源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來(lái)衡量關(guān)斷開(kāi)關(guān)后，源極信號(hào)耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器(如PhotoMOS®、OptoMOS®、光繼電器或MOSFET繼電器)中常見(jiàn)的規(guī)格參數(shù)，在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開(kāi)關(guān)通常不包含此規(guī)格參數(shù)，但關(guān)斷隔離度是表征相同現(xiàn)象的另一種方法，關(guān)斷隔離度定義為，開(kāi)關(guān)關(guān)斷狀態(tài)下，耦合到漏極的源極的信號(hào)量。ADI將在本文討論如何從關(guān)斷隔離度推導(dǎo)出COUT，以及如何通過(guò)它來(lái)更有效地比較固態(tài)繼電器和CMOS開(kāi)關(guān)的性能。這一點(diǎn)很重要，因?yàn)镃MOS開(kāi)關(guān)適合許多使用固態(tài)繼電器的應(yīng)用，例如切換直流信號(hào)和高速交流信號(hào)。

如何從關(guān)斷隔離度導(dǎo)出CDS(OFF)

圖1顯示ADG5412的關(guān)斷隔離度與頻率的典型性能圖。該圖顯示，當(dāng)源極上的信號(hào)頻率上升時(shí)，關(guān)斷隔離度降低。

圖1.ADG5412關(guān)斷隔離度與頻率的關(guān)系(±15V雙電源)

這意味著，隨著信號(hào)頻率增加，源極上有更多信號(hào)會(huì)出現(xiàn)在關(guān)斷開(kāi)關(guān)的漏極。如果您觀察開(kāi)關(guān)的等效電路在關(guān)斷狀態(tài)下的表現(xiàn)，如圖2中的測(cè)試電路所示，會(huì)發(fā)現(xiàn)這種狀況不足為奇。當(dāng)開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，源極和漏極之間存在寄生電容，即圖中的CDS(OFF)。這種寄生電容使高頻信號(hào)能夠通過(guò)，關(guān)斷隔離圖就是為了確定這些特征。

圖2.關(guān)斷隔離度測(cè)量測(cè)試電路

從圖2所示的測(cè)試電路中獲取VS和VOUT，然后將它們代入以下公式中，以計(jì)算關(guān)斷隔離度：

將從關(guān)斷隔離圖中得到的結(jié)果應(yīng)用到開(kāi)路開(kāi)關(guān)的等效電路中，可計(jì)算得出CMOS開(kāi)關(guān)的CDS(OFF)。首先，如果考慮關(guān)斷開(kāi)關(guān)通道和負(fù)載，可以將電路視為高通濾波器，如圖3所示。

圖3.CDS(OFF)和RL高通濾波器

所示電路的轉(zhuǎn)換函數(shù)可以通過(guò)以下公式計(jì)算得出：

接下來(lái)，考慮源電壓VS及其阻抗，如圖2所示。源阻抗RS為50Ω，與50Ω負(fù)載阻抗RL匹配。假設(shè)在理想情況下，CDS(OFF)短路，那么在阻抗相等時(shí)，VS為VIN的2倍。這意味著，當(dāng)根據(jù)VS計(jì)算轉(zhuǎn)換函數(shù)時(shí)，整個(gè)轉(zhuǎn)換函數(shù)會(huì)翻倍。

所以，整個(gè)系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換函數(shù)為：

然后，可以將這個(gè)轉(zhuǎn)換函數(shù)代入關(guān)斷隔離度公式，得出：

然后，重新變換該公式，求解CDS(OFF)的值：

這意味著，如果知道RL、輸入信號(hào)的頻率f，以及關(guān)斷隔離規(guī)格值(dB)，就可以計(jì)算出CDS(OFF)。這些值可以在ADI產(chǎn)品系列中的開(kāi)關(guān)或多路復(fù)用器產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊(cè)中找到。以下示例將展示其執(zhí)行步驟。

CDS(OFF)計(jì)算示例

本例使用受SPI控制的4路SPST開(kāi)關(guān)ADGS1612。ADGS1612的關(guān)斷隔離規(guī)格為?65dB，可以在數(shù)據(jù)手冊(cè)中的表1中找到。根據(jù)關(guān)斷隔離規(guī)格的測(cè)試條件部分，RL為50?，信號(hào)頻率f為100kHz。將這些值代入CDS(OFF)公式，可以計(jì)算得出電容值。

