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[導(dǎo)讀]在下述的內(nèi)容中,小編將會(huì)對(duì)三極管的相關(guān)消息予以報(bào)道,如果三極管是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

在下述的內(nèi)容中,小編將會(huì)對(duì)三極管的相關(guān)消息予以報(bào)道,如果三極管是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、8050三極管參數(shù)

三極管8050是非常常見的NPN型晶體三極管,在各種放大電路中經(jīng)??吹剿?主要由硅制成,應(yīng)用范圍很廣,主要用于高頻放大。也可用作開關(guān)電路。一般由硅制成。三極管8050的技術(shù)參數(shù)包括:

類型:開關(guān)型;

極性:NPN;

材料:硅;

最大集電極電流(A):0.5 A;

直流電增益:10 to 60;

功耗:625 mW;

最大集電極-發(fā)射極電壓(VCEO):25;

特征頻率:當(dāng)f= fT時(shí),三極管完全失去電流放大功能。如果工作頻率大于fT,電路將不正常工作。

fT稱作增益帶寬積,即fT=βfo。若已知當(dāng)前三極管的工作頻率fo以及高頻電流放大倍數(shù),便可得出特征頻率fT。隨著工作頻率的升高,放大倍數(shù)會(huì)下降.fT也可以定義為β=1時(shí)的頻率.

電壓電流:用這個(gè)參數(shù)可以指定該管的電壓電流使用范圍。

hFE:電流放大倍數(shù)。

VCEO:集電極發(fā)射極反向擊穿電壓,表示臨界飽和時(shí)的飽和電壓。

PCM:最大允許耗散功率。

封裝形式:指定該管的外觀形狀,如果其它參數(shù)都正確,封裝不同將導(dǎo)致組件無(wú)法在電路板上實(shí)現(xiàn)。

二、三極管放大原理

1、發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子

電源Ub經(jīng)過電阻Rb加在發(fā)射結(jié)上,發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(自由電子)不斷地越過發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū),形成發(fā)射極電流Ie。同時(shí)基區(qū)多數(shù)載流子也向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散,但由于多數(shù)載流子濃度遠(yuǎn)低于發(fā)射區(qū)載流子濃度,可以不考慮這個(gè)電流,因此可以認(rèn)為發(fā)射結(jié)主要是電子流。

2、基區(qū)中電子的擴(kuò)散與復(fù)合

電子進(jìn)入基區(qū)后,先在靠近發(fā)射結(jié)的附近密集,漸漸形成電子濃度差,在濃度差的作用下,促使電子流在基區(qū)中向集電結(jié)擴(kuò)散,被集電結(jié)電場(chǎng)拉入集電區(qū)形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子(因?yàn)榛鶇^(qū)很薄)與基區(qū)的空穴復(fù)合,擴(kuò)散的電子流與復(fù)合電子流之比例決定了三極管的放大能力。

3、集電區(qū)收集電子

由于集電結(jié)外加反向電壓很大,這個(gè)反向電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)力將阻止集電區(qū)電子向基區(qū)擴(kuò)散,同時(shí)將擴(kuò)散到集電結(jié)附近的電子拉入集電區(qū)從而形成集電極主電流Icn。另外集電區(qū)的少數(shù)載流子(空穴)也會(huì)產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng),流向基區(qū)形成反向飽和電流,用Icbo來表示,其數(shù)值很小,但對(duì)溫度卻異常敏感。

三、三極管的三種工作狀態(tài)

1.三極管截止工作狀態(tài)

用來放大信號(hào)的三極管不應(yīng)工作在截止?fàn)顟B(tài),若輸入信號(hào)部分進(jìn)入三極管特性的截止區(qū),則輸出會(huì)產(chǎn)生非線性失真。

2.三極管放大工作狀態(tài)

在線性狀態(tài)下,給三極管輸入一個(gè)正弦信號(hào),則輸出的也是正弦信號(hào),此時(shí)輸出信號(hào)的幅度比輸入信號(hào)要大,說明三極管對(duì)輸入信號(hào)已有了放大作用,但是正弦信號(hào)的特性并未改變,所以沒有非線性失真。

3.三極管飽和工作狀態(tài)。

四、三極管結(jié)構(gòu)類型

晶體三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié),兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū),排列方式有PNP和NPN兩種。

從三個(gè)區(qū)引出相應(yīng)的電極,分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。

發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié),集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電結(jié)。基區(qū)很薄,而發(fā)射區(qū)較厚,雜質(zhì)濃度大,PNP型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是空穴,其移動(dòng)方向與電流方向一致,故發(fā)射極箭頭向里;NPN型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是自由電子,其移動(dòng)方向與電流方向相反,故發(fā)射極箭頭向外。發(fā)射極箭頭指向也是PN結(jié)在正向電壓下的導(dǎo)通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。

三極管的封裝形式和管腳識(shí)別

常用三極管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類,引腳的排列方式具有一定的規(guī)律,

底視圖位置放置,使三個(gè)引腳構(gòu)成等腰三角形的頂點(diǎn)上,從左向右依次為e b c;對(duì)于中小功率塑料三極管按圖使其平面朝向自己,三個(gè)引腳朝下放置,則從左到右依次為e b c。

國(guó)內(nèi)各種類型的晶體三極管有許多種,管腳的排列不盡相同,在使用中不確定管腳排列的三極管,必須進(jìn)行測(cè)量確定各管腳正確的位置,或查找晶體管使用手冊(cè),明確三極管的特性及相應(yīng)的技術(shù)參數(shù)和資料。

以上所有內(nèi)容便是小編此次為大家?guī)淼挠嘘P(guān)三極管的所有介紹,如果你想了解更多有關(guān)它的內(nèi)容,不妨在我們網(wǎng)站或者百度、google進(jìn)行探索哦。

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