IGBT開(kāi)通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間的工作特性
MOS管發(fā)熱的主要原因有哪些
MOS管米勒效應(yīng)詳解
一文搞定MOS管和IGBT管的區(qū)別
MOSFET開(kāi)關(guān)管損失了解嗎?限制MOSFET開(kāi)關(guān)速度的因素有哪些
MOS管與IGBT管的區(qū)別匯總
MOS管的基本知識(shí)匯總
如何選擇MOS管?MOS管常見(jiàn)2大失效原因,你知道嗎?
如何測(cè)試mos管開(kāi)關(guān)速度?mos管源極和漏極有什么區(qū)別?
mos管插入式封裝了解嗎?MOS管產(chǎn)生尖峰的原因有哪些?
低壓FOC驅(qū)動(dòng)器硬件設(shè)計(jì)
預(yù)算:¥10000DC12V升壓到DC120V,解決MOS發(fā)熱問(wèn)題
預(yù)算:¥10000layout外包,三軸步進(jìn)電機(jī)系統(tǒng)用TMC5160芯片
預(yù)算:¥10000600W多路開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)
預(yù)算:¥20000ICE40 FPGA芯片的NVCM燒錄已有測(cè)試座針腳已引出
預(yù)算:¥7000MOS管+放大器恒流源電流0-6A電壓3-45紋波<30mv
預(yù)算:¥100003-8串鋰電池檢測(cè)保護(hù)報(bào)警模塊加藍(lán)牙和觸摸屏
預(yù)算:¥45000