2019年智能手機的閃存容量進一步提升，中高端手機基本上是128GB起步，高端會上512GB，個別產品頂配直接上1TB容量了。按照這個趨勢下去，明年1TB容量的手機會更多，因為SK海力士現(xiàn)在已經開始出貨1TB UFS 3.1閃存給手機廠商，堆棧層數(shù)達到了128層。

今年6月份，SK海力士全球首發(fā)128層堆棧的4D閃存，本質上還是3D閃存，4D閃存就SK海力士自己這么叫，所謂4D是指單芯片四層架構設計，結合了3D CTF(電荷捕獲閃存)設計、PUC(Peri. Under Cell)技術，后者是指制造閃存時先形成外圍區(qū)域再堆疊晶胞，有助于縮小芯片面積。

此外，SK海力士的128層4D閃存還實現(xiàn)了業(yè)內最高的閃存垂直堆疊密度，單顆芯片集成超過3600億個閃存單元，每一個可存儲3個比特位，為此SK海力士應用了一系列創(chuàng)新技術，比如超同類垂直蝕刻技術、高可靠性多層薄膜單元成型技術、超快低功耗電路技術，等等。

同時，新的128層4D閃存單顆容量1Tb(128GB)，是業(yè)內存儲密度最高的TLC閃存，每顆晶圓可生產的比特容量也比96層堆疊增加了40％。

SK海力士官方今天表示1TB容量的UFS 3.1閃存已經出樣給手機廠商，預計明年下半年的5G手機就會用上這種大容量+超高速的UFS閃存。

從這款產品開始，SK海力士也會把閃存重點轉向5G手機，目前中國市場上正在大力推動5G，存儲芯片市場有望從中受益，畢竟5G速度更快，下載、保存的數(shù)據(jù)量也更高，對手機容量要求更高。