通過低壓監(jiān)控延長電池壽命
在當(dāng)今時代,低功耗是每個系統(tǒng)都在朝著的方向發(fā)展,這使得工程師將其應(yīng)用的功耗降至最低是一項關(guān)鍵挑戰(zhàn)。低功耗是我們都可以同意的,特別是當(dāng)它導(dǎo)致更低的電費和更長的手機(jī)電池時。
一、動態(tài)功耗
功耗是由充放電電容引起的動態(tài)功耗,其推導(dǎo)過程很簡單,但是這個最終的結(jié)果卻十分重要。
switching power 和負(fù)載電容、電壓、0到1變化事件的發(fā)生次數(shù)、時鐘頻率有關(guān);
switching power和數(shù)據(jù)無關(guān),也就是傳輸?shù)臄?shù)據(jù)不會影響翻轉(zhuǎn)功耗,但是數(shù)據(jù)的翻轉(zhuǎn)率會影響翻轉(zhuǎn)功耗。
由這個公式我們很容易得到如果想減少功耗,那么方法就是:
1. 降低電壓;
2. 降低翻轉(zhuǎn)率;
3. 減少負(fù)載電容;
②短路功耗(Internal Power)
短路功耗又可以稱為內(nèi)部功耗,主要原因是直接通路電流引起的功耗,即短路造成的。短路功耗是因為在輸入信號進(jìn)行翻轉(zhuǎn)時,信號的翻轉(zhuǎn)不可能瞬時完成,因此PMOS和NMOS不可能總是一個截止另外一個導(dǎo)通,總有那么一段時間是使PMOS和NMOS同時導(dǎo)通,那么從電源VDD到地VSS之間就有了通路,就形成了短路電流。
二、靜態(tài)功耗
靜態(tài)功耗是由于漏電流引起的,在CMOS門中,漏電流主要來自4個源頭:
1. 亞閾值漏電流(Sub-threshold
Leakage, ISUB): 亞閾值泄漏電流是晶體管應(yīng)當(dāng)截止時流過的電流。
2. 柵極漏電流(Gate Leakage,Igate): 由于柵極氧化物隧穿和熱載流子注入,從柵極直接通過氧化物流到襯底的電流。
3. 柵極感應(yīng)漏電流(Gate Induced Drain Leakage, IGIDL): 結(jié)泄漏電流發(fā)生在源或漏擴(kuò)散區(qū)處在與襯底不同電位的情況下。結(jié)泄漏電流與其他泄漏電流相比時通常都很小。
4. 反向偏置結(jié)泄漏(Reverse Bias Junction Leakage ,IREV):由少數(shù)載流子漂移和在耗盡區(qū)產(chǎn)生電子/空穴對引起。
在我們努力幫助系統(tǒng)設(shè)計人員降低功耗的過程中,我們家族中的最新騎士是TPS3847,它是 380nA Iq、18V - 業(yè)界最低的電源電壓監(jiān)視器。
TPS3847系列由寬工作電壓、超低電流設(shè)備組成,用于監(jiān)控電源引腳的電壓。每當(dāng)VCC電源電壓下降到低于出廠調(diào)整的復(fù)位閾值電壓時,該設(shè)備就會發(fā)出有效的低電平復(fù)位信號。VCC電壓升高到閾值電壓以上后,復(fù)位輸出保持?jǐn)嘌誀顟B(tài)20毫秒(最大值)。
380毫安的超低電流消耗加上18伏的能力,使TPS3847成為低功耗和便攜式應(yīng)用的理想選擇。TPS3847具有精度高、出廠微調(diào)閾值電壓和極低功耗操作的特點。TPS3847采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的5引腳SOT封裝。
電壓監(jiān)視器本質(zhì)上是一種“永遠(yuǎn)在線”的設(shè)備。即使在待機(jī)模式下也始終監(jiān)控電源電壓,這使得下一代產(chǎn)品必須具有低 Iq 電壓監(jiān)控器。例如,當(dāng)線路電源設(shè)備長時間處于待機(jī)模式時,例如臺式機(jī)或家用電器,監(jiān)控器仍然處于開啟狀態(tài)并工作。在電動工具或便攜式醫(yī)療設(shè)備等電池供電應(yīng)用中,用戶希望在兩次充電之間實現(xiàn)更長的電池壽命。采用低 Iq 電壓監(jiān)視器可以有效提高系統(tǒng)效率并提高能源之星評級。
TPS3847是一款電壓監(jiān)控器,非常適合監(jiān)控 12V 應(yīng)用,同時僅消耗 380nA 的電流。TPS3847 提供推挽邏輯,無需在輸出端使用電阻器,并且仍然適用于最常見的邏輯電平。該產(chǎn)品還在其溫度范圍內(nèi)提供 +/-2.5% 的精度,并采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SOT23 封裝。查看該設(shè)備是否滿足您的 12V 需求,將功耗降低多達(dá) 100 倍。