問題一:我們小功率用到最多的反激電源，為什么我們常常選擇65K或者100K(這些頻率段附近)作為開關(guān)頻率?有哪些原因制約了?或者哪些情況下我們可以增大開關(guān)頻率?或者減小開關(guān)頻率?

開關(guān)電源為什么常常選擇65K或者100K左右范圍作為開關(guān)頻率，有的人會說IC廠家都是生產(chǎn)這樣的IC，當(dāng)然這也有原因。每個電源的開關(guān)頻率會決定什么?

應(yīng)該從這里去思考原因。還會有人說頻率高了EMC不好過，一般來說是這樣，但這不是必然，EMC與頻率有關(guān)系，但不是必然。想象我們的電源開關(guān)頻率提高了，直接帶來的影響是什么?當(dāng)然是MOS開關(guān)損耗增大，因?yàn)閱挝粫r間開關(guān)次數(shù)增多了。

如果頻率減小了會帶來什么?開關(guān)損耗是減小了，但是我們的儲能器件單周期提供的能量就要增多，勢必需要的變壓器磁性要更大，儲能電感要更大了。選取在65K到100K左右就是一個比較合適的經(jīng)驗(yàn)折中，電源就是在折中合理化折中進(jìn)行。

假如在特殊情形下，輸入電壓比較低，開關(guān)損耗已經(jīng)很小了，不在乎這點(diǎn)開關(guān)損耗嗎，那我們就可以提高開關(guān)頻率，起到減小磁性器件體積的目的。

如何選擇合適IC的開關(guān)頻率?主流IC的開關(guān)頻率為什么是大概是這么一些范圍?開關(guān)頻率和什么有關(guān)，說的是普遍情況，不是想鉆牛角尖好多IC還有什么不同的頻率。更多的想發(fā)散大家思維去注意到這些問題!

我這里想說的普遍情況，主要想提的是開關(guān)頻率和什么有關(guān)，如何去選擇合適開關(guān)頻率，為什么主流IC以及開關(guān)頻率是這么多，注意不是一定，是普遍情況，讓新手區(qū)理解一般行為，當(dāng)然開關(guān)電源想怎么做都可以，要能合理使用。

1、你是如何知道一般選擇65或者100KHZ,作為開關(guān)電源的開關(guān)頻率的?(調(diào)研普遍的大廠家主流IC，這二個會比較多，當(dāng)然也有一些在這附近，還有一些是可調(diào)的開關(guān)頻率)

2、又是如何在工作中發(fā)現(xiàn)開關(guān)電源開關(guān)頻率確實(shí)工作在65KHZ,或100KHZ的。(從設(shè)計角度考量，普遍電源使用這個范圍)

3、有兩張以上的測試65KHZ100KHZ頻率的圖片說明嗎?(何止二張圖片，毫無意義)

4、你是否知道開關(guān)電源可以工作在1.5HZ.(你覺得這樣談有必要，工作沒有什么不可以，純熟鉆牛角尖，做技術(shù)切記鉆牛角尖，那你能談?wù)劄槭裁雌毡殡娫床还ぷ髟?.5HZ，說這個才有意義，你做出1.5HZ的電源純屬毫無意義的事情)

提醒：做技術(shù)人員切記鉆牛角尖，咱們不是校園研究派，是需要將理論與實(shí)踐現(xiàn)結(jié)合起來，做出來的產(chǎn)品才是有意義的產(chǎn)品!

問題二：LLC中為什么我們常在二區(qū)設(shè)計開關(guān)頻率?一區(qū)和三區(qū)為什么不可以?有哪些因素制約呢?或者如果選取一區(qū)和三區(qū)作為開關(guān)頻率會有什么后果呢?

LLC的原理是利用感性負(fù)載隨開關(guān)頻率的增大而感抗增大，來進(jìn)行調(diào)節(jié)輸出電壓的，也就是PFM調(diào)制。并且MOS管開通損耗ZVS比ZCS小，一區(qū)是容性負(fù)載區(qū)，自然不可取。那么三區(qū)，開關(guān)頻率大于諧振頻率，這個仍是感性負(fù)載區(qū)，按道理MOS實(shí)現(xiàn)ZVS沒有問題，確實(shí)如此。但是我們不能忽略副邊的輸出二極管關(guān)斷。也就是原邊MOS管關(guān)斷時，諧振電流并沒有減小到和勵磁電流相等，實(shí)現(xiàn)副邊整流二極管軟關(guān)斷。這也是我們通常也不選擇三區(qū)的原因。

我們不能只按前人的經(jīng)驗(yàn)去設(shè)計，而要知道只所以這樣設(shè)計是有其必然的道理的!

問題三：當(dāng)我們反激的占空比大于50%會帶來什么?好的方面有哪些?不好的方面有哪些?

