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聯(lián)華電子與美商Spansion合作技術研發(fā)與授權協(xié)議
雙方將共同開發(fā)整合邏輯與閃存技術，以推動高效能低功耗電子產(chǎn)品的問世聯(lián)華電子與閃存解決方案領導廠商Spansion 4日共同宣布，將展開40納米工藝研發(fā)合作，整合聯(lián)華電子40納米LP邏輯工藝，以及Spansion eCTTM (embedd
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聯(lián)電、飛索 技術合作
晶圓代工二哥聯(lián)電（2303）昨（4）日宣布，與快閃存儲器廠美商飛索（Spansion）簽訂技術研發(fā)與授權協(xié)議，雙方將共同開發(fā)集成邏輯與快閃存儲器技術，以推動高效能低功耗電子產(chǎn)品的問世。 聯(lián)電及飛索將展開40納米制
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中芯國際二零一二年第四季度業(yè)績公布
國際主要半導體代工制造商中芯國際集成電路制造有限公司(紐約交易所：SMI;香港聯(lián)交所：981)(“中芯”或“本公司”)近日公布截至二零一二年十二月三十一日止三個月的綜合經(jīng)營業(yè)績。 所有貨幣
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中芯國際二零一二年第四季度業(yè)績公布
國際主要半導體代工制造商中芯國際集成電路制造有限公司(紐約交易所：SMI;香港聯(lián)交所：981)(“中芯”或“本公司”)近日公布截至二零一二年十二月三十一日止三個月的綜合經(jīng)營業(yè)績。所有貨幣以美元
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智原與聯(lián)電合作產(chǎn)出40納米三億邏輯閘SoC
聯(lián)華電子與ASIC設計服務領導廠商智原科技日前共同宣布，雙方因應客戶需求，已經(jīng)完成并交付3億邏輯閘(300-milliongatecount)系統(tǒng)單芯片解決方案。此款高復雜度SoC的產(chǎn)出，主要奠基于雙方豐富的設計、生產(chǎn)經(jīng)驗、先進的
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燦芯半導體40納米項目累計達兩位數(shù)
燦芯半導體宣布與客戶合作開發(fā)的40納米芯片設計項目數(shù)量累計達到十個，這些項目均基于中芯國際的40納米制造工藝。燦芯半導體開發(fā)的先進技術芯片廣泛應用于高成長的移動設備領域，如智能手機。燦芯半導體的40納米項目
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燦芯半導體40納米項目累計達兩位數(shù)
上海，2013年1月9日-- 國際領先的ASIC設計公司及一站式服務供應商，燦芯半導體(上海)有限公司(以下簡稱“燦芯半導體”)今日宣布與客戶合作開發(fā)的40納米芯片設計項目數(shù)量累計達到十個，這些項目均基于中芯國
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聯(lián)電40納米年底占比15%，Q4續(xù)處分業(yè)外轉投資
聯(lián)電(2303)執(zhí)行長孫世偉表示，40納米制程于今年底到達15%營收的內(nèi)部目標可望提前完成。先進制程的28納米進度符合預期。此外，第四季將持續(xù)處分業(yè)外持股以緩和認列日本子公司損失對損益的影響。 聯(lián)電公司指出，40納米
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中芯國際實現(xiàn)32-28納米芯片國內(nèi)量產(chǎn)“零”突破
中芯國際二期項目日前在北京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)奠基，將建設2條產(chǎn)能各為3.5萬片的生產(chǎn)線。建成后將實現(xiàn)技術水平為32-28納米的芯片在國內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破，進一步減弱國內(nèi)高技術芯片對進口的依賴。該項目是本市
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中芯國際32－28納米芯片將量產(chǎn) 緩解進口依賴癥
中芯國際二期項目日前在北京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)奠基，將建設2條產(chǎn)能各為3.5萬片的生產(chǎn)線。建成后將實現(xiàn)技術水平為32-28納米的芯片在國內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破，進一步減弱國內(nèi)高技術芯片對進口的依賴。該項目是本市繼京東方8
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中芯國際32-28納米芯片將量產(chǎn) 緩解進口依賴癥
