據(jù)臺灣“中時新聞網(wǎng)”1月8日報道，用先進(jìn)的封裝技術(shù)連接功能不同的數(shù)個芯片以達(dá)到先進(jìn)制程芯片功能的小芯片(又稱晶粒)技術(shù)，被視為中國突破美國芯片科技禁運(yùn)的快捷方式。長電科技開發(fā)的先進(jìn)封裝技術(shù)已開始為國際客戶進(jìn)行芯片封裝量產(chǎn)。

移動資訊APP“快科技”報道，面對西方國家對中國進(jìn)行包括極紫外(EUV)光刻機(jī)在內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備禁運(yùn)，以小芯片等先進(jìn)封裝技術(shù)將成熟制程的芯片組合連結(jié)后達(dá)到先進(jìn)制程芯片功能的技術(shù)，成為中國突破美方科技禁運(yùn)的重要路線之一，很快獲得明顯進(jìn)展。

報道說，長電科技宣布，該公司開發(fā)的XDFOI小芯片高密度多維異構(gòu)集成系列工藝已按計劃進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段，同步實(shí)現(xiàn)國際客戶4納米節(jié)點(diǎn)多芯片系統(tǒng)集成封裝產(chǎn)品出貨，最大封裝體面積約為1500平方毫米的系統(tǒng)級封裝。

據(jù)了解，長電科技將充分發(fā)揮這一工藝的技術(shù)優(yōu)勢，在高性能計算、人工智能、5G、汽車電子等領(lǐng)域應(yīng)用，向下游客戶提供外形更輕薄、數(shù)據(jù)傳輸速率更快、功率損耗更小的芯片成品制造解決方案。

由于眾所周知的原因，中國的芯片產(chǎn)業(yè)被老美連連采取措施卡脖子，這讓國內(nèi)的科技企業(yè)承受著極大的壓力，然而中國的科技企業(yè)并未因此氣餒，反而激發(fā)了潛力，連連取得技術(shù)破，日前就有國產(chǎn)芯片企業(yè)表示在4納米小芯片技術(shù)上取得了突破。

日前中國最大、全球第三大封測巨頭長電科技宣布研發(fā)成功XDFOI? Chiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝，涵蓋了2D、2.5D、3D chiplet技術(shù)，并已開始為客戶封裝芯片，代表著中國芯片技術(shù)的又一個重大突破。

chiplet技術(shù)已成為全球芯片行業(yè)高度重視的技術(shù)，這是因?yàn)楫?dāng)前的芯片制造工藝逐漸接近極限，進(jìn)一步提升芯片制造工藝的難度極大，而成本更是指數(shù)級提升，臺積電的3nm工藝就延遲量產(chǎn)，由于成本太高，蘋果就舍棄了臺積電本計劃在2022年量產(chǎn)的3nm工藝，無奈之下臺積電只能對3nm工藝進(jìn)一步改進(jìn)至N3E以滿足蘋果對技術(shù)的要求。

長電科技研發(fā)成功的4納米chiplet技術(shù)代表著當(dāng)下最先進(jìn)的水平，它的最大封裝面積達(dá)到1500mm?，可以將多種工藝生產(chǎn)的芯片封裝在一起，通過將多種芯片封裝在一起縮短這些芯片間的溝通時間進(jìn)而大幅提升芯片性能，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)級的封裝，充分滿足客戶的需求。

長電科技的XDFOI? Chiplet為全自研的芯片封裝技術(shù)，在技術(shù)上完全屬于自主研發(fā)，尤其是在當(dāng)下如此困難的環(huán)境下，長電科技研發(fā)的4納米封裝技術(shù)無疑代表著國產(chǎn)芯片迎難而上的勇氣，以及強(qiáng)大的技術(shù)研發(fā)能力。

