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大尺寸晶圓量產(chǎn)卡關(guān)　GaN-on-Si基板發(fā)展陷膠著

矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板技術(shù)發(fā)展添變數(shù)。囿于大尺寸GaN-on-Si晶圓制造良率遲遲無法提升，不少LED磊晶廠已開始考慮降低投資金額，或轉(zhuǎn)而投入技術(shù)門檻較低的功率元件應(yīng)用市場，讓原本備受期待的GaN-on-Si LED發(fā)展前

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2013-06-20

GAN 基板晶圓元件
英特爾大舉購買電視節(jié)目:比市場價高75%

北京時間6月8日上午消息，據(jù)路透社報導(dǎo)，知情人士透露，英特爾正在就全新的電視服務(wù)與媒體公司展開內(nèi)容采購談判，并愿意給出比傳統(tǒng)有線電視公司高出75%的價格，但目前尚未達(dá)成任何內(nèi)容交易。知情人士表示，CBS、新聞

半導(dǎo)體
2013-06-12

晶片英特爾有線電視 GAN
英特爾大舉購買電視節(jié)目:比市場價高75%

北京時間6月8日上午消息，據(jù)路透社報導(dǎo)，知情人士透露，英特爾正在就全新的電視服務(wù)與媒體公司展開內(nèi)容采購談判，并愿意給出比傳統(tǒng)有線電視公司高出75%的價格，但目前尚未達(dá)成任何內(nèi)容交易。知情人士表示，CBS、新聞

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2013-06-09

晶片英特爾有線電視 GAN
無線業(yè)界先鋒人物：iPhone并不適合企業(yè)應(yīng)用[圖]

隨著自帶設(shè)備(Bring Your Own Device，簡稱BYOD)的政策變得更為寬松，越來越多的企業(yè)允許員工們挑選和自帶適合自己的智能手機和平板電腦。不過無線業(yè)界的先鋒人物、兼Sepharim集團的創(chuàng)始人鮑勃·伊根(Bob Egan

通信技術(shù)
2013-06-08

無線 iPhone MDASH GAN
三星在8英寸硅基板上試制出常閉型GaN功率元件

三星電子在直徑為8英寸(200mm)的硅基板上，試制出了為柵極加載正電壓就會導(dǎo)通的“常閉工作型”GaN功率元件，在功率半導(dǎo)體國際會議“ISPSD 2013”(2013年5月26～30日在石川縣金澤市舉行，日本電氣學(xué)會主辦)上發(fā)表了相

顯示光電
2013-06-08

三星 GAN 基板元件
Sprint股東顧問反對軟銀競購稱應(yīng)改善條款

隨著美國移動運營商Dish Network周三對Sprint競購價格提升至255億美元，后者股東顧問、評級機構(gòu)Egan-Jones Ratings態(tài)度來了180度轉(zhuǎn)彎，稱反對軟銀與Sprint的收購交易。Egan-Jones Ratings在一份客戶報告中表示，軟銀

通信技術(shù)
2013-06-01

軟銀 SPRINT GAN
2013年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)140.7億美元

日本市場調(diào)查公司矢野經(jīng)濟研究所的調(diào)查顯示，按照廠商的供貨金額計算，2012年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為135.12億美元，比上年減少11.5%。功率半導(dǎo)體市場在2009年迅速下滑后，曾在2010年和2011年連續(xù)兩年出現(xiàn)復(fù)蘇，但由

半導(dǎo)體
2013-05-29

功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體市場 SIC GAN
用于 LTE 微蜂窩和有源天線系統(tǒng)的小型高效GaN Doherty 放大器

本文介紹有關(guān)用于LTE 微蜂窩式與有源天線系統(tǒng)式基站應(yīng)用的小型高效GaN Doherty 放大器。該Doherty 放大器采用TriQuint 半導(dǎo)體公司開發(fā)的T1G6001528-Q3 器件，是一種寬頻帶的

功率器件
2013-05-28

蜂窩放大器 LTE GAN
歐洲項目推動功率微電子未來

LASTPOWER項目組公布了為期三年由歐盟資助的功率半導(dǎo)體項目開發(fā)成果。以研發(fā)高成本效益且高可靠性的功率電子技術(shù)為目標(biāo)，涉及工業(yè)、汽車、消費電子、再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電信應(yīng)用。項目開發(fā)成果讓歐洲擠身于世界高能效

半導(dǎo)體
2013-05-28

微電子意法半導(dǎo)體 AC GAN
2012年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模比上年減少11.5％

日本市場調(diào)查公司矢野經(jīng)濟研究所的調(diào)查顯示，按照廠商的供貨金額計算，2012年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為135.12億美元，比上年減少11.5%。功率半導(dǎo)體市場在2009年迅速下滑后，曾在2010年和2011年連續(xù)兩年出現(xiàn)復(fù)蘇，但由

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2013-05-22

功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體市場 SIC GAN
歐洲項目推動功率微電子未來

LASTPOWER項目組公布了為期三年由歐盟資助的功率半導(dǎo)體項目開發(fā)成果。以研發(fā)高成本效益且高可靠性的功率電子技術(shù)為目標(biāo)，涉及工業(yè)、汽車、消費電子、再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電信應(yīng)用。項目開發(fā)成果讓歐洲擠身于世界高能效

