據(jù)業(yè)內(nèi)信息，昨天中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司宣布，在針對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備大廠泛林集團(tuán)(Lam Research Corporation)提起的侵犯商業(yè)秘密案中贏得二審勝訴。

在 6 月 30 日上海市高級(jí)人民法院的終審判決中，法院命令泛林集團(tuán)銷(xiāo)毀其非法獲取的與中微公司等離子刻蝕機(jī)有關(guān)的一份技術(shù)文件和兩張照片;法院還禁止泛林集團(tuán)及泛林集團(tuán)的兩名個(gè)人被告披露、使用或允許他人使用中微公司的專(zhuān)有的技術(shù)秘密以及命令泛林集團(tuán)為其侵犯商業(yè)秘密向中微公司支付賠償金和法律費(fèi)用。

據(jù)悉，中微公司曾于 2010 年 12 月向上海市第一中級(jí)人民法院提起訴訟，主張泛林集團(tuán)侵犯中微公司的商業(yè)秘密。中微公司當(dāng)時(shí)主張泛林集團(tuán)在數(shù)年前非法獲取了中微公司機(jī)密的技術(shù)文件和機(jī)密的反應(yīng)腔內(nèi)部照片。

中微公司還主張泛林集團(tuán)安排其技術(shù)專(zhuān)家在證據(jù)保全時(shí)不恰當(dāng)?shù)夭炜春蜏y(cè)量中微刻蝕機(jī)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，然后使用獲取的信息于 2009 年 1 月向臺(tái)灣智慧財(cái)產(chǎn)法院起訴中微專(zhuān)利侵權(quán)，試圖影響中微產(chǎn)品進(jìn)入臺(tái)灣市場(chǎng)。

資料顯示，泛林集團(tuán)于 2009 年 1 月指控中微公司型號(hào)為 Primo D-RIE 的等離子蝕刻機(jī)侵害它的臺(tái)灣 TW136706“電漿反應(yīng)器中之多孔的電漿密封環(huán)”和 TW126873“于電漿處理室中大量消除未局限電漿之聚焦環(huán)配置”，還在臺(tái)灣發(fā)起了針對(duì)中微公司臺(tái)灣分公司及其關(guān)聯(lián)企業(yè)的侵權(quán)訴訟。

隨后，中微公司以事實(shí)回應(yīng)泛林的指控并指出泛林所提出的被侵權(quán)的根本就是無(wú)效的。2009年 6 月，泛林公司除了僅保留與 TW136706 相關(guān)的部分侵權(quán)主張外，撤回了它其他大多數(shù)的侵權(quán)主張。

臺(tái)灣智慧財(cái)產(chǎn)法院法官在聽(tīng)取雙方針對(duì)有效性問(wèn)題辯論后，基于不需要更進(jìn)一步的調(diào)查關(guān)于侵權(quán)的爭(zhēng)議點(diǎn)并于同年 9 月 8 日駁回了該案，最終認(rèn)定泛林集團(tuán)主張?jiān)獾角趾Φ氖菬o(wú)效的。該判決對(duì)中微半導(dǎo)體意義重大，并保證了中微公司能夠持續(xù)在臺(tái)灣市場(chǎng)布局和推廣其技術(shù)的產(chǎn)品。

中微公司董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官尹志堯博士表示：“中微公司極度重視自主創(chuàng)新和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)。我們?cè)谘邪l(fā)方面大量投入，致力于為我們的全球客戶(hù)帶來(lái)創(chuàng)新性的技術(shù)和解決方案。與此同時(shí)，我們?nèi)ΡＷo(hù)我們的專(zhuān)有技術(shù)與知識(shí)產(chǎn)權(quán)，我們不容忍侵犯公司商業(yè)秘密或其他不光彩的行為。本次終審的勝訴判決，再次凸顯了中微公司保護(hù)自身權(quán)益的決心，也展示了監(jiān)管部門(mén)對(duì)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)主體一視同仁的公正立場(chǎng)?！?

無(wú)獨(dú)有偶，2017 年 7 月 13 日中微公司于向福建省高級(jí)人民法院正式起訴維易科精密儀器國(guó)際貿(mào)易(上海)有限公司(Veeco 上海)專(zhuān)利侵權(quán)，申請(qǐng)對(duì) Veeco 上海發(fā)布永久禁令，要求禁售相關(guān)侵權(quán)的 MOCVD 設(shè)備以及在該設(shè)備中使用的基片托盤(pán)，并賠償中微經(jīng)濟(jì)損失 1 億元人民幣以上。

隨后，Veeco 上海向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專(zhuān)利復(fù)審委員會(huì)提交專(zhuān)利無(wú)效宣告請(qǐng)求，主張中微專(zhuān)利無(wú)效，還有一位自然人也對(duì)該涉案專(zhuān)利提起了無(wú)效宣告請(qǐng)求。專(zhuān)利復(fù)審委對(duì)此先后分別開(kāi)庭審理，并于同年 11 月 24 日駁回了兩個(gè)無(wú)效宣告請(qǐng)求，確認(rèn)中微專(zhuān)利有效。

2017 年 12 月 8 日，中國(guó)福建省高級(jí)人民法院同意了中微公司針對(duì) Veeco 上海禁令申請(qǐng)，該禁令立即生效執(zhí)行，不可上訴。

據(jù)中微半導(dǎo)體官網(wǎng)介紹，刻蝕是半導(dǎo)體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。在半導(dǎo)體器件的整個(gè)制造過(guò)程中，刻蝕步驟多達(dá)上百個(gè)，是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一。中微公司專(zhuān)注于研發(fā)干法刻蝕(等離子體刻蝕)設(shè)備，用于在晶圓上加工微觀結(jié)構(gòu)。干法刻蝕通過(guò)等離子釋放帶正電的離子來(lái)撞擊晶圓以去除(刻蝕)材料。根據(jù)所要去除材料和加工器件結(jié)構(gòu)的不同，可分為電介質(zhì)刻蝕、導(dǎo)體刻蝕和硅通孔刻蝕。新電子材料的集成和加工器件尺寸的不斷縮小為刻蝕設(shè)備帶來(lái)了新的技術(shù)挑戰(zhàn)，同時(shí)對(duì)性能的要求(刻蝕均勻性、穩(wěn)定性和可靠性)越來(lái)越高。中微公司憑借一系列刻蝕設(shè)備組合處于刻蝕創(chuàng)新技術(shù)的前沿，幫助芯片制造商加工10納米、7納米甚至5納米及更先進(jìn)的微觀結(jié)構(gòu)，具有成本優(yōu)勢(shì)。

中微公司自主研發(fā)生產(chǎn)的刻蝕設(shè)備已被眾多領(lǐng)先客戶(hù)的芯片生產(chǎn)線所采用，用于制造先進(jìn)的半導(dǎo)體器件，以推動(dòng)人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)和機(jī)器人技術(shù)的發(fā)展。這些半導(dǎo)體器件還能提供邏輯和存儲(chǔ)器，以應(yīng)用于消費(fèi)者電子產(chǎn)品、5G網(wǎng)絡(luò)、功能強(qiáng)大的服務(wù)器、自動(dòng)駕駛汽車(chē)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

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