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微型逆變器市場需求到2017年或翻兩番

IHS最新研究報告顯示，從2013年至2017年，微型逆變器的全球市場規(guī)模將有望隨著海外市場需求的持續(xù)增長而增長四倍以上。微型逆變器相對于傳統(tǒng)逆變器來說，在很多方面都有所提

電源
2013-11-15

微型逆變器 PHASE 光伏微型逆變器 GAN
2022年全球智能電表安裝基數(shù)達11億只

據(jù)美國知名研究機構(gòu)Navigant研究的報告指出，全球智能電表安裝基數(shù)將從2013年的3.13億只增長到2022年的近11億只。智能電表的直接運營效益和社會效益，及智能電網(wǎng)的廣泛收益，使智能電表繼續(xù)成為決策者、公共事業(yè)單位

網(wǎng)絡(luò)層
2013-11-15

智能電網(wǎng) 智能電表 VI GAN
LED行業(yè)2013年下半年市場報告分析

21ic訊寬禁帶半導(dǎo)體是尖端軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心：相比于Si和GaAs材料，以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體憑借擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強等特點，能夠大幅提升電

顯示光電
2013-11-15

晶圓微波器件 LED行業(yè) GAN
淺析LED三要素：IQE、LEE與EQE

一.IQE、LEE與EQE定義首先給出內(nèi)量子效率(IQE：Internal Quantum Efficiency )、光析出率(LEE：Light Extraction Efficiency)與外量子效率(EQE：External Quantum Efficiency)參數(shù)的定義與表達如下： IQE=單位時間內(nèi)

顯示光電
2013-11-14

LED 量子 NI GAN
劉志強：低維結(jié)構(gòu)—GaN LED的潛在發(fā)展趨勢

極值發(fā)光效率的解決方案在哪里?我們距離發(fā)光極限(400lm/W )還有多遠? 11月10日下午，CHINASSL2013材料與裝備技術(shù)分會首位發(fā)言人，中科院半導(dǎo)體研究所照明中心副研究員劉志強在介紹《低維結(jié)構(gòu)—GaN LED的潛在發(fā)展趨勢

顯示光電
2013-11-13

LED 量子點 INGAN GAN
揭秘IGBT市場成長的動力來源

據(jù)市場研究機構(gòu)Yole的最新報告，IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言，市場預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美元。IGBT將在電動車/動力混合汽車(EV/HEV)、再生能

消費電子
2013-11-11

IGBT SIC HEV GAN
派克研究所：2020年前美軍將裝備10萬輛電動汽車

[摘要] 過度依賴石油資源已經(jīng)成為美國軍方不得不面臨的問題，為緩解這一局面，美軍將目光投向了電動汽車，而這些新能源汽車未來將被派往前線。　　【第一電動網(wǎng)】(編譯李媛媛) 美國Navigant Research研究機

汽車電子
2013-11-09

電動汽車微電網(wǎng) COM GAN
揭秘IGBT市場成長的動力來源

21ic訊據(jù)市場研究機構(gòu)Yole的最新報告，IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言，市場預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美

電源
2013-11-08

IGBT SIC HEV GAN
PEC電力電子西安站蓄勢待發(fā)

由愛戴愛集團主辦，《Bodo's功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會蘇州站于10月25-26號蘇州會議中心落下帷幕。繼PEC電力電子蘇州站圓滿結(jié)束后，PEC電力電子西安站蓄勢待發(fā)。據(jù)PEC組委會工作人員表示：PEC電力電子蘇州

半導(dǎo)體
2013-11-07

電力電子半導(dǎo)體制造 SIC GAN
SNL Kagan報告：OTT TV月租付費將達80億美元

據(jù)SNL Kagan一份調(diào)查結(jié)果顯示，2017年之前，OTT TV月租付費市場將顯著增長，北美也將成為最大的OTT TV月租付費市場。SNL Kagan的報告指出，消費者對個性化的收視體驗以及種類繁多的內(nèi)容選擇的需求在不斷提升，由此就

通信技術(shù)
2013-11-06

互聯(lián)網(wǎng) 平板電腦 TV GAN
Soraa公司獲得美國能源部撥款推進GaN基底研究

Soraa公司10月23日宣布已獲得美國能源部先進能源研究計劃署(ARPA-E)數(shù)額幾百萬美元的撥款，以推進與將大尺寸GaN基底用于電力電子技術(shù)的研究相關(guān)的兩個項目。該公司目前已參與ARPA-E的SWITCHES項目，負(fù)責(zé)執(zhí)行項目第一

半導(dǎo)體
2013-11-04

LED 電力電子技術(shù) MARK GAN
解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”

發(fā)光二極體(LED)的發(fā)光效率遠高于傳統(tǒng)光源，耗電量僅約同亮度傳統(tǒng)光源的20%，并具有體積小、壽命長、效率高、不含汞等環(huán)保與健康特性，且現(xiàn)今LED商品效率已超出每瓦110流明，LED應(yīng)用領(lǐng)域更是無限寬廣。尤其在照明、筆

顯示光電
2013-11-04

LED 氮化鎵基板 GAN
GT推HVPE系統(tǒng)加速磊晶生長，資本支出可望減少25%

LED價格下滑趨勢不變，LED晶片廠不斷在制程與技術(shù)方面進行改善以降低成本，半導(dǎo)體設(shè)備廠極特先進科技(GT ADVANCED TECHNOLOGIES)開發(fā)取代MOCVD中nGaN和uGaN生長制程的HVPE系統(tǒng)，未來LED晶片廠可以透過增加

