同學(xué)們,
《靜噪基礎(chǔ)課程》本期繼續(xù)開(kāi)講!
上一章介紹的是
產(chǎn)生電磁噪聲的機(jī)制
本節(jié)為你詳細(xì)介紹噪聲的傳導(dǎo)和反射
第 3 章
噪 聲 問(wèn) 題 復(fù) 雜 化 的 因 素
第1章 為什么需要EMI靜噪濾波器
第2章 產(chǎn)生電磁噪聲的機(jī)制
第3章 噪聲問(wèn)題復(fù)雜化的因素
3-1.簡(jiǎn)介
3-2.諧振和阻尼
3-3.噪聲的傳導(dǎo)和反射
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3-3-1. 數(shù)字信號(hào)對(duì)脈沖波形的影響
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3-3-2. 特性阻抗和反射
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3-3-3. 數(shù)字電路阻抗匹配
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3-3-4. 駐波
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3-3-5. 阻抗因傳輸線(xiàn)路而變化
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3-3-6. 多重反射導(dǎo)致的諧振
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3-3-7. 數(shù)字信號(hào)的終止
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3-3-8. 對(duì)EMC措施的影響
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3-3-9. 如何防止噪聲傳導(dǎo)
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3-3-10. S參數(shù)
3-4.源阻抗
3-5.小結(jié)
3-3噪聲傳導(dǎo)和反射
3-3-9. 如何防止噪聲傳導(dǎo)
?????????(1) 阻抗失配可防止噪聲傳導(dǎo)
實(shí)現(xiàn)阻抗匹配并不總是能帶來(lái)理想的結(jié)果。如果要防止噪聲傳導(dǎo)(而不是傳輸信號(hào)),就需要避免匹配阻抗。
如章節(jié)2-1所示,除了充分了解電子設(shè)備噪聲發(fā)射機(jī)制以外,可以認(rèn)為從噪聲源到天線(xiàn)之間建立了噪聲傳輸路徑(如圖3-3-25所示)。
圖3-3-25 噪聲反射和衰減
在這種情況下,如果阻抗已經(jīng)完全匹配,噪聲可能被傳導(dǎo)至天線(xiàn)并造成很強(qiáng)的發(fā)射。
(2) 去耦電容器導(dǎo)致阻抗失配
為防止噪聲傳導(dǎo),傳輸線(xiàn)兩側(cè)的反射都應(yīng)當(dāng)增強(qiáng),使噪聲無(wú)法傳導(dǎo)。在此期間,使用去耦電容器或電感器等元件顯著改變阻抗,從而增加反射。
也可以加劇傳輸路徑的衰減。如果要增強(qiáng)衰減,就需要吸收能量。這就是需要使用EMC措施相關(guān)元件發(fā)揮噪聲吸收作用的原因??墒褂镁哂须娮枳杩沟蔫F氧體磁珠。
盡管圖3-3-25僅涉及了針對(duì)所有元件的噪聲傳輸路徑,但實(shí)際上它是很多傳輸路徑的結(jié)合。例如,如果從接口電纜發(fā)射數(shù)字IC電源噪聲,則可以認(rèn)為具體情況會(huì)如圖3-3-26所示(作為示例)??梢酝ㄟ^(guò)對(duì)傳輸路徑按類(lèi)型分解來(lái)應(yīng)用圖3-3-25所示的噪聲反射和衰減。
圖3-3-26 已分解噪聲傳輸路徑的示例
3-3-10. S參數(shù)
(1) EMC措施相關(guān)元件的性能可通過(guò)S參數(shù)來(lái)表示
盡管噪聲傳輸路徑中所使用EMC措施相關(guān)元件的效果一般可通過(guò)插損來(lái)表示,但還會(huì)使用S參數(shù)進(jìn)行更準(zhǔn)確的表示。
