晶圓代工廠聯電昨（8）日召開法說會，決定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執(zhí)行長孫世偉表示，因為看好行動裝置芯片需求，且為了承諾客戶提供足夠的40納米及28納米產能，所以才決定提高今年資本支出。

據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單。

聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置芯片訂單，要建置足夠的40納米及28納米產能，所以今年資本支出合計將拉高到20億美元、年增25％。

法人表示，相較于臺積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置芯片的滲透率，對訂單掌握度也愈來愈高。

孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來移動通信與運算市場的高階芯片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整布建40納米及28納米解決方案，持續(xù)與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，并承諾提供充分產能，所以今年資本支出將增加到20億美元。

孫世偉強調，聯電并不盲目擴充產能，此投資計劃經過審慎評估，完整考量聯電在不同階段下高階制程成熟程度，以及客戶產能需求，以現階段28納米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位后將帶來豐厚的收獲。

聯電預估，今年底40納米占營收比重將達15％，28納米亦可達到5％，聯電已完成10項28納米芯片設計定案（tape-out），其中一顆28納米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆芯片是德儀最新款OMAP 5多核心應用處理器。

另外，聯電也開始布建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，并為客戶完成40納米及28納米制程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯電與封測廠將建立開放式技術平臺，以提供最適切的服務，與爾必達及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。