皇家飛利浦電子公司（Philips）今天宣布其0.18微米CMOS嵌入式閃存/EEPROM技術(shù)現(xiàn)已完全符合Grade-1汽車電子應(yīng)用的需求，而其先進(jìn)的0.14微米嵌入式閃存/EEPROM已開始在位于荷蘭奈梅亨市的晶圓廠進(jìn)行量產(chǎn)，這也是飛利浦第二家符合這一工藝生產(chǎn)要求的工廠。這兩項(xiàng)最新的發(fā)展是飛利浦產(chǎn)品發(fā)展規(guī)劃中的重要里程碑，表明公司獨(dú)特的低功耗閃存/EEPROM技術(shù)已擴(kuò)展到90納米CMOS甚至更先進(jìn)的水平。

嵌入式閃存和EEPROM存儲(chǔ)器已成為當(dāng)今許多片上系統(tǒng)解決方案的一個(gè)重要組成部分。它不但提供了在生產(chǎn)線上用不同的軟件對(duì)這些芯片進(jìn)行編程或進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)軟件升級(jí)的能力，還實(shí)現(xiàn)了對(duì)重要的本地?cái)?shù)據(jù)例如PIN密碼或地址簿信息的存儲(chǔ)，并且可以在設(shè)備斷電的時(shí)候保留這些數(shù)據(jù)。典型的應(yīng)用包括手機(jī)、電視機(jī)、MP3播放器和智能卡、以及電線驅(qū)動(dòng)的汽車電子系統(tǒng)。

技術(shù)細(xì)節(jié)

不同于絕大多數(shù)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)采用溝道熱電子（CHE）注入進(jìn)行存儲(chǔ)器單元編程以及富雷一諾特海姆式進(jìn)行隧穿及擦除，飛利浦的閃存/EEPROM技術(shù)在編程和擦除方面都采用了富雷一諾特海姆式隧穿。其存儲(chǔ)器單元低功耗的結(jié)果是飛利浦0.18微米閃存能夠完全符合Grade-1（125℃環(huán)境溫度）要求的原因之一。這使得這一工藝適用于實(shí)現(xiàn)飛利浦正在為汽車電子應(yīng)用（例如支持FlexRay的電線驅(qū)動(dòng)的系統(tǒng)）開發(fā)的強(qiáng)大的基于ARM的微控制器。低功耗也是EEPROM技術(shù)高度適用于智能卡的原因，尤其是那些非接觸智能卡，它們需要從RF域獲取操作能源來進(jìn)行卡到讀卡器以及讀卡器到卡的通信。在這些應(yīng)用中，超低功耗是一個(gè)非常重要的設(shè)計(jì)要求。

飛利浦的0.14微米閃存/EEPROM現(xiàn)已在飛利浦設(shè)于奈梅亨的晶圓廠開始量產(chǎn)并用于包括飛利浦UOCIII超級(jí)單片（Ultimate One Chip）電視在內(nèi)的應(yīng)用中，它為設(shè)計(jì)者開發(fā)了一個(gè)設(shè)計(jì)環(huán)境使得他們能夠?qū)⒖蓴U(kuò)展和不可擴(kuò)展的IP集成到同一個(gè)芯片上。這一結(jié)果解決了不同IP塊（例如：閃存/EEPROM、模擬、SRAM和I/O塊）可擴(kuò)展性不同的問題。由此，設(shè)計(jì)者有了一個(gè)轉(zhuǎn)向同0.13微米CMOS相比更具成本優(yōu)勢(shì)的工藝，不需要承擔(dān)完全重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)，并且沒有額外的銅線互連、193納米平板刻法和300納米晶圓處理的工藝復(fù)雜問題。還有一個(gè)優(yōu)勢(shì)是標(biāo)稱供應(yīng)電壓維持在1.8伏。它不必像在標(biāo)準(zhǔn)0.13微米技術(shù)中那樣降到1.2伏特。因此，產(chǎn)品系列可以很容易得到擴(kuò)充，而不必在產(chǎn)品規(guī)范中對(duì)供應(yīng)電壓進(jìn)行變動(dòng)。

對(duì)于那些希望從可再編程代碼轉(zhuǎn)向固定代碼的客戶，飛利浦提供了一個(gè)“閃存到ROM”的轉(zhuǎn)換服務(wù)。這一服務(wù)也正處于實(shí)現(xiàn)符合0.14微米工藝汽車電子應(yīng)用要求的過程中。飛利浦還開發(fā)了一個(gè)16K字節(jié)的EEPROM塊，用于它的IP黃頁（IP Yellow Page）和Nx-Builder片上系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程。這一存儲(chǔ)器塊能夠同閃存一起使用，從而增加字節(jié)寫功能。