三星宣布導(dǎo)入20nm級(jí) NAND閃存芯片
三星電子稱正在采用20nm級(jí)的工藝生產(chǎn)64G 每單元三位的NAND閃存。該存儲(chǔ)芯片適合用于USB閃存和數(shù)碼存儲(chǔ)卡。
三星稱該芯片技術(shù)已于今年4月導(dǎo)入,但有意見質(zhì)疑稱三星此舉是為了宣布27nm工藝已應(yīng)對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手宣布的26nm、25nm和24nm工藝。今年8月,Toshiba宣布了24nm 64G NAND閃存,在NAND閃存制程賽跑中處于領(lǐng)先。