S參數(shù)方法是表示使用上述電波反射概念的電路特征的方式。因?yàn)镾參數(shù)能夠表示元件在高頻范圍內(nèi)的性能,所以常用于高頻電路。
(2) 插損特性可被S參數(shù)取代
在通過(guò)S參數(shù)表示EMC措施相關(guān)元件時(shí),表示降噪性能的插損可由S參數(shù)傳輸系數(shù)所取代。其前提是電路為線(xiàn)性運(yùn)行,且要使用在50Ω系統(tǒng)上測(cè)得的S參數(shù)。
(3) 傳輸系數(shù)和反射系數(shù)
如圖3-3-27所示從左側(cè)和右側(cè)輸入電波可得到傳輸系數(shù)和反射系數(shù),這兩個(gè)系數(shù)可用來(lái)表示具有一個(gè)輸入終端和一個(gè)輸出端子(也稱(chēng)為“端口”)的元件的S參數(shù)。圖3-3-25中所解釋的元件內(nèi)部衰減是傳輸部分和反射部分消減的輸入能量值。
圖3-3-27 S參數(shù)(針對(duì)兩端口元件)
(4) 通過(guò)數(shù)據(jù)表來(lái)表示
由于S參數(shù)一般隨著頻率變化而改變,因此針對(duì)每個(gè)頻率以表格的形式提供了相應(yīng)的S參數(shù)值。圖3-3-28作為關(guān)于S參數(shù)的一個(gè)例子,提供了針對(duì)三終端EMC措施相關(guān)元件NFE61PT102的S參數(shù)。
圖3-3-28 S參數(shù)的示例(NFE61PT102)
這個(gè)EMC措施相關(guān)元件內(nèi)部具有較大的衰減。左圖為S參數(shù)表。如表中所示,每個(gè)端口的反射系數(shù)和傳輸系數(shù)都通過(guò)大小和相位來(lái)表示。(在某些情況下,它們會(huì)通過(guò)實(shí)數(shù)和虛數(shù)來(lái)表示,或者大小可能以dB為單位。)
(5) 頻率特征圖
右圖將傳輸系數(shù)S21和反射系數(shù)S11表示為頻率特征。在低頻范圍內(nèi)傳輸系數(shù)S21很大,在10MHz以上卻非常小。這一特征表示從左側(cè)進(jìn)入和傳輸?shù)接覀?cè)的噪聲比,其值越小表明降噪能力越好。如要將其轉(zhuǎn)換為插損,數(shù)值大小需要轉(zhuǎn)換為以dB為單位(不帶負(fù)號(hào))。
在1MHz到1GHz頻率范圍內(nèi),反射系數(shù)S11約為0.2到0.6。此特征表示當(dāng)噪聲從左側(cè)進(jìn)入時(shí)回到噪聲源的反射比。據(jù)此可以發(fā)現(xiàn),此元件具有較小的反射,且不那么可能由于多重反射導(dǎo)致問(wèn)題。
(6) 用S參數(shù)表示特征的好處
在使用S參數(shù)表示EMC措施相關(guān)元件時(shí),不僅可以表示出主要的降噪效果(傳輸系數(shù)),而且可以表示出反射到噪聲源側(cè)的效果,從而可以考察多重反射導(dǎo)致的次要影響。從這個(gè)角度來(lái)看,S參數(shù)比插損的表示更準(zhǔn)確。
當(dāng)測(cè)量系統(tǒng)的阻抗改變時(shí),S參數(shù)也會(huì)隨之變化。通常是在50Ω系統(tǒng)中測(cè)量的。為準(zhǔn)確估計(jì)降噪效果,需要根據(jù)連接實(shí)際元件位置處的阻抗通過(guò)轉(zhuǎn)換進(jìn)行闡釋。電路模擬裝置通常都具備這樣的功能。
除了圖3-3-28(b)中的圖之外,S參數(shù)也可如圖3-3-4(c)所示在史密斯圖上進(jìn)行繪制。
3-3.噪聲傳導(dǎo)和反射 - 重點(diǎn)內(nèi)容
√ 根據(jù)傳輸理論,電以波的形式進(jìn)行傳導(dǎo)和反射。
√ 線(xiàn)路特性阻抗和負(fù)載阻抗之間的任何偏差都會(huì)導(dǎo)致反射。
√ 反射導(dǎo)致線(xiàn)路上產(chǎn)生駐波,進(jìn)而使阻抗發(fā)生變化或者產(chǎn)生諧振。
√ 在使導(dǎo)線(xiàn)長(zhǎng)度為二分之一波長(zhǎng)的頻率間隔處,會(huì)反復(fù)產(chǎn)生諧振。
√ 可采用兩種方法來(lái)停止
噪聲傳導(dǎo): 增強(qiáng)反射和內(nèi)部衰減。
√ 元件特征可通過(guò)S參數(shù)表示。
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