www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

當(dāng)前位置:首頁(yè) > 技術(shù)學(xué)院 > TrendForce集邦咨詢(xún)
[導(dǎo)讀]Jul. 22, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告,受惠于位元需求成長(zhǎng)、供需結(jié)構(gòu)改善拉升價(jià)格,加上HBM(高帶寬內(nèi)存)等高附加價(jià)值產(chǎn)品崛起,預(yù)估DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash(閃存)產(chǎn)業(yè)2024年?duì)I收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將持續(xù)維持成長(zhǎng),DRAM年增約51%、NAND Flash年增長(zhǎng)則來(lái)到29%,營(yíng)收將創(chuàng)歷史新高,并且推動(dòng)資本支出回溫、帶動(dòng)上游原料需求,只是存儲(chǔ)器買(mǎi)方成本壓力將隨之上升。

Jul. 22, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告,受惠于位元需求成長(zhǎng)、供需結(jié)構(gòu)改善拉升價(jià)格,加上HBM(高帶寬內(nèi)存)等高附加價(jià)值產(chǎn)品崛起,預(yù)估DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash(閃存)產(chǎn)業(yè)2024年?duì)I收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將持續(xù)維持成長(zhǎng),DRAM年增約51%、NAND Flash年增長(zhǎng)則來(lái)到29%,營(yíng)收將創(chuàng)歷史新高,并且推動(dòng)資本支出回溫、帶動(dòng)上游原料需求,只是存儲(chǔ)器買(mǎi)方成本壓力將隨之上升。

HBM興起推升DRAM營(yíng)收

TrendForce集邦咨詢(xún)估計(jì),預(yù)估受惠于DRAM均價(jià)在2024年增加53%、2025年增加35%的條件下,進(jìn)一步推升2024年DRAM營(yíng)收達(dá)907億美元、年增75%,2025年達(dá)1,365億美元、年增51%。

TrendForce集邦咨詢(xún)表示,4項(xiàng)驅(qū)動(dòng)DRAM營(yíng)收的因素包括HBM崛起、一般型DRAM產(chǎn)品世代演進(jìn)、原廠(chǎng)資本支出限縮供給和服務(wù)器需求復(fù)蘇。相較一般型DRAM,HBM除拉升位元需求,也拉高產(chǎn)業(yè)平均價(jià)格。預(yù)估2024年HBM將貢獻(xiàn)DRAM位元出貨量5%、營(yíng)收20%。

此外,DDR5和LPDDR5/5X等高附加價(jià)值產(chǎn)品的滲透同樣有助提高平均價(jià)格。TrendForce集邦咨詢(xún)估計(jì),DDR5將分別貢獻(xiàn)2024、2025年Server DRAM位元出貨量40%、60-65%,LPDDR5/5X會(huì)貢獻(xiàn)2024、2025年Mobile DRAM(行動(dòng)式內(nèi)存)位元出貨量50%和60%。

QLC大容量Enterprise SSD、UFS助益2025年NAND Flash營(yíng)收創(chuàng)紀(jì)錄

TrendForce集邦咨詢(xún)估計(jì),2024年NAND Flash營(yíng)收將達(dá)674億美元、年增77%;2025年在大容量QLC(四層式存儲(chǔ)單元) Enterprise SSD(企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán))崛起、智能手機(jī)采用QLC UFS(通用閃存存儲(chǔ))、原廠(chǎng)資本支出限縮供給和服務(wù)器需求復(fù)蘇等4項(xiàng)因素帶動(dòng)下,NAND Flash營(yíng)收將達(dá)870億美元、年增29%。北美CSPs(云端服務(wù)業(yè)者)已開(kāi)始在Inference AI Server(推理用人工智能服務(wù)器)大量采用QLC Enterprise SSD,尤其是大容量規(guī)格。TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)估,QLC將貢獻(xiàn)2024年NAND Flash位元出貨量20%,此比重2025年將再提升。在智能手機(jī)應(yīng)用,QLC預(yù)計(jì)逐步滲透UFS市場(chǎng),部分中國(guó)智能手機(jī)業(yè)者預(yù)計(jì)于2024年第四季起采用QLC UFS方案,Apple(蘋(píng)果)則預(yù)計(jì)2026年開(kāi)始導(dǎo)入至iPhone。

DRAM、NAND Flash營(yíng)收攀高將影響產(chǎn)業(yè)生態(tài)

TrendForce集邦咨詢(xún)表示,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)營(yíng)收創(chuàng)紀(jì)錄下,原廠(chǎng)將有足夠現(xiàn)金流加速投資。預(yù)估2025年DRAM、NAND Flash產(chǎn)業(yè)資本支出分別年增25%、10%,且有機(jī)會(huì)上修。此外,存儲(chǔ)器生產(chǎn)規(guī)模提升將帶動(dòng)對(duì)硅晶圓、化學(xué)品等上游原料需求,但相反的,存儲(chǔ)器價(jià)格上漲將增加電子產(chǎn)品成本,ODM/OEM(原始設(shè)計(jì)制造商/原始設(shè)備制造商)業(yè)者較難完全將成本反映在零售價(jià)上,利潤(rùn)將被壓縮,終端銷(xiāo)量也可能受到影響,導(dǎo)致需求下滑。

