海力士半導體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi的Z-RAM存儲技術(shù)授權(quán)

美國加州圣克拉拉市和韓國利川——2007年8月13日——Z-RAM® 高密度存儲知識產(chǎn)權(quán)(IP)開發(fā)商Innovative Silicon Inc（ISi），與海力士(Hynix)半導體有限公司（韓國證券期貨交易所：HynixSemi）今日宣布：海力士已經(jīng)

SEMI預測：08年底300mm晶圓生產(chǎn)能力將增至07年初的2倍

SEMI發(fā)布預測認為，盡管內(nèi)存價格急劇下跌，但今后對300mm晶圓生產(chǎn)設(shè)施的投資仍將持續(xù)。08年底，全球300mm晶圓的生產(chǎn)能力將增至07年初的2倍。SEMI認為，產(chǎn)能擴大的原因是增加了25家新開工的300mm晶圓半導體工廠。

新興存儲技術(shù)突破多 大規(guī)模商用待考

歐洲半導體市場六月份銷售情況喜憂參半

主要DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)商Q2收入大幅下降

主要DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)商Q2收入大幅下降

iSuppli：金士頓居全球DRAM供應(yīng)商排行之首

蘋果占NAND閃存市場1/4 供應(yīng)短缺刺激價格上漲

全球半導體市場持續(xù)成長 亞洲產(chǎn)業(yè)角色吃重

芯片市場低迷造成07半導體設(shè)備市場難有起色

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全球內(nèi)存芯片廠商第二季度財報慘淡

全球內(nèi)存芯片廠商第二季度財報慘淡

DRAM與NAND閃存芯片市場比例報告

市場調(diào)研機構(gòu)iSuppli根據(jù)當前市場競爭價格動蕩局面，以及最新的市場需求分析給出最新報告顯示，DRAM內(nèi)存芯片市場已經(jīng)相對前期從低谷呈現(xiàn)復蘇狀況，而NAND閃存芯片市場也在此期間通過價格和市場需求作出重新調(diào)整