內(nèi)存/閃存行業(yè)周期即將到來，下行風(fēng)險也隨之升高，受行業(yè)龍頭三星重挫影響其他的閃存供應(yīng)商群股市集體大跌盤。

摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存儲器芯片獲利恐難顯著成長為由，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評等自“加碼”降至“中性權(quán)重”，目標(biāo)價下修3.4%至280萬韓元。大摩指出，隨著NAND型快閃存儲器報價在2017年第四季開始反轉(zhuǎn)，下行風(fēng)險隨之升高;在此同時，2018年第一季以后的DRAM供需能見度也已降低。自2016年一季度以來半導(dǎo)體行業(yè)所享受的強(qiáng)勁市場需求和史無前例的定價權(quán)難以為繼，NAND閃存超級周期料將發(fā)生逆轉(zhuǎn)。

三星電子10月表示，2018年DRAM、NAND型快閃存儲器供需預(yù)估將持續(xù)呈現(xiàn)吃緊。三星電子27日盤中下跌4.2%，創(chuàng)一年多以來最大跌幅。三星競爭對手SKHynix一度下跌3.6%，創(chuàng)10月底以來最大跌幅。韓國股市27日早盤遭逢來自外資與法人的賣壓，以三星電子為首的科技股領(lǐng)跌。

截至北京時間27日12時41分為止，三星電子下跌4.18%，報2，657，000韓元;開盤迄今最低跌至2，650，000韓元，創(chuàng)10月27日以來新低。SK Hynix下跌2.35%，報83，100韓元;開盤迄今最低跌至82，000韓元，創(chuàng)11月20日以來新低。

美國存儲器大廠美光科技(Micron Technology Inc.)11月24日上漲1.10%，收49.68美元，創(chuàng)2000年9月27日以來收盤新高;今年迄今大漲126.64%。

英特爾、美光科技11月13日宣布，IM Flash B60晶圓廠已完成擴(kuò)建工程。新聞稿指出，規(guī)模擴(kuò)大后的晶圓廠將生產(chǎn)3D XPoint存儲器媒體。成立于2006年的IM Flash合資企業(yè)替英特爾與美光生產(chǎn)非揮發(fā)性存儲器。美光將在12月19日公布2018會計年度第一季財報。新聞稿顯示，美光的存儲器與儲存解決方案協(xié)助推動人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)以及自主駕駛車等顛覆性趨勢。

大摩認(rèn)為內(nèi)存/閃存行業(yè)周期即將到來，并將三星電子、臺積電和西部數(shù)據(jù)等半導(dǎo)體硬盤龍頭企業(yè)均遭下調(diào)至“觀望”評級，全球最大的工業(yè)寬溫閃存供應(yīng)商群聯(lián)電子遭下調(diào)至“看跌”評級，目標(biāo)股價較市價縮水12%。受行業(yè)龍頭三星重挫影響，A股芯片概念股今日也領(lǐng)跌大盤，A股半導(dǎo)體板塊72家企業(yè)中有64家下跌，板塊平均收跌4.28%，截止收盤韋爾股份、匯頂科技、景嘉微、國科微均跌停。