化合物半導體多指晶態(tài)無機化合物半導體，即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結(jié)構(gòu)等半導體性質(zhì)。包括晶態(tài)無機化合物[1](如III-V族、II-VI族化合物半導體)及其固溶體、非晶態(tài)無機化合物(如玻璃半導體)、有機化合物(如有機半導體)和氧化物半導體等。通常所說的化合物半導體多指晶態(tài)無機化合物半導體。

研究半導體材料的制備、分析以及半導體器件和集成電路生產(chǎn)工藝中的特殊化學問題的化學分支學科。通常所說的化合物半導體多指晶態(tài)無機化合物半導體，即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結(jié)構(gòu)等半導體性質(zhì)。包括晶態(tài)無機化合物[1](如III-V族、II-VI族化合物半導體)及其固溶體、非晶態(tài)無機化合物(如玻璃半導體)、有機化合物(如有機半導體)和氧化物半導體等。通常所說的化合物半導體多指晶態(tài)無機化合物半導體。主要是二元化合物如：砷化鎵、磷化銦、硫化鎘、碲化鉍、氧化亞銅等，其次是二元和多元化合物，如鎵鋁砷、銦鎵砷磷、磷砷化鎵、硒銦化銅及某些稀土化合物(如SeN、YN、La2S3等)。多采用布里奇曼法(由熔體生長單晶的一種方法)、液封直拉法、垂直梯度凝固法制備化合物半導體單晶，用外延法、化學氣相沉積法等制備它們的薄膜和超薄層微結(jié)構(gòu)化合物材料。用于制備光電子器件、超高速微電子器件和微波器件等方面。

半導體材料的種類繁多，從單質(zhì)到化合物，從無機物到有機物，從單晶體到非晶體，都可以作為半導體材料。根據(jù)材料的化學組成和結(jié)構(gòu)，可以將半導體劃分為：元素半導體，如硅(Si)、鍺(Ge);二元化合物半導體，如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb);三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP;固溶體半導體，如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半導體(又稱非晶態(tài)半導體)，如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導體;有機半導體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。

半導體化學是在1948年發(fā)明晶體管之后逐漸形成的，是一門交叉學科，涉及到無機化學、有機化學、分析化學、物理化學、高分子化學、晶體化學、配位化學和放射化學等許多領域的理論和內(nèi)容。半導體化學的研究對象主要是高純物質(zhì)，在半導體技術(shù)中，隨著半導體朝高頻、大功率、高集成化方向發(fā)展，對半導體材料以及在制作半導體器件、集成電路過程中所用的各種試劑的純度，提出了越來越高的要求，有害雜質(zhì)含量不超過10-6%～10-8%，有的甚至要求雜質(zhì)含量10-9%～10-10%。

半導體化學的內(nèi)容可以概括為：①硅、鍺、砷化鎵等半導體材料的物理化學性質(zhì)及其提純精制的化學原理，完整單晶體的制取、完整單晶層的生長以及微量雜質(zhì)有控制地摻入方法。②半導體器件和集成電路制造技術(shù)如清洗、氧化、外延、制版、光刻、腐蝕、擴散等主要工藝過程及化學反應原理。③半導體器件及集成電路制造工藝中所用摻雜材料、化學試劑、高純氣體、高純水的化學性質(zhì)、制備原理及純度標準。④超純物質(zhì)分析及結(jié)構(gòu)鑒定方法，如質(zhì)譜分析、放射化分析、紅外光譜分析等。