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2013-05-22

微電子意法半導(dǎo)體 AC GAN
2012年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模比上年減少11.5％

日本市場調(diào)查公司矢野經(jīng)濟研究所的調(diào)查顯示，按照廠商的供貨金額計算，2012年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為135.12億美元，比上年減少11.5％。功率半導(dǎo)體市場在2009年迅速下滑后，曾在2010年和2011年連續(xù)兩年出現(xiàn)復(fù)蘇，但

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2013-05-21

功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體市場 SIC GAN
歐洲項目推動功率微電子未來

LAST POWER項目組公布了為期三年由歐盟資助的功率半導(dǎo)體項目開發(fā)成果。以研發(fā)高成本效益且高可靠性的功率電子技術(shù)為目標(biāo)，涉及工業(yè)、汽車、消費電子、再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電

電源
2013-05-20

微電子意法半導(dǎo)體 POWER GAN
孫錢：硅襯底上氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

2013年5月14日下午，在由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟與英國勵展博覽集團共同主辦的“2013上海國際新光源&新能源照明論壇”之 “新光源&新能源照明的應(yīng)用”分會上，來自晶能光電有限公司孫錢博士做了題為《硅襯

顯示光電
2013-05-14

新能源氮化鎵大功率LED GAN
ALD技術(shù)顯著提升發(fā)光器件效率

日前，中國科學(xué)院微電子研究所將先進的原子層沉積技術(shù)應(yīng)用于高光效半導(dǎo)體發(fā)光器件的研究取得顯著進展。上世紀(jì)八十年代，原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）最初由芬蘭科學(xué)家提出并應(yīng)用于平板顯示器件中

顯示光電
2013-05-13

光器件分布式微電子 GAN
華裔科學(xué)家朱永剛研發(fā)新型傳感器，獲澳洲Eureka Science獎

近日，華裔科學(xué)家朱永剛(Yonggang Zhu，音譯)憑借研發(fā)新型傳感器而榮獲了澳洲最重要的科學(xué)獎項——Eureka Science獎，受到表彰。此外，他還獲得了價值1萬元的國防獎。朱永剛為澳洲聯(lián)邦科學(xué)與工業(yè)研究組織的研究人員，

測試測量
2013-05-10

傳感器 SAR SCIENCE GAN
eGaN FET與硅功率器件比拼之隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器

隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍。它們的模塊性、功率密度、可靠性和多功能性簡化了隔離式電源

功率器件
2013-05-01

轉(zhuǎn)換器 FET POE GAN
日立用于白色LED磊晶的GaN范本全新

日立電線株式會社宣布成功開發(fā)出在藍(lán)寶石基板上生長的高品質(zhì)氮化鎵（GaN）單晶薄膜的GaN范本全新量產(chǎn)技術(shù)，并已開始銷售。透過將該產(chǎn)品用作“白色LED磊晶”的底層基板，可以大幅提高白色LED磊晶的生產(chǎn)效率及LED特性。

顯示光電
2013-04-30

日立 LED GAN 基板
Bridgelux與東芝強強合作共同研發(fā)GaNSi技術(shù)

美國BridgeluxInc.和日本東芝公司(ToshibaCorporation)宣布，雙方達(dá)成協(xié)議。依照協(xié)議，Bridgelux將向東芝出售其矽基氮化鎵(GaN-on-Silicon，GaNSi)技術(shù)和相關(guān)資產(chǎn)，雙方公司將透過一項延長的授權(quán)與制造關(guān)系，增強并拓

顯示光電
2013-04-29

東芝 BRIDGE ANSI GAN
3D打印技術(shù)加碼醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用

3D打印在醫(yī)療方面的應(yīng)用對于現(xiàn)在來說已不是什么特別新奇的新聞，此前就有醫(yī)療機構(gòu)通過3D打印技術(shù)制造業(yè)人類骨額，但是用這項技術(shù)進行器官的打印的就比較稀奇了。 3D打印代表著制造業(yè)發(fā)展的方向之一，大部份時候，我們

醫(yī)療電子
2013-04-28

微型 3D打印技術(shù) OV GAN

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GAN

大尺寸晶圓量產(chǎn)卡關(guān)　GaN-on-Si基板發(fā)展陷膠著

英特爾大舉購買電視節(jié)目:比市場價高75%

英特爾大舉購買電視節(jié)目:比市場價高75%

無線業(yè)界先鋒人物：iPhone并不適合企業(yè)應(yīng)用[圖]

三星在8英寸硅基板上試制出常閉型GaN功率元件

Sprint股東顧問反對軟銀競購稱應(yīng)改善條款

2013年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)140.7億美元

用于 LTE 微蜂窩和有源天線系統(tǒng)的小型高效GaN Doherty 放大器

歐洲項目推動功率微電子未來

2012年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模比上年減少11.5％

歐洲項目推動功率微電子未來

2012年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模比上年減少11.5％

歐洲項目推動功率微電子未來

孫錢：硅襯底上氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

ALD技術(shù)顯著提升發(fā)光器件效率

華裔科學(xué)家朱永剛研發(fā)新型傳感器，獲澳洲Eureka Science獎

eGaN FET與硅功率器件比拼之隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器

日立用于白色LED磊晶的GaN范本全新

Bridgelux與東芝強強合作共同研發(fā)GaNSi技術(shù)

3D打印技術(shù)加碼醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用

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