顯示光電
2013-10-30

UG ABS LED晶片 GAN
首爾半導(dǎo)體投入GaN

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊韓國LED封裝大廠首爾半導(dǎo)體積極投入GaN-on-GaN制程，以GaN-on-GaN制程為核心的nPola產(chǎn)品比傳統(tǒng)藍寶石基板LED在同樣面積上的效率是5-10倍，首爾半導(dǎo)體指出，nPola產(chǎn)品即將推出，其中，首

顯示光電
2013-10-30

首爾半導(dǎo)體 RGB LED產(chǎn)品 GAN
美DOE增投資金助Soraa研究低成本塊狀GaN襯底

美國公司Soraa23日宣布，它已獲得美國能源部高級研究項目署ARPA-E的幾百萬美元增投資金，繼續(xù)開展與塊狀氮化鎵（GaN）襯底相關(guān)的兩個項目的研究。早在2011年，Soraa就被ARPA-E的能源轉(zhuǎn)換機構(gòu)選定進行GaN襯底項目研究

半導(dǎo)體
2013-10-29

LED IDE MARK GAN
首爾半導(dǎo)體投入GaN-on-GaN制程， nPola產(chǎn)品即將面市

韓國LED封裝大廠首爾半導(dǎo)體積極投入GaN-on-GaN制程，以GaN-on-GaN制程為核心的nPola產(chǎn)品比傳統(tǒng)藍寶石基板LED在同樣面積上的效率是5-10倍，首爾半導(dǎo)體指出，nPola產(chǎn)品即將推出，其中，首爾半導(dǎo)體的nPola UV產(chǎn)品目前已

半導(dǎo)體
2013-10-28

首爾半導(dǎo)體 RGB LED產(chǎn)品 GAN
Soraa公司獲得美國能源部撥款推進GaN基底研究

Soraa公司10月23日宣布已獲得美國能源部先進能源研究計劃署(ARPA-E)數(shù)額幾百萬美元的撥款，以推進與將大尺寸GaN基底用于電力電子技術(shù)的研究相關(guān)的兩個項目。該公司目前已參與ARPA-E的SWITCHES項

半導(dǎo)體
2013-10-28

LED 電力電子技術(shù) MARK GAN
LED產(chǎn)業(yè)新趨勢：寬禁帶半導(dǎo)體,軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心

寬禁帶半導(dǎo)體是尖端軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心:相比于Si和GaAs材料,以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體憑借擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強等特點,能夠大幅提升電子器件的高壓、高頻、

消費電子
2013-10-28

半導(dǎo)體晶圓 LED產(chǎn)業(yè) GAN
首爾半導(dǎo)體投入GaN-on-GaN制程， nPola產(chǎn)品即將面市

韓國LED封裝大廠首爾半導(dǎo)體積極投入GaN-on-GaN制程，以GaN-on-GaN制程為核心的nPola產(chǎn)品比傳統(tǒng)藍寶石基板LED在同樣面積上的效率是5-10倍，首爾半導(dǎo)體指出，nPola產(chǎn)品即將推出，其中，首爾半導(dǎo)體的nPola UV產(chǎn)品目前已

半導(dǎo)體
2013-10-28

首爾半導(dǎo)體 RGB LED產(chǎn)品 GAN
美DOE增投資金助Soraa研究低成本塊狀GaN襯底[譯]

LEDinside譯美國公司Soraa23日宣布，它已獲得美國能源部高級研究項目署ARPA-E的幾百萬美元增投資金，繼續(xù)開展與塊狀氮化鎵（GaN）襯底相關(guān)的兩個項目的研究。早在2011年，Soraa就被ARPA-E的能源轉(zhuǎn)換機

顯示光電
2013-10-28

LED IDE MARK GAN

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GAN

微型逆變器市場需求到2017年或翻兩番

2022年全球智能電表安裝基數(shù)達11億只

LED行業(yè)2013年下半年市場報告分析

淺析LED三要素：IQE、LEE與EQE

劉志強：低維結(jié)構(gòu)—GaN LED的潛在發(fā)展趨勢

揭秘IGBT市場成長的動力來源

派克研究所：2020年前美軍將裝備10萬輛電動汽車

揭秘IGBT市場成長的動力來源

PEC電力電子西安站蓄勢待發(fā)

SNL Kagan報告：OTT TV月租付費將達80億美元

Soraa公司獲得美國能源部撥款推進GaN基底研究

解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”

GT推HVPE系統(tǒng)加速磊晶生長，資本支出可望減少25%

首爾半導(dǎo)體投入GaN

美DOE增投資金助Soraa研究低成本塊狀GaN襯底

首爾半導(dǎo)體投入GaN-on-GaN制程， nPola產(chǎn)品即將面市

Soraa公司獲得美國能源部撥款推進GaN基底研究

LED產(chǎn)業(yè)新趨勢：寬禁帶半導(dǎo)體,軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心

首爾半導(dǎo)體投入GaN-on-GaN制程， nPola產(chǎn)品即將面市

美DOE增投資金助Soraa研究低成本塊狀GaN襯底[譯]

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