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英飛凌推出新型ID Key S USB，擴(kuò)展其USB 令牌安全控制器產(chǎn)品組合，進(jìn)一步提升其安全性與多功能性
【2025年7月24日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出新型英飛凌ID Key系列，進(jìn)一步擴(kuò)展其通用串行總線（USB）令牌、加密狗、安全密鑰及其他基于硬件的鑒權(quán)應(yīng)用場(chǎng)景。新推出的ID Key S USB是一款高安全且功能多樣的產(chǎn)品，專(zhuān)為各類(lèi)USB及USB/NFC令牌設(shè)備與應(yīng)用設(shè)計(jì)。ID Key S USB集成了英飛凌SLC38安全控制器的集高安全性、高性能及高可靠性, 并與USB橋接控制器合封在一個(gè)獨(dú)立模塊中，是一款獨(dú)特的系統(tǒng)級(jí)合封方案。
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非易失性存儲(chǔ)器（NVM）的耐久性增強(qiáng)技術(shù)，算法和材料分析
在數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的時(shí)代，非易失性存儲(chǔ)器(NVM)憑借斷電數(shù)據(jù)不丟失的特性，成為數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的核心組件。然而，其耐久性瓶頸——如PCM的寫(xiě)入次數(shù)限制、RRAM的電阻漂移、Flash的擦寫(xiě)壽命衰減等問(wèn)題，正制約著技術(shù)的進(jìn)一步普及。從算法優(yōu)化到材料創(chuàng)新，全球科研機(jī)構(gòu)正通過(guò)多維度技術(shù)突破，將NVM的寫(xiě)入壽命從十萬(wàn)次提升至千萬(wàn)次量級(jí)，為存儲(chǔ)革命注入新動(dòng)能。
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貿(mào)澤電子2024年新增逾60家供應(yīng)商 持續(xù)為客戶擴(kuò)大產(chǎn)品代理陣容
2025年2月6日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 于2024年新增超過(guò)60家供應(yīng)商，產(chǎn)品代理陣容持續(xù)擴(kuò)大，為廣大電子設(shè)計(jì)工程師與采購(gòu)人員提供了更加多元化的選擇。貿(mào)澤為客戶提供各類(lèi)先進(jìn)產(chǎn)品，讓設(shè)計(jì)人員輕松獲得各項(xiàng)新技術(shù)，協(xié)助其加快產(chǎn)品上市速度。
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存儲(chǔ)器的工作原理是什么?非易失性存儲(chǔ)器有哪些?
為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)存儲(chǔ)器的工作原理以及非易失性存儲(chǔ)器的具體類(lèi)型予以介紹。
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英飛凌推出采用28nm芯片技術(shù)的SECORA? Pay 產(chǎn)品組合
具有將出色的交易性能與易于集成的全系統(tǒng)解決方案相結(jié)合的特性
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意法半導(dǎo)體強(qiáng)化數(shù)字電源二合一控制器，提高過(guò)載時(shí)電源穩(wěn)定性和調(diào)壓準(zhǔn)確度
2023 年 1 月 3 日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體的STNRG011A數(shù)字電源二合一控制器適用于 90W 至 300W 電源，強(qiáng)化了過(guò)載管理功能，確保在過(guò)流保護(hù)功能激活時(shí)輸出電壓調(diào)整準(zhǔn)確。
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英飛凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON? F-RAM非易失性存儲(chǔ)器已開(kāi)始批量供貨
【2022年11月22日，德國(guó)慕尼黑訊】近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布該公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON? F-RAM存儲(chǔ)器（鐵電存取存儲(chǔ)器）開(kāi)始批量供貨。該系列儲(chǔ)存器是業(yè)界功率密度最高的串行F-RAM存儲(chǔ)器，能夠滿足新一代汽車(chē)和工業(yè)系統(tǒng)對(duì)非易失性數(shù)據(jù)記錄的需求，防止在惡劣的工作環(huán)境中丟失數(shù)據(jù)。新存儲(chǔ)器的工作電壓范圍為1.71 V至3.6 V，借助低引腳數(shù)接口，該器件可支持高達(dá)54MBps的數(shù)據(jù)吞吐量，并且采用了符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的24-ball FBGA封裝。
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意法半導(dǎo)體非易失性存儲(chǔ)器取得突破，率先在業(yè)界推出串行頁(yè)EEPROM
2022 年 6 月 30 日，中國(guó)—— 依托在串行EEPROM技術(shù)領(lǐng)域的積累和沉淀，意法半導(dǎo)體率先業(yè)界推出了串行頁(yè)EEPROM (Serial Page EEPROM)。這款全新類(lèi)別的EEPROM 是一種SPI串行接口的高容量頁(yè)可擦除存儲(chǔ)器，擦寫(xiě)靈活性、讀寫(xiě)性能和超低功耗獨(dú)步業(yè)界，前所未有。意法半導(dǎo)體新的串行頁(yè)EEPROM產(chǎn)品家族前期先推出32Mbit 的M95P32，稍后在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候增加16Mbit 和 8Mbit 產(chǎn)品。
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擴(kuò)大中國(guó)投資！SK海力士在大連建設(shè)新晶圓工廠
愛(ài)思開(kāi)海力士·英特爾DMTM半導(dǎo)體(大連)有限公司非易失性存儲(chǔ)器項(xiàng)目在大連金普新區(qū)舉行開(kāi)工儀式。該項(xiàng)目將建設(shè)一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。
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賽普拉斯推出全新Excelon F-RAM 高速、高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器系列
