RDS

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如何利用SY8003設(shè)計(jì)一個(gè)同步降壓調(diào)節(jié)器

SY8003和SY8003A在從2.7V到5.5V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作，并集成了主開關(guān)和同步開關(guān)與極低的RDS(ON)，以最小化導(dǎo)電損失。

消費(fèi)電子
2024-08-13

電壓開關(guān) RDS
S1473X實(shí)現(xiàn)RDS功能設(shè)計(jì)

　　介紹了RDS功能在車載音響系統(tǒng)中的應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)，并設(shè)計(jì)低功耗硬件電路以適應(yīng)車載供電的要求。RDS功能采用S1473X嵌入式芯片實(shí)現(xiàn)，通過軟件編程實(shí)現(xiàn)了帶RDS的數(shù)字調(diào)頻立體收音功能，為車載音響

通信設(shè)計(jì)應(yīng)用
2020-09-08

rds s1473x
RDS功能設(shè)計(jì)在車載音響中的實(shí)現(xiàn)

　　面對(duì)日趨激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)和越來越挑剔的用戶，汽車制造商和汽車配件供應(yīng)商一直在努力創(chuàng)新——具有更新科技含量和更好用戶體驗(yàn)的產(chǎn)品不斷被應(yīng)用到汽車中。先進(jìn)的車載信息娛樂系統(tǒng)已

車載信息娛樂系統(tǒng)
2020-09-07

rds 車載音響
性價(jià)比一流：英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7超結(jié)MOSFET

【2020年3月3日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對(duì)于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。

英飛凌
2020-03-03

MOSFET coolmos rds
儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。

儒卓力
2020-02-22

PCB MOSFET rds
安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品，籍此擴(kuò)展市場(chǎng)領(lǐng)先的低RDS(on) MOSFET性能

同時(shí)優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷

Nexperia
2020-02-21

MOSFET rds lfpak56
Vishay推出采用PowerPAK? 1212 8S封裝的-30 V P溝道MOSFET，RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高功率密度，降低便攜式電子設(shè)備功耗

器件占位面積10.89 mm2，RDS（ON）降至3.5 m?，F(xiàn)OM降至172 m?*nC，均為業(yè)內(nèi)最佳水平

VISHAY
2020-02-11

MOSFET rds powerpak
UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET

?2020年2月3日，美國(guó)新澤西州普林斯頓---美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面貼裝封裝、同時(shí)具有業(yè)界最低RDS(on)的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，這些650V SiC FET能夠取代已有的標(biāo)準(zhǔn)硅器件，使工程師可以采用比分立設(shè)計(jì)方法具有更高效率和更高功率密度的解決方案來構(gòu)建開關(guān)電路。

UnitedSiC
2020-02-04

fet rds dfn
UnitedSiC發(fā)布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET，具有更高效率和更低損耗

?2019年12月9日，美國(guó)新澤西州普林斯頓--新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布將推出四種新型SiC FET，其RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車(EV)逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。

UnitedSiC
2019-12-09

fet 碳化硅 rds
意法半導(dǎo)體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻。MDm

功率器件
2018-11-02

MOSFET v 電源技術(shù)解析 rds mdmesh

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RDS

如何利用SY8003設(shè)計(jì)一個(gè)同步降壓調(diào)節(jié)器

S1473X實(shí)現(xiàn)RDS功能設(shè)計(jì)

RDS功能設(shè)計(jì)在車載音響中的實(shí)現(xiàn)

性價(jià)比一流：英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7超結(jié)MOSFET

儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品，籍此擴(kuò)展市場(chǎng)領(lǐng)先的低RDS(on) MOSFET性能

Vishay推出采用PowerPAK? 1212 8S封裝的-30 V P溝道MOSFET，RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高功率密度，降低便攜式電子設(shè)備功耗

UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET

UnitedSiC發(fā)布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET，具有更高效率和更低損耗

意法半導(dǎo)體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

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