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MATLAB是“Matrix Laboratory”的縮寫,正如其命名所示,最初使命僅僅是一個交互式的矩陣計算器。1981年Dr. Cleve Moler基于興趣愛好和教學需求將其設(shè)計出來,最初包含的71個文字和函數(shù)可供學生們直接使用,而無需重新編譯、加載和執(zhí)行等過程。
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IGBT全稱叫絕緣柵雙極型晶體管,是一種復(fù)合型結(jié)構(gòu)器件,它結(jié)合了MOS晶體管和BJT雙極型晶體管的優(yōu)點,在電壓電流轉(zhuǎn)換,電能輸出領(lǐng)域用的非常多,特別是在高壓大電流領(lǐng)域,IGBT占主導(dǎo)地位,是人類控制電能,利用電能的核心半導(dǎo)體器件之一,這種主要應(yīng)用在電子電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,我們統(tǒng)稱功率半導(dǎo)體
N 溝道 IGBT 基本上是構(gòu)建在 p 型襯底上的 N 溝道功率 MOSFET,的通用 IGBT 橫截面所示。(PT IGBT 有一個額外的 n+ 層,將在后面說明。)因此,IGBT 的操作與功率 MOSFET 非常相似。從發(fā)射極施加到柵極端子的正電壓導(dǎo)致電子被拉向體區(qū)中的柵極端子。
所謂PT(PunchThrough,穿通型),是指電場穿透了N-漂移區(qū),電子與空穴的主要匯合點在N一區(qū)。NPT在實驗室實現(xiàn)的時間(1982年)要早于PT(1985),但技術(shù)上的原因使得PT規(guī)模商用化的時間比NPT早,所以第1代IGBT產(chǎn)品以PT型為主。PT-IGBT很好地解決了IGBT的閂鎖問題,但是需要增加外延層厚度,技術(shù)復(fù)雜,成本也高。IGBT芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接相關(guān)的,電壓規(guī)格越高、外延層越厚,IZOOV、2000V的PT-IGBT外延層厚度分別達到了100μm和200μm。
從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設(shè)計人員有用且方便的相關(guān)信息,用于選擇合適的器件以及預(yù)測其在應(yīng)用中的性能。提供圖表以使設(shè)計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應(yīng)該注意的是,測試結(jié)果非常依賴于電路,尤其是寄生發(fā)射極電感,以及寄生集電極電感和柵極驅(qū)動電路設(shè)計和布局。不同的測試電路產(chǎn)生不同的結(jié)果。
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