先進(jìn)嵌入式解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼：CY)近日宣布推出新型串行非易失性存儲(chǔ)器系列，為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)采集提供卓越性能和高可靠性。Excelon™鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM™)系列具有高速非易失性數(shù)據(jù)記錄功能，即使在惡劣的汽車(chē)和工業(yè)環(huán)境中，以及處于極端溫度的情況下均可防止數(shù)據(jù)的丟失。ExcelonAuto系列具有2Mb至4Mb的汽車(chē)級(jí)存儲(chǔ)密度，而ExcelonUltra系列具有4Mb至8Mb的工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)密度。這兩個(gè)系列均提供低引腳數(shù)的小型封裝選項(xiàng)，是各類(lèi)先進(jìn)汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。
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如何給汽車(chē)系統(tǒng)選擇合適的非易失性存儲(chǔ)器
汽車(chē)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來(lái)越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ?，如高?jí)駕駛輔助，圖形儀表，車(chē)身控制和車(chē)輛信息娛樂(lè)系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來(lái)檢索用途。
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用于系統(tǒng)級(jí)芯片的納米晶非易失性存儲(chǔ)器
基于不斷發(fā)展的硅技術(shù)的集成電路使得集成了若干模塊的復(fù)雜SoC的制造得以實(shí)現(xiàn)。最早的SoC是微控制器，其中包括CPU、緩存SDRAM和用于連接傳感器和制動(dòng)器(actuator)的外設(shè)模塊
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英特爾中國(guó)工廠轉(zhuǎn)型，將轉(zhuǎn)產(chǎn)“非易失性存儲(chǔ)器”
近日，在英特爾扎根中國(guó)市場(chǎng)30年之際，英特爾正式宣布將計(jì)劃升級(jí)其大連工廠，將轉(zhuǎn)產(chǎn)為“非易失性存儲(chǔ)器”制造。未來(lái)，英特爾預(yù)計(jì)對(duì)此項(xiàng)目投資高達(dá)55億美元，是英特爾迄今在中國(guó)的最大一筆投資。
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英特爾深度解析2015固態(tài)盤(pán)技術(shù)及市場(chǎng)戰(zhàn)略
為幫助企業(yè)及消費(fèi)用戶進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)處理效率及利用率、突破存儲(chǔ)瓶頸，英特爾公司于今天在京舉辦了2015英特爾固態(tài)盤(pán)媒體溝通會(huì)，在解讀2015年英特爾固態(tài)盤(pán)市場(chǎng)的最新戰(zhàn)略的
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用于系統(tǒng)級(jí)芯片的納米晶非易失性存儲(chǔ)器
基于不斷發(fā)展的硅技術(shù)的集成電路使得集成了若干模塊的復(fù)雜SoC的制造得以實(shí)現(xiàn)。最早的SoC是微控制器，其中包括CPU、緩存SDRAM和用于連接傳感器和制動(dòng)器(actuator)的外設(shè)模塊
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一種新型非易失性存儲(chǔ)器的原理及應(yīng)用
縱觀目前低容量并行接口的非易失存儲(chǔ)器市場(chǎng)，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占據(jù)了市場(chǎng)主流，其中EEPROM的供應(yīng)廠家很多，其中以ATMEL，ST等廠家占主導(dǎo)地位，F(xiàn)RAM只有美國(guó)
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云動(dòng)科技：非易失性存儲(chǔ)器NVDIMM為服務(wù)器提供更高保障
云動(dòng)超級(jí)內(nèi)存NVDIMM傳統(tǒng)的服務(wù)器在面對(duì)突然掉電的時(shí)候，一般都是采用UPS供電的方式來(lái)解決可靠性問(wèn)題，這種方式在一些極端情況下并不是萬(wàn)無(wú)一失，如果很多數(shù)據(jù)在內(nèi)存中運(yùn)行，有可能造成關(guān)鍵應(yīng)用宕機(jī)。為了解決這一難題
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Ramtron：窄眾市場(chǎng)一樣能收獲成功
2010年不光是對(duì)大規(guī)模半導(dǎo)體廠商來(lái)說(shuō)是興奮的一年，但有相當(dāng)多關(guān)注窄眾市場(chǎng)的半導(dǎo)體公司同樣收獲了成功，Ramtron就是這么一家。2010年鐵電存儲(chǔ)器市場(chǎng)較09年激增50%以上，公
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賽普拉斯推出快速寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品系列
21ic訊 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，該公司在其產(chǎn)品系列中整合了Ramtron International的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)產(chǎn)品，提供了市場(chǎng)上最豐富的快速寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器容量范圍選擇。F-RAM是業(yè)界最低功耗的非易失性
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Cypress溢價(jià)71%收購(gòu)Ramtron，交易價(jià)值約1.098億美元
Cypress Semiconductor Corporation 和Ramtron International Corporation 達(dá)成了一項(xiàng)確定性并購(gòu)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，Cypress將以每股3.10美元的價(jià)格以現(xiàn)金收購(gòu)Ramtron的所有普通股。這項(xiàng)交易的價(jià)值大約為1.098億美元 (不
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