反激的占空比大于50%意味著什么，占空比影響哪些因素?第一:占空比設(shè)計過大，首先帶來的是匝比增大，主MOS管的應(yīng)力必然提高。一般反激選取600V或650V以下的MOS管，成本考慮。占空比過大勢必承受不起。

第二點(diǎn)：很重要的是很多人知道，需要斜坡補(bǔ)償，否則環(huán)路震蕩。不過這也是有條件的，右平面零點(diǎn)的產(chǎn)生需要工作在CCM模式下，如果設(shè)計在DCM模式下也就不存在這一問題了。這也是小功率為什么設(shè)計在DCM模式下的其中一個原因。當(dāng)然我們設(shè)計足夠好的環(huán)路補(bǔ)償也能克服這一問題。

當(dāng)然在特殊情形下也需要將占空比設(shè)計在大于50%，單位周期內(nèi)傳遞的能量增加，可以減小開關(guān)頻率，達(dá)到提升效率的目的，如果反激為了效率做高，可以考慮這一方法。

問題四：反激電源如果要做到一定的效率，需要從哪些方面著手?準(zhǔn)諧振?同步整流?

反激的一大劣勢就是效率問題，改善效率有哪些途徑可以思考的呢?減小損耗是必然的，損耗的點(diǎn)有開關(guān)管，變壓器，輸出整流管，這是主要的三個部分。

開關(guān)管我們知道反激主要是PWM調(diào)制的硬開關(guān)居多，開關(guān)損耗是我們的一大難點(diǎn)，好在軟開關(guān)的出現(xiàn)看到了希望。反激無法向LLC那樣做到全諧振，那只能朝準(zhǔn)諧振去發(fā)展(部分時間段諧振)，這樣的IC也有很多問世，我司用的較多是NCP1207，通過在MOS管關(guān)斷后，下一次開通前1腳檢測VCC電壓過零后，然后在一個設(shè)定時間后開通下一周期。

變壓器的損耗如何做到最小，完美使用的變壓器后面問題會涉及到。

同步整流一般在輸出大電流情況下，副邊整流流二極管，哪怕用肖特基損耗依然會很大，這時候采用同步整流MOS替代肖特基二極管。有些人會說這樣成本高不如用LLC，或者正激呢，當(dāng)然沒有最好的，只有更合適的。

問題五：電源的傳導(dǎo)是怎么形成的?傳導(dǎo)的途徑有哪些?常用的手段?電源的輻射受哪些東西影響?怎么做大功率的EMC。

電源傳導(dǎo)測量方式是通過接收輸入端口L,N,PE來自電源內(nèi)部的高頻干擾(一般150K到30M)。

解決傳導(dǎo)必須弄清楚通過哪些途徑減弱端口接收到的干擾。

如圖：一般有二種模式：L,N差模成分，以及通過PE地回路的共模成分。有些頻率是差共模均有。

通過濾波的方式：一般采用二級共模搭配Y電容來濾去，選擇的方式技巧也很重要，布板影響也很大。一般靠近端口放置低U電感，最好是鎳鋅材質(zhì)，專門針對高頻，繞線方式采用雙線并繞，減少差模成分。后級一般放置感量較大，在4MH到10MH附近，只是經(jīng)驗(yàn)值，具體需要與Y電容搭配。X電容濾差模也需要靠近端口，一般放在二級共模中間。放置Y電容，電容布板時走線需要加粗，不可外掛，否則效果很差。(這些只是輸入濾波網(wǎng)絡(luò)上做文章)

當(dāng)然也可以從源頭上下手，傳導(dǎo)是輻射耦合到線路中的結(jié)果，減弱了開關(guān)輻射也能對傳導(dǎo)帶來好處。影響輻射的幾處一般有MOS管開通速度，整流管導(dǎo)通關(guān)斷，變壓器，以及PFC電感等等。這些電路上的設(shè)計需要與其他方面折中不做詳述。

一些經(jīng)驗(yàn)技巧：針對大功率的EMC一般需要增加屏蔽，立竿見影，屏蔽的部位一般有幾處選擇：

第一：輸入EMI電路與開關(guān)管間屏蔽，這對EMC有很大的作用，很多靠濾波器無效的采用該方法一般很有效果。

第二：變壓器初次級屏蔽，一般設(shè)計變壓器若有空間最好加上屏蔽。

第三：散熱器的位置能很好充當(dāng)屏蔽，合理布板利用，散熱器接地選擇也很重要。

第四：判斷輻射源頭位置，一般有幾個簡單的方法，不一定完全準(zhǔn)確，可以參考，輸入線套磁環(huán)若對EMC有好處，一般是原邊MOS管，輸出線套磁環(huán)若對EMC有效果，一般是副邊輸出整流管，尤其是大于100M的高頻?？梢钥紤]在輸出加電容或者共模電感。

當(dāng)然還有很多其他的細(xì)節(jié)技巧，尤其是布板環(huán)路方面的，后面對LAYOUT會單獨(dú)講解。