基于不斷發(fā)展的硅技術的集成電路使得集成了若干模塊的復雜SoC的制造得以實現。最早的SoC是微控制器，其中包括CPU、緩存SDRAM和用于連接傳感器和制動器(actuator)的外設模塊。非易失性存儲器即使在系統(tǒng)斷電時也能保存信息，已經在很多年前就嵌入到SoC中了，最初是用在摩托羅拉公司1982推出的MC68HC11中。這種微控制器用在很多汽車、工業(yè)和消費應用中，包括汽車引擎蓋內這種惡劣的環(huán)境。

從用戶來看，數據和代碼都可以存儲在非易失性存儲器中。盡管最初提供了可字節(jié)擦除的EEPROM和塊可擦除的閃存EEPROM，但當前的SoC僅提供閃存EEPROM用于代碼和數據存儲，因為其擦除次數已經增加到大于100,000次，這已經足夠了。在SoC中嵌入閃存的好處包括快速的隨機存取，速度在15~20納秒之間，并且信息存儲安全，不會為程序破譯者留下任何可見的物理代碼痕跡。

為在SoC中獲得非易失性存儲，廠商對CMOS邏輯基線工藝(baseline process)進行修改，以將制造閃存EEPROM位元(bitcell)所必要的工藝步驟以及支持器件，如外圍高壓晶體管包括進去。嵌入式NVM設計的技術性在于對用戶功能需求、可制造性和可靠性之間進行平衡。

邏輯擴展和浮柵NVM

大多數的傳統(tǒng)嵌入式非易失性存儲器基于在“浮柵”中的電荷存儲的原理，浮柵是完全封閉在像二氧化硅這樣的絕緣體內的多晶硅。信息按存儲在浮柵上的電荷數進行編碼，通過熱載流子注入或“經過”絕緣體的量子力學隧道技術移入或移出在浮柵上的電荷，來對信息進行改變。這些操作需要大約±9V的較高電壓，這個電壓通常由片上的電荷泵來產生。

近幾年來，產業(yè)界發(fā)現在浮柵周圍的絕緣體厚度有限，大約為8到10納米，不能獲得足夠的可靠性。因此，為實現嵌入式閃存，能應對±9V寫/擦除電壓的相對較低性能的高壓晶體管必須與高性能低壓(≈1V)和輸入/輸出(2.2V或3.3V)晶體管配對。如果需要很短的讀取訪問時間，高壓晶體管占用的面積會比電荷存儲“位元”占用的面積大很多，這會導致嵌入閃存EEPROM將占用很大的硅片面積。

離散電荷存儲選擇與局限

基于浮柵的閃存位元的主要局限是，其周圍的絕緣體的一個缺陷就會導致全部電荷丟失。因此，在針對高可靠性應用的很多SoC中，都采用了錯誤校正。另外一個增加閃存的可靠性的可選方法是用包含很多離散電荷存儲區(qū)域的薄膜來替代浮柵。這種薄膜可以首先制造成夾層結構：可以存儲大量電荷的氮化硅或氧硫化硅層，兩邊是二氧化硅層(SONOS)，然后在兩個二氧化硅層之間嵌入硅或金屬納米晶。

氮化硅的集成與基線CMOS工藝非常兼容，因此最近幾年作為離散電荷存儲的一種選擇受到歡迎。SONOS器件的局限性在于，為使其可以在低電壓下可工作，氮化物下面的介電材料的厚度必須大大地降低到1~2納米的范圍。這樣薄的介電閃存位元在閃存大量的編程和擦除應用后，將受制于電荷增益的不足。一些公司通過大大地增加底部的介電材料厚度到7~8納米，來嘗試解決電荷增益問題。然而，對于這樣厚的介電材料，電子將不能通過量子力學在氮化物中出入，因此必須在氮化物中注入熱孔(hot hole)來轉移電荷。熱孔的注入會導致介電材料嚴重劣化，導致閃存位元嚴重的可靠性問題，特別是對于用在惡劣的汽車環(huán)境中。

納米晶閃存的性能

另一方面，利用硅材料或金屬納米晶制造的閃存存儲器很容易克服氮化物帶來的局限性。來自不同公司的研究者都已經能使用可量產的設備來產生可反復制造的硅納米晶。這些納米晶的直徑為5~10納米，可以使用前面在硅浮柵中采用的相同物理機制來充電或放電。由于在每個位元的冗余電荷存儲，絕緣材料可以在 8~10納米和5~6納米之間變化，依然能采用量子力學隧道技術在低電壓下擦除。較低的寫/擦除電壓可以使閃存模塊面積更低。而且，因為沒有影響浮柵的電容耦合效應，納米晶位元門檻電壓的分布可以比浮柵窄40%，因此可以采用更低的讀取電壓。

架構選擇

第一款實驗性的納米晶閃存測試芯片采用傳統(tǒng)的NOR共源架構(1T)，4到24兆位密度，并對電荷保持能力進行了深入的研究。通過采用分離柵結構 (1.5T)實現更大的成本降低，在這種架構中，溝道區(qū)域由電荷存儲區(qū)與一個帶薄氧化物的選擇柵共享，這里的氧化物通常與SoC中的低電壓高性能晶體管中用的氧化物相同。在這種位元結構中，在讀操作期間只有選擇柵被切換，以選擇或取消選擇存儲器陣列中的一個位元，實現快速的讀操作。

此外，分離柵架構通過兩種方法減小閃存模塊面積：首先，1.5T位元將位元的讀側和編程側分開，允許在數據位線上利用高性能低電壓晶體管作為在存儲器陣列上的選擇晶體管，可以減少非存儲器晶體管占用的面積;其次，所有閃存相關的操作，即編程、擦除和讀操作都可以使用單極電壓來執(zhí)行，對基于N溝道的閃存用正電壓，這樣就減少電荷泵站用的硅片面積?；谶@些1.5T位單元的陣列設計一直在基于浮柵的存儲器中很受歡迎，但是基于納米晶的1.5T位單元具有額外的優(yōu)勢，可以在電荷存儲區(qū)之上提供獨立的柵控制(控制柵)，實現更低密度和更快讀取的性能優(yōu)化。

32納米可擴展性

將納米閃存縮小到32納米以及以下尺寸的關鍵是獲得納米晶尺寸的高度一致性，以及改善覆蓋納米晶的沉積介電材料的質量。納米晶尺寸的一致性取決于納米晶生長參數，可以進行優(yōu)化獲得納米晶尺寸的緊湊分布。覆蓋納米晶上面的沉積介電材料的質量可以通過采用不同的廣為人知的方法來大大地提高，例如高溫退火、氮的結合、沉積速度調整等等。對于1.5T器件，將薄的氧化物用于選擇柵，通過降低短溝道效應可以幫助縮減到32納米以及更低。

本文小結

總之，人們將硅納米晶作為在微控制器中集成非易失性閃存的電荷存儲介質進行了研究，現在制造工藝已經足夠成熟，重復的納米晶生長已經不是問題。使用納米晶實現的優(yōu)勢包括改善可靠性和減小硅片尺寸，這些都使其成為下一代嵌入式微控制器的一個非常具有吸引力的選擇。當前的工作是優(yōu)化滿足客戶對性能和可靠性要求的陣列架構，以及基于硅納米晶微控制器的產品化。