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀(guān)點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專(zhuān)欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

July 16, 2025 ---- TrendForce集邦咨詢(xún)表示,美國(guó)有望允許NVIDIA(英偉達(dá))恢復(fù)對(duì)中國(guó)市場(chǎng)銷(xiāo)售H20 GPU,政策轉(zhuǎn)折將有助帶動(dòng)當(dāng)?shù)谹I與云端業(yè)者的需求回補(bǔ),預(yù)期H20將重新成為該市場(chǎng)高端A...

關(guān)鍵字: AI芯片 英偉達(dá) HBM

June 24, 2025 ---- 近期市場(chǎng)對(duì)于NVIDIA RTX PRO 6000系列產(chǎn)品的討論聲量高,預(yù)期在需求支撐下,整體出貨將有不俗表現(xiàn)。然而,TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷認(rèn)為,該系列產(chǎn)品受...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 供應(yīng)鏈 邊緣AI

在人工智能訓(xùn)練、實(shí)時(shí)圖形渲染與科學(xué)計(jì)算領(lǐng)域,存儲(chǔ)器帶寬已成為制約系統(tǒng)性能的核心瓶頸。HBM3與GDDR7作為當(dāng)前顯存技術(shù)的兩大巔峰之作,分別通過(guò)三維堆疊與信號(hào)調(diào)制技術(shù)的突破,為不同應(yīng)用場(chǎng)景提供了差異化解決方案。本文從架構(gòu)...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 HBM3

傳統(tǒng)存儲(chǔ)器技術(shù)逼近物理極限,鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FeFET)憑借其獨(dú)特的極化翻轉(zhuǎn)機(jī)制與非易失性邏輯特性,成為突破馮·諾依曼架構(gòu)瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。FeFET通過(guò)將鐵電材料集成至晶體管柵極,實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)與邏輯功能的深度融合,其物理...

關(guān)鍵字: FeFET 存儲(chǔ)器

數(shù)字化轉(zhuǎn)型與人工智能技術(shù)驅(qū)動(dòng),數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)架構(gòu)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)磁盤(pán)陣列向全閃存與新型內(nèi)存技術(shù)的深度變革。全閃存陣列(AFA)憑借亞毫秒級(jí)延遲與高IOPS性能重塑存儲(chǔ)性能基準(zhǔn),而持久化內(nèi)存(PMEM)則通過(guò)填補(bǔ)DRAM與SSD...

關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)中心 存儲(chǔ)器

AI算力與數(shù)據(jù)中心規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張,存儲(chǔ)器糾錯(cuò)碼(ECC)技術(shù)已成為保障數(shù)據(jù)完整性的核心防線(xiàn)。從硬件加速架構(gòu)到算法優(yōu)化,ECC技術(shù)正通過(guò)多維度創(chuàng)新,將內(nèi)存錯(cuò)誤率降低至每萬(wàn)億小時(shí)1次以下,為關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)提供接近零故障的可靠性保...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 ECC

存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈安全已成為國(guó)家戰(zhàn)略的核心命題,從晶圓代工到封裝測(cè)試,中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)正通過(guò)關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)突破與生態(tài)重構(gòu),走出一條從“受制于人”到“自主可控”的替代之路。這條路徑不僅關(guān)乎產(chǎn)業(yè)安全,更承載著數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的技術(shù)主權(quán)。

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 國(guó)產(chǎn)化替

AI算力需求爆炸式增長(zhǎng),存儲(chǔ)器封裝技術(shù)正經(jīng)歷從2.5D到3D異構(gòu)集成的范式變革。這種變革不僅重構(gòu)了芯片間的物理連接方式,更對(duì)散熱設(shè)計(jì)與信號(hào)完整性提出了全新挑戰(zhàn)。本文從封裝架構(gòu)演進(jìn)、散熱機(jī)制創(chuàng)新與信號(hào)完整性保障三個(gè)維度,解...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 散熱

數(shù)據(jù)成為核心生產(chǎn)要素的時(shí)代,存儲(chǔ)器安全技術(shù)已成為保障數(shù)字資產(chǎn)隱私與完整性的關(guān)鍵防線(xiàn)。從早期基于硬件的加密引擎到現(xiàn)代可信執(zhí)行環(huán)境(TEE)的生態(tài)構(gòu)建,存儲(chǔ)器安全技術(shù)經(jīng)歷了從單一防護(hù)到體系化協(xié)同的演進(jìn)。本文從硬件加密引擎、存...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 TEE

June 3, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查,2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)下跌,加上HBM出貨規(guī)模收斂,DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元...

關(guān)鍵字: DRAM HBM 智能手機(jī)
關(guān)閉