CMOS
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CMOS圖象傳感器已成明日黃花 美光宣布退出？
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市場趨于飽和 CMOS圖象傳感器已經(jīng)日落西山？
在經(jīng)歷了一段時間的瘋狂增長之后，CMOS傳感器市場市場終于衰退下來。 最近有報導稱，在CMOS圖象傳感情市場一片頹勢的情況下，全球最大CMOS圖象傳感器供應商美光公司正在準備剝離這一業(yè)務。 OmniVision、三星、意法
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超高速0.18μm CMOS復接器集成電路設計
CMOS工藝具有價格便宜、集成度高、功耗低的特點。隨著CMOS工藝的發(fā)展，器件特征頻率大幅提高，采用CMOS工藝實現(xiàn)超高速集成電路成為可能。本文給出了使用CMOS工藝設計的單片集成超高速4：1復接器。
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佳能日本建CMOS芯片廠 相機年產(chǎn)量達2400萬
佳能日本建CMOS芯片廠 相機年產(chǎn)量達2400萬
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一種高增益低功耗CMOS運算跨導放大器的設計
本文對增益提高技術的原理和全差分套筒式共源共柵運算放大器進行了分析，在此基礎上設計了一個帶增益提升的全差分折疊式共源共柵運算放大器，它能有效地提高增益，同時對運算放大器的速度及穩(wěn)定性等影響很小。
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意法回應NXP退出 稱Crolles聯(lián)盟不會解散
在NXP半導體宣布2007年底將退出由ST、飛思卡爾和NXP組成的Crolles2聯(lián)盟后，意法半導體(ST)日前表態(tài)稱，該公司將會繼續(xù)致力于Crolles的技術研發(fā)活動。Crolles2聯(lián)盟合作方將在2007年完成45納米CMOS項目，并有效地處理好
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CMOS多頻段低噪聲放大器設計
本設計中的并行式多頻段LNA為單個LNA，但能同時工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號。
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CMOS多頻段低噪聲放大器設計
本設計中的并行式多頻段LNA為單個LNA，但能同時工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號。
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3G核心芯片國產(chǎn)化取得突破
中國3G標準TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的主要芯片成員鼎芯通訊(上海)有限公司日前宣布開始提供自主研發(fā)的TD-SCDMA射頻與模擬基帶工程樣片，這也是國內(nèi)首款CMOS TD-SCDMA射頻芯片組。 據(jù)了解，射頻與數(shù)字基帶并列為無線
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低壓CMOS滿幅度恒定增益運算放大器設計
本文基于標準CMOS工藝，設計了電源電壓低至0.9V的運算放大器。
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2.4GHz動態(tài)CMOS分頻器的設計
對現(xiàn)階段的主流高速CMOS分頻器進行分析和比較．在此基礎上設計一種采用TSPC（truesingle phase clock)和E-TSPC(extended TSPC)技術的前置雙模分頻器電路。
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Marvell推出首款CMOS芯片集成WiFi+藍牙
Marvell公司日前發(fā)布了據(jù)稱是全球首款90納米CMOS芯片Marvell88W8688，這是個應用于移動電話、電池驅動的媒體播放器、便攜式游戲控制臺、智能電話、個人數(shù)字助理和超低耗的計算機平臺的無線局域網(wǎng)+藍牙技術單芯片解決
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集成CMOS對稱式收/發(fā)開關的設計
本文分析了影響對稱式射頻收/發(fā)開關性能的因素，包括柵寬、導通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC 0.35m CMOS工藝進行設計和實現(xiàn)。
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集成CMOS對稱式收/發(fā)開關的設計
本文分析了影響對稱式射頻收/發(fā)開關性能的因素，包括柵寬、導通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC 0.35m CMOS工藝進行設計和實現(xiàn)。
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英飛凌 推出雙頻段RF-CMOS收發(fā)器芯片
