上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體),專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一,宣布其代工的0.18微米以下嵌入式閃存產(chǎn)品已突破100,000 片8英寸晶圓。目前,宏力
21ic訊 新加坡主板上市公司世健科技有限公司(下稱“世健”或“世健集團(tuán)”)今天宣布正式成為Spansion在亞洲的授權(quán)代理商。Spansion是全球領(lǐng)先的嵌入式系統(tǒng)方案供應(yīng)商,其閃存、微控制器、模擬器
系列1:未來24個(gè)月市場(chǎng)趨勢(shì)和IT投入重點(diǎn)系列2:大數(shù)據(jù)分析對(duì)IT資源的需求前言:為了準(zhǔn)確描述中國大數(shù)據(jù)市場(chǎng)和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),解析大數(shù)據(jù)發(fā)展的各階段對(duì)IT技術(shù)的需求,2013年6月,中橋調(diào)研咨詢(以下簡稱中橋)對(duì)中國4
三星這兩年已經(jīng)是全球最大的NAND供應(yīng)商,不僅生產(chǎn)能力強(qiáng)大,技術(shù)實(shí)力也是頂級(jí)的。本月初宣布量產(chǎn)世界首款3D垂直閃存V-NAND,月中就有相關(guān)的企業(yè)級(jí)V-NAND閃存發(fā)布了。海力士、SanDisk、美光、東芝等其他NAND廠商也有各
2013年8月17日在IBM閃存技術(shù)與趨勢(shì)研討會(huì)上,中橋國際調(diào)研咨詢(以下簡稱“中橋”)的總經(jīng)理兼首席分析師王叢(Kim Wang)女士根據(jù)中橋2013年在中國的最新相關(guān)調(diào)查數(shù)據(jù),就閃存技術(shù)與趨勢(shì)為參會(huì)者分享了《IT創(chuàng)造價(jià)值
在硬盤廠商之間的較量中,比拼的不僅僅是性能參數(shù)上的快速,對(duì)于推出新技術(shù)、新產(chǎn)品的速度也同樣要追求一個(gè)“快”字。 一周之前,三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)
Spansion公司日前宣布任命Robin J. Jigour為高級(jí)副總裁兼閃存業(yè)務(wù)群總經(jīng)理。Spansion公司總裁兼首席執(zhí)行官John Kispert 先生表示:“Robin 將會(huì)為Spansion帶來深厚的
OFweek電子工程網(wǎng)訊:北京時(shí)間4月12日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,IBM今日公布了其閃存計(jì)劃,其中包括投資10億美元用于研發(fā)閃存技術(shù)和使用固態(tài)硬盤的一系列系統(tǒng)。IBM將通過這項(xiàng)計(jì)劃將閃存應(yīng)用到數(shù)據(jù)中心之中。像大數(shù)據(jù)那樣
OFweek電子工程網(wǎng)訊:北京時(shí)間4月12日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,IBM今日公布了其閃存計(jì)劃,其中包括投資10億美元用于研發(fā)閃存技術(shù)和使用固態(tài)硬盤的一系列系統(tǒng)。IBM將通過這項(xiàng)計(jì)劃將閃存應(yīng)用到數(shù)據(jù)中心之中。像大數(shù)據(jù)那樣
IBM今日公布了其閃存計(jì)劃,其中包括投資10億美元用于研發(fā)閃存技術(shù)和使用固態(tài)硬盤的一系列系統(tǒng)。IBM將通過這項(xiàng)計(jì)劃將閃存應(yīng)用到數(shù)據(jù)中心之中。像大數(shù)據(jù)那樣的技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目將令閃存成為企業(yè)的主流存儲(chǔ)技術(shù),因?yàn)槠髽I(yè)需
聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion日前共同宣布,將展開40納米工藝研發(fā)合作,整合聯(lián)華電子40納米LP邏輯工藝,以及Spansion eCTTM (embedded Charge Trap, eCT)嵌入式電荷擷取閃存技術(shù)。此份非專屬授權(quán)協(xié)議包
雙方將共同開發(fā)整合邏輯與閃存技術(shù),以推動(dòng)高效能低功耗電子產(chǎn)品的問世聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion 4日共同宣布,將展開40納米工藝研發(fā)合作,整合聯(lián)華電子40納米LP邏輯工藝,以及Spansion eCTTM (embedd
固態(tài)硬盤普及了,隨之而來的可靠性喝壽命問題越發(fā)引人關(guān)注,特別是隨著NAND閃存工藝的進(jìn)步,反而越來越不耐用了:MCL NAND閃存再25nm時(shí)代還有3000-5000次的編程/擦寫循環(huán)(P/E),20nm時(shí)代就只有3000次了,TLC規(guī)格的更
北京時(shí)間8月17日消息,IBM宣布,公司董事會(huì)已通過收購私人控股的高端企業(yè)存儲(chǔ)技術(shù)供應(yīng)商德州記憶系統(tǒng)公司(Texas Memory Systems),以擴(kuò)大自己的存儲(chǔ)供應(yīng)。IBM預(yù)計(jì)此項(xiàng)交易將于今年晚些時(shí)候完成,但未透露交易的具體價(jià)
北京時(shí)間8月17日消息,IBM宣布,公司董事會(huì)已通過收購私人控股的高端企業(yè)存儲(chǔ)技術(shù)供應(yīng)商德州記憶系統(tǒng)公司(Texas Memory Systems),以擴(kuò)大自己的存儲(chǔ)供應(yīng)。IBM預(yù)計(jì)此項(xiàng)交易將于今年晚些時(shí)候完成,但未透露交易的具體價(jià)
根據(jù)Computerworld網(wǎng)站報(bào)道,IBM研究人員在自旋電子學(xué)領(lǐng)域(“自旋遷移電子學(xué)”的簡稱)取得了重大技術(shù)突破,能夠利用電子在磁場(chǎng)內(nèi)的自旋并結(jié)合讀寫頭,在半導(dǎo)體材料上記錄和讀取數(shù)位數(shù)據(jù),可以將電子自旋周期延長30
根據(jù)Computerworld網(wǎng)站報(bào)道,IBM研究人員在自旋電子學(xué)領(lǐng)域(“自旋遷移電子學(xué)”的簡稱)取得了重大技術(shù)突破,能夠利用電子在磁場(chǎng)內(nèi)的自旋并結(jié)合讀寫頭,在半導(dǎo)體材料上記錄和讀取數(shù)位數(shù)據(jù),可以將電子自旋周期延長30
標(biāo)簽:閃存技術(shù) 3G下一代手機(jī)將有更多功能服務(wù)的應(yīng)用可使用戶完成許多曾經(jīng)難以想象的事情。只需一部手機(jī),人們的購物、工作、居家生活將更便捷。這些功能在技術(shù)上的實(shí)現(xiàn)并不困難,但如果缺乏完善的安全保護(hù)系統(tǒng),人
據(jù)國外媒體報(bào)道,NAND閃存技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)有25年的歷史了,而東芝打算來合理地慶祝這一上個(gè)世紀(jì)80年代在其實(shí)驗(yàn)室被發(fā)明的革命性技術(shù)。東芝稱,幸虧有了閃存,現(xiàn)在人們才得以在他們生活的各個(gè)方面享受內(nèi)容上的創(chuàng)新及先
據(jù)國外媒體報(bào)道,利用閃存技術(shù)建立儲(chǔ)存陣列的科技公司ViolinMemory,計(jì)劃于下周一宣布完成規(guī)模達(dá)5000萬美元的D輪融資。該公司迄今為止已累積獲得投資資金8億美元。參與此輪融資的投資者包括有:出于戰(zhàn)略考量的日本芯