昨日，中芯國際二期項目在北京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)奠基，將建設2條產(chǎn)能各為3.5萬片的生產(chǎn)線。建成后將實現(xiàn)技術水平為32-28納米的芯片在國內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破，進一步減弱國內(nèi)高技術芯片對進口的依賴。該項目是本市繼京東方
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中芯國際32-28納米芯片將量產(chǎn) 緩解進口依賴癥
昨日，中芯國際二期項目在北京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)奠基，將建設2條產(chǎn)能各為3.5萬片的生產(chǎn)線。建成后將實現(xiàn)技術水平為32-28納米的芯片在國內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破，進一步減弱國內(nèi)高技術芯片對進口的依賴。該項目是本市繼京東方
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中芯國際32-28納米芯片將量產(chǎn)
本報訊（記者 湯一原 實習記者 孫奇茹）昨日，中芯國際二期項目在北京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)奠基，將建設2條產(chǎn)能各為3.5萬片的生產(chǎn)線。建成后將實現(xiàn)技術水平為32-28納米的芯片在國內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破，進一步減弱國內(nèi)高技術
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40納米500MHz DSP核心的時鐘設計與分析
在低于40納米的超深亞微米VLSI設計中，時鐘樹網(wǎng)絡在電路時序收斂、功耗、PVT變異容差和串擾噪聲規(guī)避方面所起的作用要更重要得多。高性能DSP芯片會有大量關鍵時序路徑，會要求時鐘偏斜超低的全局時鐘分布。兩點間時鐘
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40納米倒下 28納米站起 晶圓雙雄營收穩(wěn)步上揚
雖然晶圓雙雄40納米以上產(chǎn)品面臨產(chǎn)能松動，吸引客戶下單僅能打價格牌，但在高單價的28納米制程營收占比持續(xù)放大挹注下，臺積電、聯(lián)電平均晶圓報價（ASP）上揚趨勢仍然不變。晶圓雙雄今年力拚28納米與40納米先進制程，
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40納米倒下 28納米站起 晶圓雙雄營收穩(wěn)步上揚
雖然晶圓雙雄40納米以上產(chǎn)品面臨產(chǎn)能松動，吸引客戶下單僅能打價格牌，但在高單價的28納米制程營收占比持續(xù)放大挹注下，臺積電、聯(lián)電平均晶圓報價（ASP）上揚趨勢仍然不變。晶圓雙雄今年力拚28納米與40納米先進制程，
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全球LTE商用網(wǎng)絡已達95個 美日韓三國占9成用戶
工信部電信研究院標準化研究所所長王志勤日前介紹，在6月份全球LTE商用網(wǎng)絡已經(jīng)達到了95個，其中也有7個是TDD的，還有2個是混合網(wǎng)絡的。她表示， 去年全球LTE基站數(shù)已經(jīng)達到了10萬個，比較集中在北美，日韓等國家，
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拉升淡季產(chǎn)能 臺積、聯(lián)電變相降價
圖／經(jīng)濟日報提供 半導體業(yè)界傳出，臺積電、聯(lián)電為提升產(chǎn)能利用率，9月起針對40納米以上營收主力制程，祭出價格折讓，并恢復自然跌價等淡季措施，等于「變相降價」，降幅上看5%，藉此穩(wěn)住第4季毛利率。 臺積電、
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聯(lián)電 營收成長可期
聯(lián)電第2季營收季增16.2%，小幅超越公司預期的15% 財測，加上臺積電28納米供不應求，聯(lián)電順勢承接高通題材，第3季營收成長受到市場期待。聯(lián)電日前除息，除息參考價為12.5元，上周五（13）日以12元作收，下跌0.05元。法
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聯(lián)電、萊迪思 結盟長期技術伙伴
聯(lián)電(2303)今日宣布與美商萊迪思半導體(Lattice)建立長期技術伙伴關系。雙方將在聯(lián)華電子先進制程平臺上，持續(xù)現(xiàn)有的努力，攜手制造萊迪斯的非揮發(fā)性產(chǎn)品，并且進而將此合作關系迅速拓展到萊迪思其它的產(chǎn)品線上。萊迪
