1834年，法國物理學家帕爾帖在銅絲的兩頭各接一根鉍絲，再將兩根鉍絲分別接到直流電源的正負極上，通電后，他驚奇的發(fā)現(xiàn)一個接頭變熱，另一個接頭變冷;這個現(xiàn)象后來就被稱為"帕爾帖效應"。"帕爾帖效應"的物理原理為：電荷載體在導體中運動形成電流，由于電荷載體在不同的材料中處于不同的能級，當它從高能級向低能級運動時，就會釋放出多余的熱量。反之，就需要從外界吸收熱量(即表現(xiàn)為制冷)。所以，"半導體制冷"的效果就主要取決于電荷載體運動的兩種材料的能級差，即熱電勢差。純金屬的導電導熱性能好，但制冷效率極低(不到1%)。

半導體材料具有極高的熱電勢，可以成功的用來做小型的熱電制冷器。但當時由于使用的金屬材料的熱電性能較差，能量轉(zhuǎn)換的效率很低，熱電效應沒有得到實質(zhì)應用。直到20世紀五十年代，蘇聯(lián)科學院半導體研究所約飛院士對半導體進行了大量研究，于1945年前發(fā)表了研究成果，表明碲化鉍化合物固溶體有良好的致冷效果。這是最早的也是最重要的熱電半導體材料，至今還是溫差致冷中半導體材料的一種主要成份。約飛的理論得到實踐應用后，有眾多的學者進行研究到六十年代半導體致冷材料的優(yōu)值系數(shù)，達到相當水平，才得到大規(guī)模的應用。80年代以后，半導體的熱電制冷的性能得到大幅度的提高，進一步開發(fā)熱電制冷的應用領域。

半導體制冷片制冷原理半導體制冷片(TE)也叫熱電制冷片，是一種熱泵，它的優(yōu)點是沒有滑動部件，應用在一些空間受到限制，可靠性要求高，無制冷劑污染的場合。半導體制冷片的工作運轉(zhuǎn)是用直流電流，它既可制冷又可加熱，通過改變直流電流的極性來決定在同一制冷片上實現(xiàn)制冷或加熱，這個效果的產(chǎn)生就是通過熱電的原理，如《原理圖》所示就是一個單片的制冷片，它由兩片陶瓷片組成，其中間有N型和P型的半導體材料(碲化鉍)，這個半導體元件在電路上是用串聯(lián)形式連接組成. 半導體制冷片的工作原理是：當一塊N型半導體材料和一塊P型半導體材料連結(jié)成電偶對時，在這個電路中接通直流電流后，就能產(chǎn)生能量的轉(zhuǎn)移，電流由N型元件流向P型元件的接頭吸收熱量，成為冷端由P型元件流向N型元件的接頭釋放熱量，成為熱端。吸熱和放熱的大小是通過電流的大小以及半導體材料N、P的元件對數(shù)來決定。制冷片內(nèi)部是由上百對電偶聯(lián)成的熱電堆，以達到增強制冷(制熱)的效果。以下三點是熱電制冷的溫差電效應。

1、塞貝克效應(SEEBECK EFFECT)一八二二年德國人塞貝克發(fā)現(xiàn)當兩種不同的導體相連接時，如兩個連接點保持不同的溫差，則在導體中產(chǎn)生一個溫差電動勢： ES=S.△T式中：ES為溫差電動勢S(?)為溫差電動勢率(塞貝克系數(shù))△T為接點之間的溫差2、珀爾帖效應(PELTIER EFFECT)一八三四年法國人珀爾帖發(fā)現(xiàn)了與塞貝克效應的效應，即當電流流經(jīng)兩個不同導體形成的接點時，接點處會產(chǎn)生放熱和吸熱現(xiàn)象，放熱或吸熱大小由電流的大小來決定。Qл=л.I л=aTc式中：Qπ 為放熱或吸熱功率π為比例系數(shù)，稱為珀爾帖系數(shù)I為工作電流a為溫差電動勢率Tc為冷接點溫度3、湯姆遜效應(THOMSON EFFECT)當電流流經(jīng)存在溫度梯度的導體時，除了由導體電阻產(chǎn)生的焦耳熱之外，導體還要放出或吸收熱量，在溫差為△T的導體兩點之間，其放熱量或吸熱量為：Qτ=τ.I.△TQτ為放熱或吸熱功率τ為湯姆遜系數(shù)I為工作電流△T為溫度梯度以上的理論直到20世紀五十年代，蘇聯(lián)科學院半導體研究所約飛院士對半導體進行了大量研究，于一九五四年發(fā)表了研究成果，表明碲化鉍化合物固溶體有良好的制冷效果，這是最早的也是最重要的熱電半導體材料，至今還是溫差制冷中半導體材料的一種主要成份。