MOSFET將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對MOSFET自開通的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。

一、MOSFET自開通指的是什么

MOSFET自開通是指在MOSFET的開通過程中，?不需要外部驅(qū)動電路提供額外的電壓或電流，?MOSFET自身就能夠?qū)崿F(xiàn)開通狀態(tài)。?這種情況通常發(fā)生在MOSFET的開關(guān)周期中，?當(dāng)其內(nèi)部的寄生二極管或并聯(lián)的肖特基二極管先導(dǎo)通，?隨后MOSFET本身才導(dǎo)通，?實現(xiàn)了0電壓導(dǎo)通（?ZVS）?，?即零電壓開關(guān)。?這種自開通的特性使得MOSFET在開通時的開關(guān)損耗非常小，?幾乎可以忽略不計，?因此，?在設(shè)計和選擇MOSFET時，?主要需要考慮的是其導(dǎo)通電阻（?RDS(ON)）?所產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，?而不需要過多考慮電容值（?Crss）?。?此外，?為了實現(xiàn)MOSFET在整個開關(guān)周期都工作于ZVS狀態(tài)，?需要利用外部條件和電路特性，?確保其在開通和關(guān)斷過程中都能實現(xiàn)理想的開關(guān)條件，?從而最大限度地減少開關(guān)損耗，?提高能源利用效率。?

二、如何防止MOSFET自開通

有三種方法可以防止出現(xiàn)自開通現(xiàn)象：

（1）、在柵極和源極之間添加一個電容器

在柵極和源極之間插入的電容器會吸收因dv/dt 產(chǎn)生的漏柵電流。該電路如圖4.10中所示。由于柵源電容器與Cgs在MOSFET內(nèi)部并聯(lián)連接，因此柵極電荷會增加。如果柵極電壓固定，您可以通過改變柵極電阻器值來保持MOSFET的開關(guān)速度不變，但這樣會增大消耗的驅(qū)動功率。

（2）米勒箝位電路

米勒箝位電路利用開關(guān)器件使MOSFET的柵極與源極之間的通路發(fā)生短路。通過在相關(guān)MOSFET的柵極和源極之間添加另一個MOSFET來實現(xiàn)短路。在圖4.11中，如果電壓降至預(yù)定義電壓以下，低于米勒電壓，則通過比較器提供邏輯高，開通柵極和源極之間的 MOSFET。而這樣又會使輸出MOSFET的柵源通路發(fā)生短路，并抑制通過反饋電容器 Crss 和柵極電阻器的電流導(dǎo)致的柵極電壓升高。

（3）可將關(guān)斷柵極電壓驅(qū)動到負(fù)值，避免其超過 Vth。但這種方法需要負(fù)電源。

我們使用圖4.12中所示的電路模擬自開通現(xiàn)象。自開通由iDG（dv/dt 電流）和柵極電阻造成，會導(dǎo)致發(fā)生誤開通。

在反向恢復(fù)模式中，如果Q2在電感負(fù)載電流通過Q1的二極管回流時開通，電感電流會流過Q2，導(dǎo)致相關(guān)的二極管關(guān)斷。我們研究了對關(guān)斷狀態(tài)的 MOSFET 施加高 dv／dt 電壓時會發(fā)生的情況。為促使發(fā)生自開通現(xiàn)象，圖 4.12 中只改變了與 Q1 相關(guān)的柵極電阻器 R4。

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