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長江存儲(chǔ)推出全新致鈦系列消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤
2020年9月10日，長江存儲(chǔ)推出致鈦系列兩款消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(SSD)新品，分別為PCIe接口PC005 Active和SATA接口SC001 Active，兼具強(qiáng)勁的性能和可靠的品質(zhì)。兩款產(chǎn)品現(xiàn)已登陸京東預(yù)售，參加預(yù)售的消費(fèi)者將享受10元抵50元定金膨脹優(yōu)惠活動(dòng)，兩款產(chǎn)品將于9月22日起正式開放購買。
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realme真我X50 Pro曝光采用了UFS 3.0+Turbo Write+HPB的先進(jìn)閃存技術(shù)
日前，有數(shù)碼博主曬出了一組realme真我X50 Pro與小米10的閃存跑分對(duì)比圖，從圖上來看，realme真我X50 Pro的跑分更高，不少網(wǎng)友猜測(cè)可能是用了UFS3.1閃存。那是事實(shí)是這樣嗎
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大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于NXP LPC55系列之電腦周邊產(chǎn)品應(yīng)用解決方案
2019年7月16日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于恩智浦(NXP)MCU LPC55系列之電腦周邊產(chǎn)品應(yīng)用解決方案。
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長江存儲(chǔ)將宣布Xtacking 2.0閃存技術(shù) 速度堪比DDR4內(nèi)存
目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲(chǔ)專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對(duì)市場(chǎng)影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
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長江存儲(chǔ)將宣布Xtacking 2.0閃存技術(shù) 速度堪比DDR4內(nèi)存
目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲(chǔ)專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對(duì)市場(chǎng)影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
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長江存儲(chǔ)將宣布Xtacking 2.0閃存技術(shù) 速度堪比DDR4內(nèi)存
目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲(chǔ)專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對(duì)市場(chǎng)影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
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紫光集團(tuán)發(fā)布聲明：與SK共同研發(fā)閃存芯片消息不屬實(shí)
據(jù)報(bào)道，今天紫光集團(tuán)發(fā)布聲明稱，有關(guān)“與SK海力士就芯片閃存技術(shù)許可進(jìn)行談判與合作”的消息純屬捕風(fēng)捉影的市場(chǎng)傳言，完全沒有事實(shí)依據(jù)。
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全面解析閃存技術(shù)大餐 架構(gòu)/顆粒/接口/可靠性
閃存最明顯特點(diǎn)就是穩(wěn)定性能，低時(shí)延和高隨機(jī)IOPS。對(duì)于閃存，在評(píng)估性能時(shí)，我們一般主要關(guān)注90% IO落入規(guī)定的時(shí)延范圍(性能是一個(gè)線性范圍，而不是某一個(gè)點(diǎn))。數(shù)據(jù)保護(hù)等
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11年經(jīng)驗(yàn)積淀 華為閃存技術(shù)怎么樣了？
云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、移動(dòng)互聯(lián)正在改變世界。據(jù)預(yù)測(cè)，到2020年，全球移動(dòng)寬帶用戶將從2016年的40億基礎(chǔ)上，增加20億移動(dòng)寬帶用戶，全球大數(shù)據(jù)、大數(shù)據(jù)分析以及大數(shù)據(jù)技術(shù)市場(chǎng)規(guī)模將高達(dá)2000億美元。華為在2016全球聯(lián)接指
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走進(jìn)閃存技術(shù)
作為EPROM(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)兩種存儲(chǔ)器的折衷，閃存是20世紀(jì)80年代問世的。像EEPROM存儲(chǔ)器一樣，閃存支持電擦除數(shù)據(jù);保存新數(shù)據(jù)
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ST閃存技術(shù)解析
前言閃存是手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字電視和機(jī)頂盒或發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊等數(shù)字應(yīng)用中一種十分常見的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，這類芯片需具備系統(tǒng)級(jí)編程功能和斷電數(shù)據(jù)保存功能。閃存兼?zhèn)涓叽鎯?chǔ)
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走進(jìn)閃存技術(shù)
作為EPROM(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)兩種存儲(chǔ)器的折衷，閃存是20世紀(jì)80年代問世的。像EEPROM存儲(chǔ)器一樣，閃存支持電擦除數(shù)據(jù);保存新數(shù)據(jù)
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ST閃存技術(shù)解析
前言閃存是手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字電視和機(jī)頂盒或發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊等數(shù)字應(yīng)用中一種十分常見的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，這類芯片需具備系統(tǒng)級(jí)編程功能和斷電數(shù)據(jù)保存功能。閃存兼?zhèn)涓叽鎯?chǔ)
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IBM重大技術(shù)突破 能耗低于NAND閃存技術(shù)
根據(jù)Computerworld網(wǎng)站報(bào)道，IBM研究人員在自旋電子學(xué)領(lǐng)域(“自旋遷移電子學(xué)”的簡(jiǎn)稱)取得了重大技術(shù)突破，能夠利用電子在磁場(chǎng)內(nèi)的自旋并結(jié)合讀寫頭，在半導(dǎo)體材
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賽普拉斯向UMC授權(quán)55納米嵌入式閃存技術(shù)
嵌入式非易失性存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子公司(紐交所代號(hào) UMC， 臺(tái)灣證券交易所代號(hào) TWSE： 2303)日前聯(lián)合宣布，UMC獲得了賽
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NAND價(jià)格縮水暗藏發(fā)展契機(jī) 閃存技術(shù)有望拓展新興應(yīng)用
【導(dǎo)讀】NAND價(jià)格縮水暗藏發(fā)展契機(jī) 閃存技術(shù)有望拓展新興應(yīng)用 NAND閃存業(yè)務(wù)正在走上正軌，根據(jù)Semico Research公司的研究，盡管“第一季度出現(xiàn)了顯著的跌價(jià)”但這并沒有妨礙NAND成為有史以來成長最快的半
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臺(tái)積電與超捷在90nm混載閃存技術(shù)領(lǐng)域展開合作
【導(dǎo)讀】臺(tái)積電與超捷在90nm混載閃存技術(shù)領(lǐng)域展開合作 美國超捷（SST）與臺(tái)積電（TSMC）日前就面向90nm邏輯LSI混載的閃存技術(shù)簽訂了授權(quán)合同。TSMC將接受SST公司90nm混載閃存技術(shù)“超快閃（SuperFlash）”
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恒憶與海力士擴(kuò)大合作，共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品
【導(dǎo)讀】恒憶與海力士擴(kuò)大合作，共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品 恒憶（Numonyx）宣布與海力士半導(dǎo)體公司達(dá)成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領(lǐng)域擴(kuò)展聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃。針對(duì)NAND技術(shù)在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家
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NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，看它們到2020年
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NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，看它們到2020年
