據(jù)業(yè)內(nèi)信息，Intel高級(jí)副總裁兼中國(guó)區(qū)董事長(zhǎng)王瑞近日表示，目前已經(jīng)完成和IFS部門芯片制造所需的Intel 18A (1.8nm)和Intel 20A (2nm)制程工藝的開發(fā)并已經(jīng)流片，預(yù)計(jì)最早于2024年量產(chǎn)。

除此之外，Intel已經(jīng)確定了Intel 18A (1.8nm)和Intel 20A (2nm)的所有規(guī)格、材料、要求和性能目標(biāo)。Intel 20A (2nm)制造工藝將依賴于全門控環(huán)繞RibbonFET晶體管，并采用背面供電。

據(jù)悉，同時(shí)縮小金屬間距、引入全新的晶體管結(jié)構(gòu)和背面供電是具有較高風(fēng)險(xiǎn)的方案，但是如果成功的話將超越臺(tái)積電和三星半導(dǎo)體。

Intel 18A (1.8nm)制造工藝將進(jìn)一步完善Intel的RibbonFET和PowerVia技術(shù)，并縮小晶體管尺寸。該節(jié)點(diǎn)的開發(fā)進(jìn)展順利，Intel將其推出時(shí)間從2025年提前到了2024年下半年。

Pat·Gelsinger進(jìn)入Intel之后，就開啟了IDM 2.0戰(zhàn)略，力求打造代工業(yè)務(wù)并擴(kuò)大產(chǎn)能，使得近幾年發(fā)展迅速，從Intel 10制程開始，逐步有序進(jìn)入到Intel 7和Intel 4技術(shù)節(jié)點(diǎn)，然后就是 Intel 3、Intel 20A 和最新的Intel 18A制程。

據(jù)悉，Intel最初計(jì)劃在其Intel 18A (1.8nm)節(jié)點(diǎn)上使用ASML的Twinscan EXE掃描儀，數(shù)值孔徑(NA)光學(xué)為0.55，但由于決定盡早使用該技術(shù)，它將不得不廣泛使用現(xiàn)有的Twinscan NXE掃描儀，光學(xué)NA為0.33，以及EUV雙重圖案。

Intel 18A (1.8nm)和Intel 20A (2nm)制造工藝既為公司自身產(chǎn)品的生產(chǎn)開發(fā)，也將用于Intel Foundry Services (IFS)事業(yè)部為其代工客戶生產(chǎn)芯片，2024年下半年產(chǎn)進(jìn)入市場(chǎng)后將成為行業(yè)最先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)。

Pat·Gelsinger在最近與分析師和投資者的電話會(huì)議上表示：“我們與10大代工客戶中的七家保持著積極的合作關(guān)系，并持續(xù)擴(kuò)大合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)的增長(zhǎng)，目前已經(jīng)有43個(gè)潛在客戶和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴進(jìn)行測(cè)試芯片。此外，我們?cè)贗ntel 18A方面仍在取得進(jìn)展，已經(jīng)與我們的主要客戶分享了PDK 0.5(工藝設(shè)計(jì)工具包)的工程版本，并預(yù)計(jì)在未來(lái)幾周內(nèi)發(fā)布最終生產(chǎn)版本?！?