英特爾搶先導(dǎo)入ASML的高數(shù)值孔徑極紫外光（High-NA EUV）設(shè)備，為外界視為是英特爾重返技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位的關(guān)鍵作為。產(chǎn)業(yè)專家表示，High-NA EUV成本居高不下，英特爾搶用High-NA EUV恐面臨虧損擴(kuò)大窘境。

臺(tái)積電年度技術(shù)論壇陸續(xù)于美國(guó)及歐洲舉行，臺(tái)積電預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)A16技術(shù)，將結(jié)合納米片晶體管及超級(jí)電軌架構(gòu)，為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。

當(dāng)英特爾搶訂High-NA EUV設(shè)備，消息人士稱，ASML今年預(yù)計(jì)制造5臺(tái)High-NA EUV設(shè)備，已全數(shù)由英特爾包下。臺(tái)積電決定A16制程將持續(xù)采用既有EUV設(shè)備，不打算使用High-NA EUV設(shè)備，受到各界矚目，并引發(fā)熱烈討論。

英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）認(rèn)為先前反對(duì)使用ASML的EUV設(shè)備是錯(cuò)誤決策，拖累晶圓代工事業(yè)欠缺獲利能力。他指出，在采用EUV設(shè)備后，英特爾在價(jià)格、性能方面都很有競(jìng)爭(zhēng)力。外界關(guān)注英特爾搶先導(dǎo)入High-NA EUV設(shè)備，能否有助其重返技術(shù)領(lǐng)先地位。

專家表示，臺(tái)積電會(huì)決定A16制程不采用High-NA EUV設(shè)備，應(yīng)是經(jīng)過(guò)綜合評(píng)估的決策。

專家表示，臺(tái)積電應(yīng)明確知道High-NA EUV設(shè)備帶來(lái)的好處，不過(guò)，在成本居高不下的情況下，通過(guò)其他方式，以滿足客戶的綜合需求。

據(jù)ASML指出，High-NA EUV設(shè)備將數(shù)值孔徑從0.33增至0.55，更具高分辨率圖像化能力，能夠提高精準(zhǔn)度，成像更清晰，有助簡(jiǎn)化制造流程，減少生產(chǎn)時(shí)間，提升生產(chǎn)效率。

臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總經(jīng)理暨副共同首席運(yùn)營(yíng)官?gòu)垥詮?qiáng)日前于歐洲技術(shù)論壇說(shuō)，他喜歡High-NA EUV設(shè)備的性能，但不喜歡它的價(jià)格，成本非常高。

ASML每套EUV設(shè)備價(jià)格約1.8億美元，High-NA EUV設(shè)備報(bào)價(jià)高達(dá)3.8億美元，較EUV高出1倍以上，約122億元新臺(tái)幣。

專家表示，半導(dǎo)體先進(jìn)封裝重要性日益提高，將扮演關(guān)鍵配套角色，英特爾爭(zhēng)搶High-NA EUV設(shè)備，是“選錯(cuò)戰(zhàn)場(chǎng)、武器”，因?yàn)?/span>High-NA EUV設(shè)備不是未來(lái)左右輸贏的唯一關(guān)鍵。

專家說(shuō)，臺(tái)積電為全球晶圓代工龍頭，客戶多、生態(tài)系完整，且資金充裕，客戶若有需求且愿意支付更高價(jià)格，臺(tái)積電勢(shì)必會(huì)采用High-NA EUV設(shè)備。

專家表示，臺(tái)積電采用High-NA EUV設(shè)備持審慎態(tài)度，應(yīng)已綜合考量必要性，英特爾若大舉采購(gòu)High-NA EUV設(shè)備，未來(lái)產(chǎn)能利用率值得觀察，預(yù)期不排除可能面臨虧損擴(kuò)大的窘境。

（科技新報(bào)）