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高通下單 聯(lián)電拉高資本支出
晶圓代工廠聯(lián)電昨（8）日召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，決定調(diào)升今年資本支出至20億美元，讓與會(huì)法人大感意外。聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，因?yàn)榭春眯袆?dòng)裝置芯片需求，且為了承諾客戶提供足夠的40納米及28納米產(chǎn)能，所以才決定提高今年資本
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超微變?cè)O(shè)計(jì) 臺(tái)積最補(bǔ)
處理器大廠美商超微（AMD）昨（3）日舉行分析師日（Analyst Day），果如預(yù)期一般，更新產(chǎn)品線技術(shù)藍(lán)圖，晶圓代工廠臺(tái)積電（2330）成最大贏家，包括拿下新款28納米Southern Islands系列繪圖芯片代工大單，也拿下低功耗
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臺(tái)積電28nm改善更好，預(yù)計(jì)占今年?duì)I收額一成
臺(tái)積電28納米去年底量產(chǎn)后，良率問(wèn)題謠言不斷，臺(tái)積電歐洲子公司總經(jīng)理馬塞德(Maria Marced)近日重申，28納米制程良率改善的進(jìn)度比40納米更好，28納米估可占今年?duì)I收一成。 法人計(jì)算，臺(tái)積電今年?duì)I收在4,000億元以上
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臺(tái)積電28納米估可占今年?duì)I收一成
臺(tái)積電28納米去年底量產(chǎn)后，良率問(wèn)題謠言不斷，臺(tái)積電歐洲子公司總經(jīng)理馬塞德(Maria Marced)近日重申，28納米制程良率改善的進(jìn)度比40納米更好，28納米估可占今年?duì)I收一成。 法人計(jì)算，臺(tái)積電今年?duì)I收在4,000億元以
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臺(tái)積電28納米估可占今年?duì)I收一成
臺(tái)積電28納米去年底量產(chǎn)后，良率問(wèn)題謠言不斷，臺(tái)積電歐洲子公司總經(jīng)理馬塞德（MariaMarced）近日重申，28納米制程良率改善的進(jìn)度比40納米更好，28納米估可占今年?duì)I收一成。法人計(jì)算，臺(tái)積電今年?duì)I收在4,000億元以上
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臺(tái)積電28納米估可占今年?duì)I收一成
臺(tái)積電28納米去年底量產(chǎn)后，良率問(wèn)題謠言不斷，臺(tái)積電歐洲子公司總經(jīng)理馬塞德(Maria Marced)近日重申，28納米制程良率改善的進(jìn)度比40納米更好，28納米估可占今年?duì)I收一成。 法人計(jì)算，臺(tái)積電今年?duì)I收在4,000億元以上
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臺(tái)積28納米比重 拚一成
臺(tái)積電（2330）28納米去年底量產(chǎn)后，良率問(wèn)題謠言不斷，臺(tái)積電歐洲子公司總經(jīng)理馬塞德（Maria Marced）近日重申，28納米制程良率改善的進(jìn)度比40納米更好，28納米估可占今年?duì)I收一成。 法人計(jì)算，臺(tái)積電今年?duì)I收在
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臺(tái)積聯(lián)電景碩 新春好兆頭
可程序邏輯芯片大廠賽靈思（Xilinx）上季營(yíng)收和獲利均優(yōu)于預(yù)期，本季營(yíng)收將成長(zhǎng)2%至6%，是繼英特爾、臺(tái)積電之后，另一家財(cái)報(bào)優(yōu)于預(yù)期的半導(dǎo)體大廠，國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈成員聯(lián)電（2303）、臺(tái)積電、矽品和景碩等可望受惠。賽靈
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春燕來(lái)了 臺(tái)積電Q2開(kāi)始沖
晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）昨（10）日公布12月合并營(yíng)收達(dá)312.42億元，創(chuàng)下22個(gè)月來(lái)單月新低，第4季合并營(yíng)收達(dá)1,047.12億元，落在公司先前預(yù)估區(qū)間上緣，至于去年合并營(yíng)收達(dá)4,270.81億元、續(xù)創(chuàng)歷史新高。 對(duì)于今年
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中芯國(guó)際彭進(jìn)：展望未來(lái)，助力中國(guó)芯
在工業(yè)和信息化部的指導(dǎo)下，由中國(guó)電子工業(yè)科學(xué)技術(shù)交流中心(工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心)(簡(jiǎn)稱CSIP)和濟(jì)南市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)共同主辦的2011中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第六屆“中國(guó)芯”頒獎(jiǎng)典禮于12月
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中芯國(guó)際彭進(jìn)：展望未來(lái)，助力中國(guó)芯
在工業(yè)和信息化部的指導(dǎo)下，由中國(guó)電子工業(yè)科學(xué)技術(shù)交流中心(工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心)(簡(jiǎn)稱CSIP)和濟(jì)南市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)共同主辦的2011中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第六屆“中國(guó)芯”頒獎(jiǎng)
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晶圓代工爭(zhēng)霸 制程決高下
今年全球晶圓代工市場(chǎng)雖然仍由臺(tái)積電、聯(lián)電獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷，但同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)卻愈來(lái)愈激烈，韓國(guó)三星電子挾其來(lái)自記憶體事業(yè)的強(qiáng)勁現(xiàn)金流量支持；格羅方德（GLOBALFOUNDRIES；GF）也有中東主權(quán)基金阿布達(dá)比投資局旗下先進(jìn)技術(shù)投資
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65/40納米供過(guò)于求 成熟制程開(kāi)打低價(jià)戰(zhàn)
資策會(huì)產(chǎn)業(yè)研究所（MIC）指出，晶圓代工明年將跨入2X納米制程競(jìng)爭(zhēng)，恐造成明年65納米及40納米供過(guò)于求局面，使得市場(chǎng)陷入激烈價(jià)格戰(zhàn)。 面對(duì)全球經(jīng)濟(jì)遲緩及科技產(chǎn)品需求轉(zhuǎn)弱，包括顧能（Gartner）等相繼下修明年半
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臺(tái)積電積極布局28納米制程
臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來(lái)將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)，有
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臺(tái)積電積極布局28納米制程
臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來(lái)將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)，有
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臺(tái)積電積極布局28納米制程
臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來(lái)將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)，有
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臺(tái)積電積極布局28納米制程
臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來(lái)將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)，有
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臺(tái)積中科廠 拚20納米
臺(tái)積電（2330）加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來(lái)將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。 外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)
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Exar選擇微捷碼Tekton和QCP加速40納米SoC的簽核
21ic訊 芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)商微捷碼（Magma®）設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布，Exar公司已采用Tekton™靜態(tài)時(shí)序分析和QCP™提取軟件來(lái)加速40納米片上系統(tǒng)(SoC)的簽核和工程變更單(ECO)流程。Exar是在進(jìn)
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瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程
DRAM報(bào)價(jià)直逼歷史低價(jià)，在DRAM產(chǎn)業(yè)籠罩一片低氣壓時(shí)，瑞晶的制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度仍是一馬當(dāng)先，原本預(yù)定2011年底前旗下所有產(chǎn)能都全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程，日前目標(biāo)已提前達(dá)陣，但因母公司爾必達(dá)(Elpida)應(yīng)部分客戶需要40納米制
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