2018年9月4日，三星電子公司的一家芯片工廠發(fā)生二氧化碳泄露事故。截至2018年9月4日，故事該導致一名工人死亡，兩名工人受傷。

三星在一份聲明中稱，這三人在其水原市半導體工廠的地下室里被發(fā)現(xiàn)失去意識。一名24歲的男性工人在被送往醫(yī)院幾個小時后宣布死亡，另外兩名年齡為26歲、54歲的工人依然處于無意識狀態(tài)。這些員工均來自三星旗下一家供應商。

毒氣泄漏事件三星已經不止一次了，2012年2月，韓國時報就曾報道稱，韓國職業(yè)安全的調查研究院一份歷時三年的調查顯示，三星、海力士半導體公司以及仙童半導體公司的工廠生產線被檢測出含有一定數(shù)量的苯、砷、甲醛等致癌物質。當時，該研究院的負責人樸正善表示， “盡管它們的含量還不足以致癌，但已經足夠令人擔憂，這些工廠必須盡最大努力將這些含量降到最低”。

2013年1月，同在水原的三星芯片工廠發(fā)生氫氟酸泄漏事故，10升強烈腐蝕性的氫氟酸揮發(fā)在空氣中，造成五名工人1死4傷。事件發(fā)生后，三星公司被罰款1000美元。

在2014年3月在京畿道水原市的三星電子研發(fā)中心一名52歲的三星合同工在工作時也是因為二氧化碳氣體泄露死亡，當時的調查結果是，滅火系統(tǒng)的故障導致了氣體泄露。

一座半導體廠所可能使用的氣體約為30種上下，其氣體的規(guī)格會隨制程要求而有不同;但通常可分為用量較大的一般氣體(Bulk Gas)，及用量較小的特殊氣體(Special Gsa)二大類。在一般氣體方面，包括有N2, O2, Ar, H2等。另在特殊氣體上，可略分為下述三大類：

(1)  惰性氣體(Inert Gas)的He, SF6,CO2, CF4, C2F6, C4H8及CH3F等;

(2) 燃燒性氣體(Flammable Gas)的SiH4,Si2H6, B2H6, PH3, SiH2Cl2, CH3, C2H2及CO等。

(3) 腐蝕性氣體(Corrosive Gas)的Cl2,HCl, F2, HBr, WF6, NH3, BF2, BCl3, SiF4, AsH3, ClF3, N2O, SiCl4等。

實際上，有些氣體是兼具燃燒及腐蝕性的。其中除惰性氣體外，剩下的均歸類為毒性氣體。SiH4,B2H6,PH3等均屬自燃性氣體(Pyrophoricity)，即在很低的濃度下，一接觸大氣后，立刻會產生燃燒的現(xiàn)象。而這些僅是一般晶圓廠的氣源而已，若是實驗型的氣源種類，則將更為多樣性。

半導體大廠在保證產值的同時，怎樣處理污染物，如何保障工人的安全也是考量一個企業(yè)的文化所在。