Kilopass在TSMC 40nm與45nm低功率工藝中提供邏輯非易失性存儲器

Kilopass Technology Inc. 宣布，該公司的XPM嵌入式一次性可編程 (OTP) 非易失性存儲器技術(shù)率先在TSMC 40nm和45nm低功率工藝技術(shù)中完成TSMC IP-9000四級認(rèn)證與偏差鑒定。此外，Kilopass 40/45nm一次性可編程技術(shù)的早

Kilopass在TSMC 40nm與45nm低功率工藝中提供邏輯非易失性存儲器

加州圣塔克拉拉--(美國商業(yè)資訊)--半導(dǎo)體邏輯非易失性存儲器 (NVM) 知識產(chǎn)權(quán) (IP) 領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商Kilopass Technology Inc. 今天宣布，該公司的XPM?嵌入式一次性可編程 (OTP) 非易失性存儲器技術(shù)率先在TSMC? 40nm和

三星電子為其代工業(yè)務(wù)購買Kilopass的嵌入式非易失性存儲器技術(shù)許可

加州圣克拉拉--(美國商業(yè)資訊)--半導(dǎo)體邏輯非易失性存儲器(NVM)知識產(chǎn)權(quán)的領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今天宣布，三星電子株式會(huì)社(Samsung Electronics Co., Ltd)將在其代工業(yè)務(wù)的先進(jìn)邏輯工藝中采用Kilopa

32Kb 非易失性存儲器（Ramtron）

Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32，提供具高速讀/寫性能、低電壓運(yùn)行，以及出色的數(shù)據(jù)保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存儲器，工作電壓為2.7V至3.6V，采用8腳SOIC封裝，

阻變型非易失性存儲器單元電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與Spice仿真

O 引 言 隨著微電子工藝進(jìn)入45 nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，基于傳統(tǒng)浮柵MOSFET結(jié)構(gòu)的FLASH存儲器將遇到極為嚴(yán)重的挑戰(zhàn)，相鄰存儲器件單元之間的交叉串?dāng)_(Cross—Talk)變得顯著而無法忽略。對此學(xué)術(shù)界和工業(yè)界主要從阻變型非易

阻變型非易失性存儲器單元電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與Spice仿真

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嵌入式非易失性存儲器在汽車系統(tǒng)中的應(yīng)用

不同系統(tǒng)對非易失性存儲器(NVM)的要求不同，但無一例外都希望它便宜、可靠、安全并易于在系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)。本文深入探討了一些常見應(yīng)用，闡述了它們所需要的存儲器要求和特性。

非易失性存儲器暗中走熱，成為JEDEC會(huì)議的“神秘之星”？

最近在德國慕尼黑舉行的會(huì)議上，JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織討論了有關(guān)改進(jìn)一系列與存儲器相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的問題，并創(chuàng)建了一個(gè)新的固態(tài)硬盤委員會(huì)，重新開始推動(dòng)行業(yè)向閃存式硬盤的過渡。 來自三星的新JC-64工作組主席Mian Quddus表示：

Philips積極開發(fā)嵌入式非易失性存儲器

Philips積極開發(fā)嵌入式非易失性存儲器

一種新型非易失性存儲器的原理及應(yīng)用

ST在未來的非易失性存儲器開發(fā)中取得進(jìn)步

半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體日前宣布該公司在開發(fā)新型的最終可能會(huì)取代閃存的電子存儲器中取得重大進(jìn)步，這種新的技術(shù)叫做換相存儲器（PCM），其潛在性能優(yōu)于閃存，優(yōu)點(diǎn)包括更快的讀寫速度、更高的耐用性，以及向單個(gè)存儲