紹，如果你想了解更多有關它的內容，不妨在我們網站或者百度、google進行探索哦。