如何利用SY8003設計一個同步降壓調節(jié)器
S1473X實現(xiàn)RDS功能設計
RDS功能設計在車載音響中的實現(xiàn)
性價比一流:英飛凌推出面向低頻率應用的600 V CoolMOS? S7超結MOSFET
儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產品,籍此擴展市場領先的低RDS(on) MOSFET性能
Vishay推出采用PowerPAK? 1212 8S封裝的-30 V P溝道MOSFET,RDS(ON)達到業(yè)內最低水平,提高功率密度,降低便攜式電子設備功耗
UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET
UnitedSiC發(fā)布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET,具有更高效率和更低損耗
意法半導體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破
基于TI 28069M的 canopen 通訊實現(xiàn)
預算:¥2000