7月20日消息，據(jù)媒體報道，日本芯片制造商Rapidus已宣布啟動2nm晶圓的測試生產(chǎn)，預(yù)計2027年正式進入量產(chǎn)階段。

根據(jù)Tomshardware報道，在Rapidus日本的IIM-1廠區(qū)已經(jīng)展開對采用2nm全環(huán)繞柵極架構(gòu)(GAA) 晶體管技術(shù)的測試晶圓進行原型制作。

公司確認，早期測試晶圓已達到預(yù)期的電氣特性，這表示其晶圓廠工具運作正常，制程技術(shù)開發(fā)進展順利。

原型制作是半導(dǎo)體生產(chǎn)中的一個重要里程碑，目的在驗證使用新技術(shù)制造的早期測試電路是否可靠、高效并達到性能目標。

Rapidus目前正在測量其測試電路的電氣特性，包括臨界電壓、驅(qū)動電流、漏電流、次臨界斜率、開關(guān)速度、功耗和電容等參數(shù)。

另外，Rapidus的IIM-1廠區(qū)自2023年9月動工以來件展正常，無塵室于2024年完成，截至2025年6月已連接超過200套設(shè)備，包括先進的DUV和EUV光刻工具。

之前有說法認為，日本本國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國臺灣地區(qū)和韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)多年打擊后，其老舊產(chǎn)線基本退出，僅剩少數(shù)設(shè)備仍在運行。

在臺積電大規(guī)模投資日本工廠之前，日本連量產(chǎn)40nm制程芯片都難以實現(xiàn)，在制程領(lǐng)域甚至落后于中國大陸。