注意，在開(kāi)關(guān)與多路復(fù)用器的關(guān)斷隔離測(cè)量電路中，在開(kāi)關(guān)通道的源極引腳之前，可能包含一個(gè)額外的50?端接電阻，如圖4所示。采用以這種方式測(cè)量得出的關(guān)斷隔離規(guī)格，仍然可以使用CDS(OFF)公式進(jìn)行計(jì)算。但是，如果源極引腳使用50Ω端接電阻(隨后用于CDS(OFF)公式中)，需要在數(shù)據(jù)手冊(cè)給出的關(guān)斷隔離規(guī)格的基礎(chǔ)上加上6dB。這是為了進(jìn)行補(bǔ)償，因?yàn)樵礃O的50?端接電阻會(huì)使電壓減半，相當(dāng)于?6dB。

圖4.源極上具有50 ?端接電阻的關(guān)斷隔離度測(cè)試電路

CMOS開(kāi)關(guān)與固態(tài)繼電器的關(guān)系

表1顯示從ADI產(chǎn)品系列中選擇的開(kāi)關(guān)產(chǎn)品的CDS(OFF)值。ADG54xx和ADG52xx系列可以處理擺幅高達(dá)44V的信號(hào)電壓，ADG14xx和ADG12xx系列可以傳輸擺幅高達(dá)33V的信號(hào)電壓。這種可比較信號(hào)的范圍為30V至40V固態(tài)繼電器。表中的最后一列還顯示了如何使用CDS(OFF)和開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻來(lái)計(jì)算RON、CDS(OFF)乘積，在固態(tài)繼電器中，它被用作等第值(order of merit)。RON、CDS(OFF)乘積顯示在開(kāi)關(guān)開(kāi)啟時(shí)，對(duì)信號(hào)的衰減影響非常小，以及開(kāi)關(guān)在關(guān)斷時(shí)，阻截高速信號(hào)的作用有多強(qiáng)。該表顯示ADG1412的RON、COFF乘積小于5，在市面上的固態(tài)繼電器中，這一點(diǎn)相當(dāng)有優(yōu)勢(shì)。

與固態(tài)繼電器相比，CMOS開(kāi)關(guān)具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。具體包括：

? 更易于驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)邏輯

ADI大部分CMOS開(kāi)關(guān)的典型數(shù)字輸入電流為1nA，而固態(tài)繼電器中二極管的推薦正向電流為5mA。這意味著，CMOS開(kāi)關(guān)易于直接被微控制器上的GPIO控制。

? 更快的開(kāi)關(guān)速度

ADG1412的典型開(kāi)啟時(shí)間為100ns，固態(tài)繼電器的開(kāi)啟時(shí)間為幾百毫秒。

? 單個(gè)封裝內(nèi)集成更多開(kāi)關(guān)

例如，ADGS1414D采用5mm × 4mm封裝，具有8個(gè)開(kāi)關(guān)通道、1.5?導(dǎo)通電阻和5pF CDS(OFF)。也就是說(shuō)，每2.5mm2封裝面積內(nèi)一個(gè)開(kāi)關(guān)。

結(jié)論

開(kāi)關(guān)在關(guān)斷狀態(tài)下阻截信號(hào)的能力至關(guān)重要。在固態(tài)繼電器中，COFF規(guī)格用于衡量開(kāi)關(guān)兩端的電容，它允許輸入信號(hào)耦合到關(guān)斷開(kāi)關(guān)的輸出。在CMOS開(kāi)關(guān)中，不會(huì)直接測(cè)量此電容;但是，可以通過(guò)關(guān)斷隔離度規(guī)格來(lái)推算此電容。通過(guò)推導(dǎo)開(kāi)路開(kāi)關(guān)的轉(zhuǎn)換函數(shù)，可以使用關(guān)斷隔離度值(dB)、輸入信號(hào)的頻率和負(fù)載電阻來(lái)確定CDS(OFF)。在比較CMOS開(kāi)關(guān)和固態(tài)繼電器的COUT規(guī)格時(shí)，CDS(OFF)是一個(gè)重要值。此外，CDS(OFF)還可用于計(jì)算RON、CDS(OFF)乘積，這是一個(gè)等第值，用于顯示開(kāi)關(guān)的整體關(guān)斷隔離和信號(hào)丟失性能。這樣針對(duì)應(yīng)用選擇開(kāi)關(guān)時(shí)，就可以更直觀對(duì)CMOS開(kāi)關(guān)和固態(tài)繼電器進(jìn)行比較選擇。相比固態(tài)繼電器，CMOS開(kāi)關(guān)也有諸多優(yōu)勢(shì)，例如，更易于驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)邏輯、更快的開(kāi)關(guān)速度，以及能夠在封裝中集成更多開(kāi)關(guān)。