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近距離接觸 25nm NAND閃存制造技術(shù)
目前，限制SSD普及的門檻依然是昂貴的價格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術(shù)，以期望帶來更具性價比的產(chǎn)品。顯然，英特爾和美光的合作，使兩家公司在技術(shù)和創(chuàng)新上走在了其他公
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東芝停電事故將導(dǎo)致NAND閃存芯片價格上漲15%
亞洲最大的半導(dǎo)體交易市場Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時電力故障而停產(chǎn)的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價格可能會上漲15%。Dramexchange分析師希恩-楊（SeanYang）表示，32G
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硅CMOS技術(shù)可擴展到10nm以下
“硅CMOS技術(shù)完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。半導(dǎo)體制造技術(shù)國際會議
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三星主題演講:通過導(dǎo)入新技術(shù)，硅CMOS可延長至10nm以下工藝
“硅CMOS技術(shù)完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器（ReRAM）以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。 半導(dǎo)體制造技術(shù)國際會議“2
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Micron 推出創(chuàng)新閃存裝置，延長 NAND閃存生命周期
2010年12月6日 美光科技 (Micron Technology Inc.) 近日宣布推出高容量閃存產(chǎn)品組合，其將在未來延長數(shù)年NAND產(chǎn)品的生命周期。通過在同一個 NAND 封裝內(nèi)整合錯誤管理技術(shù)， 新的 Micron? ClearNAND? 裝置解決了 NAND
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Micron推出創(chuàng)新閃存延長NAND閃存生命周期
美光科技近日宣布推出高容量閃存產(chǎn)品組合，其將在未來延長數(shù)年NAND產(chǎn)品的生命周期。通過在同一個 NAND 封裝內(nèi)整合錯誤管理技術(shù)， 新的 Micron? ClearNAND? 裝置解決了NAND在傳統(tǒng)上面臨的由工藝微縮方面所帶來的問題。
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南北韓危機致MLC NAND閃存芯片漲價
據(jù)inSpectrum報道，由于擔(dān)心南北韓之間最近發(fā)生的沖突事件會對產(chǎn)品的運輸狀況造成不良影響，不少NAND閃存代理商，商家等紛紛增加了NAND閃存芯片的訂貨量，結(jié)果導(dǎo)致NAND閃存芯片價格持續(xù)走高。本周16Gb密度MLC NAND閃
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明年NAND閃存價格將下跌35%
集邦科技發(fā)布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達(dá)到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。集邦科技稱，新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因
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明年NAND閃存價格將下跌35%
集邦科技發(fā)布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達(dá)到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。集邦科技稱，新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因
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2010年NAND閃存營收將創(chuàng)新高 但面臨供應(yīng)過
據(jù)iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。預(yù)計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電
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2010年NAND閃存營收將創(chuàng)新高但面臨供應(yīng)過剩
據(jù)iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。預(yù)計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電
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全球平板電腦持續(xù)火爆 NAND營收創(chuàng)歷史新高
據(jù)iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。預(yù)計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電
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2010年NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄
據(jù)iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄預(yù)計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電子
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2010年NAND閃存營收創(chuàng)歷史最高紀(jì)錄
----營業(yè)收入將超過180億美元，但面臨供應(yīng)過剩隱憂。
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爾必達(dá)和夏普共同開發(fā)ReRAM填補DRAM與NAND閃存的性能差
新一代存儲器的大型共同開發(fā)項目即將在日本啟動。爾必達(dá)存儲器、夏普、東京大學(xué)以及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所將聯(lián)手開發(fā)Gbit級可變電阻式存儲器（ReRAM）。此次開發(fā)將結(jié)合夏普擁有的可變電阻元件等材料技術(shù)和爾必達(dá)存儲器擁
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三星宣布導(dǎo)入20nm級 NAND閃存芯片
三星電子稱正在采用20nm級的工藝生產(chǎn)64G 每單元三位的NAND閃存。該存儲芯片適合用于USB閃存和數(shù)碼存儲卡。三星稱該芯片技術(shù)已于今年4月導(dǎo)入，但有意見質(zhì)疑稱三星此舉是為了宣布27nm工藝已應(yīng)對競爭對手宣布的26nm、25
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IC產(chǎn)業(yè)紅色警報 9月市場已呈現(xiàn)弱勢
目前模擬、存儲器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢。 VLSI的總裁Dan Hutcheson認(rèn)為在2010年初開始熱了一陣之后，目前IC工業(yè)可能回復(fù)到正常的狀態(tài)。有人說工業(yè)開始減緩，停頓或者是可怕的
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IC產(chǎn)業(yè)紅色警報9月市場已呈現(xiàn)弱勢
目前模擬、存儲器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢。VLSI的總裁DanHutcheson認(rèn)為在2010年初開始熱了一陣之后，目前IC工業(yè)可能回復(fù)到正常的狀態(tài)。有人說工業(yè)開始減緩，停頓或者是可怕的再次下
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IC產(chǎn)業(yè)紅色警報 9月市場已呈現(xiàn)弱勢
目前模擬、存儲器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢。VLSI的總裁Dan Hutcheson認(rèn)為在2010年初開始熱了一陣之后，目前IC工業(yè)可能回復(fù)到正常的狀態(tài)。有人說工業(yè)開始減緩，停頓或者是可怕的再次下
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德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評級2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計增長16%
9月9日《半導(dǎo)體行業(yè)特別報告》出版，涉及項目包括有：庫存補充、企業(yè)升級周期、智能電話作為主要趨勢、移動性長期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。涉及企業(yè)包括有：AMD公司（AMD）、ARM集團（ARMH）、AT&；T公司（T
