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三星研究所CEO：硅技術(shù)將向10nm發(fā)展
韓國(guó)三星先進(jìn)技術(shù)研究所總裁兼CEO Kinam Kim 博士在2012年中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)(CSTIC2012)帶來(lái)主題為“探索硅技術(shù)的前景(Exploring Si Technology’s Horizon)”的精彩演講。Kim博士表示，閃存技術(shù)
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瑞薩發(fā)布首款嵌入式閃存技術(shù)
瑞薩發(fā)布首款嵌入式閃存技術(shù)
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閃存技術(shù)正悄然替代硬盤
改變IT世界三大力量之 閃存的故事 未來(lái)10年，對(duì)計(jì)算機(jī)改變最大的技術(shù)。 解決計(jì)算機(jī)硬盤性能瓶頸，正在逐步替代硬盤的閃存。 話說(shuō)現(xiàn)代計(jì)算機(jī)，都是依據(jù)馮·諾依曼型原理開(kāi)發(fā)的，俗稱馮&mi
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蘋(píng)果收購(gòu)閃存技術(shù)廠商Anobit，可以將iPad的存儲(chǔ)容量提高一倍
北京時(shí)間12月20日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，蘋(píng)果已經(jīng)以5億美元價(jià)格收購(gòu)了以色列閃存技術(shù)廠商Anobit。報(bào)道稱，Anobit管理層正在集合員工以正式宣布公司被蘋(píng)果收購(gòu)的消息。上周有媒體報(bào)道稱，蘋(píng)果正在同Anobit進(jìn)行談判，打
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瑞薩領(lǐng)先業(yè)界開(kāi)發(fā)出40nm工藝的MCU混載閃存技術(shù)
試制的40nm閃存混載芯片瑞薩電子2011年12月14日宣布開(kāi)發(fā)出了40nm工藝的MCU混載閃存技術(shù)。采用該技術(shù)的首款產(chǎn)品——車載閃存混載MCU預(yù)定2012年初秋開(kāi)始樣品供貨。目前正在量產(chǎn)的閃存混載MCU，即使是最高端產(chǎn)
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Fusion-io上市首日大漲18.42% 兩度上調(diào)發(fā)行價(jià)
北京時(shí)間6月10日，美國(guó)閃存技術(shù)公司Fusion-io周四登陸紐交所，發(fā)行價(jià)每股19美元。Fusion-io以每股25美元開(kāi)盤，股價(jià)一度走高至33美元，截至收盤大漲18.42，報(bào)每股11.50美元，目前總市值15.1億美元。6月7日，公司宣
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英特爾稱其20納米閃存技術(shù)領(lǐng)先三星 今年下半年將開(kāi)始量產(chǎn)8GB產(chǎn)品
英特爾與美光稱上周宣布了20納米Nand閃存制造技術(shù)，英特爾稱利用這一技術(shù)將有望制造出業(yè)界體積最小、密度最高的閃存裝置。英特爾的非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案部門的總經(jīng)理TomRampone表示，“英特爾與美光的合作是制造業(yè)的
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東芝升級(jí)24納米閃存技術(shù)
東芝日前對(duì)旗下24納米工藝閃存芯片進(jìn)行升級(jí)并推出了最新SmartNAND系列產(chǎn)品，東芝此次閃存升級(jí)可能是在為蘋(píng)果下一代iPhone 5手機(jī)的發(fā)布做準(zhǔn)備。SmartNAND系列產(chǎn)品基于24納米制程工藝，芯片最大容量可達(dá)64GB，適用于媒
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愛(ài)迪德獲得 CCBN2011“科技創(chuàng)新國(guó)際貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”
北京2011年4月1日電 /美通社亞洲/ -- 全球領(lǐng)先的軟件安全和媒體技術(shù)公司愛(ài)迪德今日宣布，公司條件接收系統(tǒng)3.0（CAS 3.0）獲得了由中國(guó)廣播電視設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)頒發(fā)的“科技創(chuàng)新國(guó)際貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”。愛(ài)迪德的 CAS 3.0可以幫助廣
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GlobalFoundries攜手飛思卡爾研發(fā)90納米閃存技術(shù)
GlobalFoundries除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬柵極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米閃存技術(shù)，進(jìn)一步強(qiáng)化合作關(guān)系。
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全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90奈米閃存技術(shù)
全球晶圓(Global Foundries)除了在28奈米制程上，宣布以28奈米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90奈米閃存技術(shù)，進(jìn)一步強(qiáng)化合作關(guān)
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TIMC組建聯(lián)盟布局存儲(chǔ)閃存技術(shù)
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存公司(TIMC)將聯(lián)合茂德、晶豪科、翔準(zhǔn)等公司，布局自有儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)技術(shù)，而政府層面將給予40%的研發(fā)補(bǔ)貼?！ 〈饲癟IMC規(guī)劃以日本廠商爾必達(dá)為技術(shù)合作伙伴進(jìn)行DRAM產(chǎn)業(yè)再造，
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瑞薩力晶合資閃存業(yè)務(wù)散伙
據(jù)日本媒體報(bào)道，日本半導(dǎo)體廠商Renesas瑞薩科技與臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體已經(jīng)決定終結(jié)雙方合資的閃存研發(fā)合資企業(yè)。瑞薩計(jì)劃把股權(quán)、設(shè)計(jì)資產(chǎn)及債權(quán)債務(wù)轉(zhuǎn)讓給力晶，并于今日正式解散雙方在日本的合資公司。力晶最早于2006年
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NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤，
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飛索澄清“暫停與武漢新芯的合作”純屬誤解
針對(duì)先前有媒體報(bào)導(dǎo)飛索暫停了與武漢新芯的合作，飛索公司企業(yè)營(yíng)銷總監(jiān)John Nation昨日駁斥上述說(shuō)法，并指出這是一場(chǎng)誤解。事實(shí)上，飛索與中芯國(guó)際和武漢新芯的合作，都還在持續(xù)進(jìn)行中，包括盡快移轉(zhuǎn)43納米的技術(shù)，還
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美光公司因其DRAM和NAND閃存技術(shù)創(chuàng)新獲半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng)
美光科技股份有限公司宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的DRAM和NAND創(chuàng)新作為其第八屆Insight年度大獎(jiǎng)的獲勝者。美光公司的32Gb、34納米的NAND閃存獲得“最具創(chuàng)新性工藝技術(shù)”獎(jiǎng)，其1Gb、50納米
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SanDisk與索尼聯(lián)合開(kāi)發(fā)TB級(jí)閃存技術(shù)
據(jù)存儲(chǔ)在線報(bào)道，在近期的CES展會(huì)上，SanDisk與索尼共同宣布了一項(xiàng)計(jì)劃，雙方打算聯(lián)合開(kāi)發(fā)兩款新型大容量閃存，將閃存容量提升到TB級(jí)以上。這兩款新產(chǎn)品目前被暫時(shí)定名為"Memory Stick format for Extended Hig
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掌握閃存技術(shù) 才能解救臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)
由于產(chǎn)業(yè)先前進(jìn)入景氣循環(huán)的低潮，繼之又碰到史上罕見(jiàn)的全球景氣衰退，DRAM產(chǎn)業(yè)的形勢(shì)到了2008年下半已經(jīng)到極為險(xiǎn)峻的地步。這不僅發(fā)生在國(guó)內(nèi)，也發(fā)生在全球各DRAM廠。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的兩大支柱之一，臺(tái)灣
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