由于眾所周知的原因，中國的芯片產(chǎn)業(yè)被老美連連采取措施卡脖子，這讓國內(nèi)的科技企業(yè)承受著極大的壓力，然而中國的科技企業(yè)并未因此氣餒，反而激發(fā)了潛力，連連取得技術(shù)破，日前就有國產(chǎn)芯片企業(yè)表示在4納米小芯片技術(shù)上取得了突破。

日前中國最大、全球第三大封測巨頭長電科技宣布研發(fā)成功XDFOI? Chiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝，涵蓋了2D、2.5D、3D chiplet技術(shù)，并已開始為客戶封裝芯片，代表著中國芯片技術(shù)的又一個重大突破。

chiplet技術(shù)已成為全球芯片行業(yè)高度重視的技術(shù)，這是因?yàn)楫?dāng)前的芯片制造工藝逐漸接近極限，進(jìn)一步提升芯片制造工藝的難度極大，而成本更是指數(shù)級提升，臺積電的3nm工藝就延遲量產(chǎn)，由于成本太高，蘋果就舍棄了臺積電本計劃在2022年量產(chǎn)的3nm工藝，無奈之下臺積電只能對3nm工藝進(jìn)一步改進(jìn)至N3E以滿足蘋果對技術(shù)的要求。

長電科技研發(fā)成功的4納米chiplet技術(shù)代表著當(dāng)下最先進(jìn)的水平，它的最大封裝面積達(dá)到1500mm2，可以將多種工藝生產(chǎn)的芯片封裝在一起，通過將多種芯片封裝在一起縮短這些芯片間的溝通時間進(jìn)而大幅提升芯片性能，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)級的封裝，充分滿足客戶的需求。

長電科技的XDFOI? Chiplet為全自研的芯片封裝技術(shù)，在技術(shù)上完全屬于自主研發(fā)，尤其是在當(dāng)下如此困難的環(huán)境下，長電科技研發(fā)的4納米封裝技術(shù)無疑代表著國產(chǎn)芯片迎難而上的勇氣，以及強(qiáng)大的技術(shù)研發(fā)能力。

4納米芯片是5納米之后、3納米之前最先進(jìn)的硅節(jié)點(diǎn)技術(shù)，也是導(dǎo)入小芯片(Chiplet)封裝的一部分。作為集成電路領(lǐng)域的頂尖科技產(chǎn)品之一，4納米芯片可被應(yīng)用于智能手機(jī)、5G通信、人工智能、自動駕駛，以及包括GPU、CPU、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、專用集成電路(ASIC)等產(chǎn)品在內(nèi)的高性能計算(HPC)領(lǐng)域。

在市場的不斷推動下，包括消費(fèi)電子等領(lǐng)域產(chǎn)品不斷朝向小型化與多功能化發(fā)展，芯片尺寸越來越小、種類越來越多，對先進(jìn)封測技術(shù)的需求也越來越高。諸如4納米等先進(jìn)工藝制程芯片，需要先進(jìn)的封裝技術(shù)以確保其更好的系統(tǒng)級電學(xué)、熱學(xué)性能。

同時，封裝技術(shù)也在向多維異構(gòu)發(fā)展。相比于傳統(tǒng)的芯片疊加技術(shù)，多維異構(gòu)封裝通過導(dǎo)入硅中介層、重布線中介層及其多維結(jié)合，來實(shí)現(xiàn)更高維度芯片封裝。該中介層封裝的另一特點(diǎn)是能夠優(yōu)化組合不同的密度布線和互聯(lián)從而達(dá)到性能和成本的有效平衡。

此前，2021年7月，長電科技推出的XDFOI多維先進(jìn)封裝技術(shù)，就是一種面向小芯片的極高密度、多扇出型封裝高密度異構(gòu)集成解決方案，其利用協(xié)同設(shè)計理念實(shí)現(xiàn)了芯片成品集成與測試一體化，涵蓋2D、2.5D、3D集成技術(shù)，能夠?yàn)榭蛻籼峁某Ｒ?guī)密度到極高密度，從極小尺寸到極大尺寸的一站式服務(wù)。